반도체설계산업기사

1. PN 접합 다이오드에서 순방향 바이어스를 인가해주면 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 전위장벽이 높아진다.

② 공간전하의 영역의 폭이 좁아진다.

③ 전장이 증가한다.

④ 확산용량이 줄어든다.

2. 반도체 재료에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?

① 전계와 같은 방향이다.

② 전계와 반대 방향이다.

③ 전계와 직각 방향이다.

④ 전계와 무관한 자유운동을 한다.

3. MOSFET와의 설명으로 틀린 것은?

① 게이트-소스간에 전압 VGS을 인가하면 드레인과 소스사이에 채널이 형성된다.

② 드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 인가하면 드레인 전류 ID가 흐른다.

③ VGS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 전류 ID가 증가한다.

④ BJT에 비해 전력소모가 많은 트랜지스터이다.

4. MOS 집적회로 공정에서 가장 소형화하기 어려운 소자는?

① 저항

② 인덕터

③ 커패시터

④ 트랜지스터

5. 전류가 역방향 바이어스에 의해 차단되면 나타나는 현상으로 옳은 것은?

① 다수 캐리어로 인해 전류가 약간 흐른다.

② 소수 캐리어로 인해 아주 작은 전류가 흐른다.

③ 전위 장벽이 낮아져서 다수 캐리어에 의해 큰 전류가 흐른다.

④ 공핍층이 좁아져서 다수 캐리어에 의해 큰 전류가 흐른다.

6. BJT 회로에서 출력전압과 입력전압이 거의 동위상이 되어 이미터 폴로어(emitter follower)라고도 부르는 회로는?

① 이미터 공통회로

② 베이스 공통회로

③ 컬렉터 공통회로

④ 게이트 공통회로

7. P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은?

① P형 : 정공, N형 : 전자

② P형 : 전자, N형 : 전자

③ P형 : 정공, N형 : 정공

④ P형 : 전자, N형 : 정공

8. MOSFET 소자의 채널 폭과 길이가 짧아지면서 발생하는 단채널 효과(short channel effect)가 아닌 것은?

① 드레인 전압에 의한 문턱전압 감소

② 속도 포화 현상

③ 전류 포화 현상

④ 드레인 항복 전압 감소

9. 실리콘 잉곳이 1016 비소원자/cm3로 도핑되어 있을 때, 실온에서의 캐리어 농도는 얼마인가? (단, 진성 캐리어 밀도는 1.5×1010/cm3이다.)

① 1.5×1010/cm3

② 2.25×104/cm3

③ 1026/cm3

④ 1.5×1026/cm3

10. Si(실리콘) 원소에 대한 설명 중 틀린 것은?

① 하나의 원자가 14개의 전자를 가지고 있다.

② 하나의 원자가 4개의 가전자를 가지고 있다.

③ 다이아몬드 격자구조를 가지고 있다.

④ 이온결합에 의해 결정을 이루고 있다.

11. 실리콘 공정에서 산화막에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 건식 산화 공정보다 습식 산화 공정의 반응 속도가 빠르다.

② 이미 형성된 산화막이 추후의 산화공정에서의 성장속도에 영향을 준다.

③ 건식 산화 공정으로 형성된 산화막의 구조가 더 치밀하다.

④ 산화막은 절연체이다.

12. 도체에 1A의 전류가 흐를 때 1초 동안에 기준 단면적을 통과하는 전자의 개수는? (단, 전하의 전하량은 –1.6×10-19C)

① 1.6×10-19

② 1.6×1019

③ 6.25×1018

④ 6.25×10-20

13. 쌍극성 접합 트랜지스터에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 컬렉터의 농도가 이미터, 베이스에 비해 높게 제작된다.

② 컬렉터 접합의 역방향 전압이 증가할수록 실효 베이스 폭은 증가한다.

③ 전자와 정공이 모두 이미터 전류 형성에 기여한다.

④ 이미터 전류에 의해 컬렉터 전류를 제어할 수 있다.

14. 계단 접합인 PN 접합에서 P영역과 N영역의 불순물 밀도가 각각 1018cm-3, 1015cm-3 일 때, 상온에서의 접촉전위차는 얼마인가? (단, K·T/q = VT = 26mV 이고, 진성 캐리어의 농도 ni = 1.5×1010cm-3으로 가정)

① 0.657V

② 0.707V

③ 0.757V

④ 0.807V

15. 부성저항 특성을 가지는 다이오드는?

① 제너 다이오드

② 터널 다이오드

③ 쇼트키(schottky) 다이오드

④ 바렉터(varactor) 다이오드

16. PN 접합의 전압전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 금지대 폭이 큰 반도체일수록 항복 전압이 낮다.

② 포화전류가 흐르도록 하는 바이어스 방향은 순방향 바이어스이다.

③ N 영역에 음(-)의 전압을 인가하면 포화전류가 흐른다.

④ 역방향 전압을 점점 증가시키면 어느 임계전압에서 전류가 급증하게 되는데, 이 현상을 항복현상이라고 한다.

17. 순수(진성) 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9eV, 가전자대의 준위가 1.6eV이면 순수 반도체의 에너지 갭은 몇 eV인가?

① 2.5

② 0.9

③ 0.8

④ 0.7

18. PN 접합 다이오드의 온도 특성에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 순방향 바이어스에 의한 전류는 온도에 따라 감소한다.

② 온도상승에 대하여 순방향 바이어스를 높이면 전류를 일정하게 유지할 수 있다.

③ 역방향 바이어스에 의한 전류는 온도에 따라 증가한다.

④ Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 온도에 따른 전류 변화가 작다.

19. 바이폴라 트랜지스터에서 이미터 접합이 순바이어스 컬렉터 접합이 역바이어스인 경우에 동작하는 영역은?

① 활성영역 (active region)

② 차단영역 (cut-off region)

③ 포화영역 (saturation region)

④ 역활성영역 (reverse active region)

20. 디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체 구조를 갖는 트랜지스터는?

① BJT

② JFET

③ UJT

④ MOSFET

21. 다음 회로의 이름으로 옳은 것은?

① 전파 정류회로

② 배전압 정류회로

③ 진폭제한회로

④ 위상반전회로

22. 다음 회로에서 출력 Vo의 전압은? (단, OPAMP는 이상적이다.)

① -7

② -21

③ 7

④ 21

23. 다음에서 피변조파 V=Vc•(1+m coswt)•sinωt 이며, 반송파의 진폭은 4V, 변조도는 50%인 경우 직선 검파를 할 때 부하저항에 나타나는 신호파의 실효치 전압은 약 몇 V 인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

① 0.37

② 1.27

③ 2.25

④ 3.4

24. 어떤 차동 증폭기의 차동모드 전압이득이 5000, 동상모드 전압이득이 0.25일 때, CMRR은 약 몇 dB인가?

① 46

② 62

③ 78

④ 86

25. 다음 중 FET의 특징으로 옳은 것은?

① Ai(전류이득) = ∞

② 입력 저항이 10 ~ 100 Ω 정도로 작다.

③ 전압 제어 방식이다.

④ 이득×대역폭이 바이폴라(Bipolar) 보다 크다.

26. 이상적인 펄스파형에서 펄스폭이 20us이고, 펄스의 반복 주파수가 1000Hz일 때, 이 펄스파의 점유율 D는 얼마인가?

① 0.005

② 0.002

③ 0.05

④ 0.02

27. 증폭기의 대역폭 정의로 맞는 것은?

① 중간영역전압이득의 100%가 시작되는 주파수에서 끝나는 주파수 사이

② 중간영역전압이득의 90%가 시작되는 주파수에서 끝나는 주파수 사이

③ 중간영역전압이득의 70%가 시작되는 주파수에서 끝나는 주파수 사이

④ 중간영역전압이득의 50%가 시작되는 주파수에서 끝나는 주파수 사이

28. 다음 정류회로에서 다이오드에 걸리는 피크 역전압(PIV)은 몇 V인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)

① 12

② 24

③ 48

④ 100

29. 다음 회로에서 궤환율 β는 얼마인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

① 0.25

② 0.5

③ 0.75

④ 1

30. 다음 원소 중 도너원자로 틀린 것은?

① In

② P

③ As

④ Sb

31. 다음 중 정현파를 입력하면 구형파가 출력되는 회로는?

① 적분 회로

② 미분 회로

③ 부트스트랩 회로

④ 슈미트 트리거 회로

32. 다음 트랜지스터(BJT)의 동작점 중 증폭기로 동작하기 위한 영역은?

① cutoff region

② saturation region

③ active region

④ breakdown region

33. 다음 회로의 출력파형은 어느 것인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)

34. 다음 중 트랜지스터 회로를 증폭기로 사용하기 위해 바이어스를 설계 시 가장 적절한 것은?

① 베이스-이미터 사이는 역방향컬렉터-베이스 사이도 역방향

② 베이스-이미터 사이는 역방향컬렉터-베이스 사이는 순방향

③ 베이스-이미터 사이는 순방향컬렉터-베이스 사이도 순방향

④ 베이스-이미터 사이는 순방향컬렉터-베이스 사이는 역방향

35. 어떤 증폭기가 전압 이득(Av)이 50이고, 차단주파수(fc)가 20Hz일 때, 궤환 시 전압이득이 40이 되었다면, 변경된 차단주파수는 몇 Hz 인가?

① 8

② 16

③ 20

④ 25

36. 다음 연산증폭기의 특성 중 슬루 레이트(slew rate)에 가장 영향을 많이 받는 특성은?

① 잡음 특성

② 이득 특성

③ 스위칭 특성

④ 동상 제거 특성

37. 다음 중 트랜지스터(BJT) 증폭기 구성에서 C급 증폭기의 가장 큰 장점은?

① 잡음의 감소

② 효율의 증대

③ 회로 구성이 간단

④ 출력 파형의 왜율 감소

38. 반파정류기와 전파정류기의 다이오드 저항과 부하저항이 서로 같을 때 두 정류기의 전압 변동률 관계는?

① 반파정류기가 전파정류기에 비해 2배 더 크다.

② 전파정류기가 반파정류기에 비해 2배 더 크다.

③ 전파정류기가 반파정류기에 비해 4배 더 크다.

④ 전파정류기가 반파정류기의 경우가 같다.

39. 전압 증폭도가 항상 1보다 작은 증폭회로는?

① 컬렉터 접지 증폭회로

② 이미터 접지 증폭회로

③ 베이스 접지 증폭회로

④ 게이트 접지 증폭회로

40. 다단(3단) 증폭기의 전체 전압 이득은 약 몇 dB인가? (단, 각단의 전압이득Av1=10, Av2=15, Av3=20 이다.)

① 45

② 70

③ 90

④ 100

41. 논리식 를 간략히 하면?

42. 다음 D플립플롭의 진리표에서 에 가장 (A), (B)에 적합한 값은?

① (A) : 0, (B) : 0

② (A) : 0, (B) : 1

③ (A) : 1, (B) : 0

④ (A) : 1, (B) : 1

43. 다음 중 회로의 명칭과 출력함수식이 모두 옳은 것은?

① 반가산기, , C = xy

② 전가신기, , C = xy

③ 인코더, , C = x + y

④ 디코더, , C = x + y

44. 다음 논리회로의 기능으로 가장 옳은 것은? (단, 입력은 A, B로 합 또는 차는 X로, 자리올림 혹은 내림수는 Y로 표시한다.)

① 전가산기

② 반가산기

③ 전감산기

④ 반감산기

45. 2진수 (110010101001)2를 16진수로 표시하면?

① CA9

② BA9

③ DA9

④ EA9

46. 10진수로 1000까지 계수할 수 있는 업 카운터(up counter)는 최소 몇 개의 플립플롭으로 구성되어야 하는가?

① 8

② 10

③ 12

④ 16

47. BCD code 0110 1001 1000을 10진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

① 698

② 696

③ 968

④ 618

48. 다음 중 4비트 시프트 레지스터의 구성으로 가장 옳은 것은?

① 4개의 T 플립플롭

② 4개의 S 플립플롭

③ 4개의 RS 플립플롭

④ 4개의 D 플립플롭

49. 조합논리회로의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 입출력을 갖는 논리 게이트의 집합으로 출력값은 0과 1의 입력값에 의해서만 결정되는 회로이다.

② 기억 회로를 갖고 있다.

③ 반가산기, 전가산기, 디코더 등이 있다.

④ 출력함수는 n개의 입력 변수 항으로 표시한다.

50. 다음 회로에 대한 설명 중 맞는 것은?

① AND 게이트(gate)로 동작한다.

② NOR 게이트(gate)로 동작한다.

③ 입력 A=0V, B=0V일 경우 출력 Y=10V가 된다.

④ 입력 A=0V, B=5V일 경우 출력 Y=5V가 된다.

51. 어떤 메모리가 16 개의 번지입력(address input), 4개의 데이터 입력, 4개의 데이터 출력을 가지고 있다고 가정할 때, 이 메모리의 용량은?

① 16×4 RAM

② 16K×4 RAM

③ 64×8 RAM

④ 64K×8 RAM

52. 다음 그림과 같은 회로의 논리식 F는?

① A+B

② AB

53. 다음 그림에서 JK플립플롭을 완성하기 위한 가장 옳은 버스(Bus) 결선 방법은?

① Q 출력과 출력을 Clock pulse(CP)에 결선한다.

② Q 출력과 A입력, 출력과 B입력을 각각 결선한다.

③ Q 출력과 입력, 출력과 A입력을 각각 결선한다.

④ A입력과 B입력을 Clock pulse(CP)에 결선한다.

54. 다음 회로의 동작 상태와 가장 부합하는 카운터의 종류는?

① 업 카운터(Up Counter)

② 12진 카운터

③ 다운 카운터(Down Counter)

④ 링 카운터(Ring Counter)

55. 논리식 의 보수를 구하면?(정확한 보기내용을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 내용작성 부탁드립니다. 정답은 2번입니다.)

56. 다음 3 상태 논리 인버터에 A=High 이고, C=1 인 경우 출력 Y의 상태는? (단, C는 Enable이다.)

① High

② Low

③ High Impendance

④ Low Impendance

57. 연산 회로에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?

① 3개의 2진수를 가산할 수 있는 회로를 전가산기라 한다.

② 2개의 입력 크기를 비교하는 회로를 비교기라 한다.

③ 2진수로 표시된 입력조합에 따른 BCD 코드를 0부터 9까지 동작할 수 있게 하는 회로를 인코더라 한다.

④ 전가산기에서는 캐리 입력을 취급할 수 있다.

58. 플립플롭(flip-flop)을 응용해서 만들 수 없는 것은?

① 카운터(counter)

② MUX(multiplexer)

③ 레지스터(register)

④ SRAM(Static RAM)

59. 다음 논리식을 가장 간단히 나타낸 것은? (단, d는 무정의 조건(don't care 임))

① AB + BC

② AB + BC + ACD

③ AB + BC + AD′

④ AB + BC BD

60. 에러(Error)를 검출하여 교정할 수 있는 코드는?

① Hamming Code

② ASCII Code

③ Gray Code

④ 3초가 Code

61. n웰 CMOS 공정에 필수적으로 사용되는 레이어가 아닌 것은 무엇인가?

① n웰 레이어

② 액티브 영역

③ 폴리실리콘

④ p웰 레이어

62. 하드웨어기술언어(HDL)를 이용한 설계의 특징이 아닌 것은?

① 논리식을 생각할 필요가 없다.

② 설계내용을 쉽게 변경할 수 있다.

③ 회로도 입력에 시간이 많이 걸린다.

④ 설계자가 아니어도 이해하기 쉽다.

63. 레이아웃(layout) 설계규칙에 관한 설명 중 틀린 것은?

① 제조공정에서 요구하는 형상들의 집합을 정의하는 것이다.

② 여러 가지 마스크 정렬에 필요하다.

③ 패키징(packaging)의 본딩 패드(bonding pad)의 크기에 대하여 정의할 때 필요하다

④ 웨이퍼에서 각각의 회로를 잘라내는 스크라이브(scribe) 선과는 무관하다.

64. 다음의 정적 CMOS 로직(Static CMOS Logic)에 관한 설명 중 틀린 것은?

① 반대로 동작하는 nMOS와 pMOS를 이용하여 대칭적으로 동작시키는 회로 로직이다.

② 시간이 비교적 많이 경과해도 출력전압이 변하지 않는 대신 속도가 느리다.

③ 출력은 VDD로만 연결되어 유지된다.

④ nMOS와 pMOS를 이용하여 풀업(pull-up)과 풀다운(pull-down) 시키는 회로이다.

65. 반도체 공정에서 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막이나 에피층을 형성하는 공정은?

① 진공증착(Evaporation)

② 스퍼터링(Sputtering)

③ 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)

④ 분자선증착(Molecular Beam Epitaxy)

66. 동적 CMOS 로직과 거의 같으나 출력단에 인버팅 래치가 달려 있는 로직은?

① 도미노 로직

② 카미노 로직

③ 슈도 로직

④ 트랜스 로직

67. 다음 각 로직 회로의 사양 중에서 잡음여유(Noise Margin)가 가장 큰 것은?

① TTL

② 5V CMOS

③ 3.3V CMOS

④ ECL

68. 동적 CMOS 로직에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 정적 논리 회로보다 연속 회로의 구현이 쉽다.

② 동일한 기능에 대해 정적 논리 회로보다 작은 면적으로 설계가 가능하다.

③ 입력 신호는 사전 충전(Precharge)때만 변화하여야 한다.

④ 작은 기생 커패시턴스를 갖기 때문에 고속으로 동작 한다.

69. 다음 중 레이아웃 시 배선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 블록의 배치가 끝나면 블록 사이의 신호선 연결, 즉 배선을 한다.

② 전원과 접지선, 클럭 등 중요 신호선은 여타 신호선을 배선한 후 마지막에 한다.

③ 전원과 접지선을 배선할 때에는 가능한 충분한 폭을 확보하는 것이 중요하다.

④ 타이밍상 중요한 신호는 먼저 연결하여 짧은 배선이 가능하도록 한다.

70. 다음 중 인버터 구현 시, 논리 '0' 의 신호는 잘 통과 시키고 '1' 의 신호는 잘 통과 시키지 못하는 poor 1 현상이 나타나는 구조는?

① pMOS

② nMOS

③ CMOS

④ BiCMOS

71. 이상적인 연산증폭기 특징에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

① 전압이득은 유한하다.

② 입력임피던스는 유한하다.

③ 주파수 대역은 유한하다.

④ 출력임피던스는 0 이다.

72. 반도체 웨이퍼에 대한 공정 중 메탈이나 폴리 실리콘 등을 웨이퍼 표면에 부착시키는 공정은?

① 에칭(etching) 공정

② 박막(thin film) 공정

③ 확산(diffusion) 공정

④ 현상(development) 공정

73. 다음 중 일반적인 CMOS 회로에 대한 설명과 거리가 먼 것은?

① CMOS는 nMOS와 pMOS가 결합된 형태이다.

② CMOS 회로의 집적도는 nMOS 회로보다 작다.

③ CMOS 회로의 전력 소모는 nMOS 회로보다 크다.

④ CMOS 회로의 동작속도는 nMOS 회로보다 느리다.

74. 게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 설계하는 기술은?

① SoG(sea of gate)

② PLD(programmable logic device)

③ CPLD(complexed PLD)

④ FPGA(field programmable gate array)

75. 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 포화영역에서의 드레인 전류는 어떻게 변하는가?

① 2배로 증가

② 4배로 증가

③ 1/2로 감소

④ 1/4로 감소

76. LSI 설계 시 논리 설계 단계에서 고려해야 할 사항에 해당하지 않는 것은?

① 논리블록

② 게이트 레벨 기술

③ 완성 설계 체크

④ 시뮬레이션

77. CMOS domino 로직회로를 사용할 때의 특성에 해당되지 않는 것은?

① 팬 아웃(fan-out)은 항상 1 이다.

② EX-OR 와 같은 회로 구성으로 적합하다.

③ 인버터를 사용하므로 구동 능력이 늘어난다.

④ 같은 형태의 논리회로를 연속으로 연결할 수 있다.

78. 집적회로 칩 레이아웃에 있어서 평면계획과 거리가 먼 것은?

① 블록의 크기 추정 및 배치

② 최소 칩 면적을 얻을 수 있는 구조 계획

③ 배선의 영역과 크기 계산

④ 디자인 규칙 검사

79. 레이아웃 설계가 끝난 후, 레이아웃 설계 자료를 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 하는 것은?

① Logic Synthesis

② Bottom-up Design

③ Structured Design

④ Back Annotation

80. MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스 관계식은? (단, L은 게이트의 길이, W는 게이트의 폭, Tox는 산화막의 두께, Cox는 SiO2의 유전율을 의미한다.)

답 안 지

정 답 표

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	41	1	2	3	4
2	1	2	3	4	42	1	2	3	4
3	1	2	3	4	43	1	2	3	4
4	1	2	3	4	44	1	2	3	4
5	1	2	3	4	45	1	2	3	4
6	1	2	3	4	46	1	2	3	4
7	1	2	3	4	47	1	2	3	4
8	1	2	3	4	48	1	2	3	4
9	1	2	3	4	49	1	2	3	4
10	1	2	3	4	50	1	2	3	4
11	1	2	3	4	51	1	2	3	4
12	1	2	3	4	52	1	2	3	4
13	1	2	3	4	53	1	2	3	4
14	1	2	3	4	54	1	2	3	4
15	1	2	3	4	55	1	2	3	4
16	1	2	3	4	56	1	2	3	4
17	1	2	3	4	57	1	2	3	4
18	1	2	3	4	58	1	2	3	4
19	1	2	3	4	59	1	2	3	4
20	1	2	3	4	60	1	2	3	4
21	1	2	3	4	61	1	2	3	4
22	1	2	3	4	62	1	2	3	4
23	1	2	3	4	63	1	2	3	4
24	1	2	3	4	64	1	2	3	4
25	1	2	3	4	65	1	2	3	4
26	1	2	3	4	66	1	2	3	4
27	1	2	3	4	67	1	2	3	4
28	1	2	3	4	68	1	2	3	4
29	1	2	3	4	69	1	2	3	4
30	1	2	3	4	70	1	2	3	4
31	1	2	3	4	71	1	2	3	4
32	1	2	3	4	72	1	2	3	4
33	1	2	3	4	73	1	2	3	4
34	1	2	3	4	74	1	2	3	4
35	1	2	3	4	75	1	2	3	4
36	1	2	3	4	76	1	2	3	4
37	1	2	3	4	77	1	2	3	4
38	1	2	3	4	78	1	2	3	4
39	1	2	3	4	79	1	2	3	4
40	1	2	3	4	80	1	2	3	4

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
2	1	4	2	2	3	1	3	2	4
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