전자기사

1. 진공 중 반지름이 a(m)인 무한길이의 원통 도체 2개가 간격 d(m)로 평행하게 배치되어 있다. 두 도체 사이의 정전용량(C)을 나타낸 것으로 옳은 것은?

2. 진공 중 한 변의 길이가 0.1m인 정삼각형의 3정점 A, B, C에 각각 2.0×10-6C의 점전하가 있을 때, 점 A의 전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가?

① 1.8√2

② 1.8√3

③ 3.6√2

④ 3.6√3

3. 진공 내 전위함수가 V = x2 + y2(V)로 주어졌을 때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1인 공간에 저장되는 정전에너지(J)는?

4. 자극의 세기가 7.4×10-5Wb, 길이가 10cm인 막대자석이 100AT/m의 평등자계 내에 자계의 방향과 30°로 놓여 있을 때 이 자석에 작용하는 회전력(N·m)은?

① 2.5×10-3

② 3.7×10-4

③ 5.3×10-5

④ 6.2×10-6

5. 공기 중에서 1V/m의 전계의 세기에 의한 변위전류밀도의 크기를 2A/m2으로 흐르게 하려면 전계의 주파수는 몇 MHz 가 되어야 하는가?

① 9000

② 18000

③ 36000

④ 72000

6. 반지름이 a(m)인 접지된 구도체와 구도체의 중심에서 거리 d(m) 떨어진 곳에 점전하게 존재할 때, 점전하에 의한 접지된 구도체에서의 영상전하에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 영상전하는 구도체 내부에 존재한다.

② 영상전하는 점전하와 구도체 중심을 이은 직선상에 존재한다.

③ 영상전하의 전하량과 점전하의 전하량은 크기는 같고 부호는 반대이다.

④ 영상전하의 위치는 구도체의 중심과 점전하 사이 거리(d(m))와 구도체의 반지름(a(m))에 의해 결정된다.

7. 투자율이 μ(H/m), 자계의 세기가 H(AT/m), 자속밀도가 B(Wb/m2)인 곳에서의 자계 에너지 밀도(J/m3)는?

8. z축 상에 놓인 길이가 긴 직선 도체에 10A의 전류가 +z 방향으로 흐르고 있다. 이 도체의 주위의 자속밀도가 Wb/m2 일 때 도체가 받는 단위 길이당 힘(N/m)은? (단, 는 단위벡터이다.)

9. 평행 극판 사이의 간격이 d(m)이고 정전용량이 0.3μF인 공기 커패시터가 있다. 그림과 같이 두 극판 사이에 비유전율이 5인 유전체를 절반 두께 만큼 넣었을 때 이 커패시터의 정전용량은 몇 μF 이 되는가?

① 0.01

② 0.05

③ 0.1

④ 0.5

10. 평등 전계 중에 유전체 구에 의한 전계 분포가 그림과 같이 되었을 때 ε1과 ε2의 크기 관계는?(문제 오류로 가답안 발표시 2번으로 발표되었지만 확정답안 발표시 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가답안인 2번을 누르면 정답 처리 됩니다.)

① ε1 ＞ ε2

② ε1 ＜ ε2

③ ε1 = ε2

④ 무관하다.

11. 진공 중에 4m 간격으로 평행한 두 개의 무한 평판 도체에 각각 +4 C/m2, -4 C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V 인가?

① 1.36×1011

② 1.36×1012

③ 1.8×1011

④ 1.8×1012

12. 내부 원통 도체의 반지름이 a(m), 외부 원통 도체의 반지름이 b(m)인 동축 원통 도체에서 내외 도체 간 물질의 도전율이 σ(℧/m)일 때 내외 도체 간의 단위 길이당 컨덕턴스(℧/m)는?

13. 어떤 도체에 교류 전류가 흐를 때 도체에서 나타나는 표피 효과에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 도체 중심부보다 도체 표면부에 더 많은 전류가 흐르는 것을 표피 효과라 한다.

② 전류의 주파수가 높을수록 표피 효과는 작아진다.

③ 도체의 도전율이 클수록 표피 효과는 커진다.

④ 도체의 투자율이 클수록 표피 효과는 커진다.

14. 진공 중에 4m의 간격으로 놓여진 평행 도선에 같은 크기의 왕복 전류가 흐를 때 단위 길이당 2.0×10-7N의 힘이 작용하였다. 이때 평행 도선에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

① 1

② 2

③ 4

④ 8

15. 인덕턴스(H)의 단위를 나타낸 것으로 틀린 것은?

① Ω·s

② Wb/A

③ J/A2

④ N/(A·m)

16. 유전율이 ε = 2ε0이고 투자율이 μ0인 비도선성 유전체에서 전자파의 전계의 세기가 V/m 일 때, 자계의 세기 H(A/m)는? (단, 는 단위벡터이다.)

17. 자기회로에서 전기회로의 도전율 σ(℧/m)에 대응되는 것은?

① 자속

② 기자력

③ 투자율

④ 자기저항

18. 단면적이 균일한 환상철심에 권수 1000회인 A코일과 권수 NB회인 B 코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 100mH이고, 두 코일 사이의 상호 인덕턴스가 20mH이고, 결합계수가 1일 때, B코일의 권수(NB)는 몇 회인가?

① 100

② 200

③ 300

④ 400

19. 전계가 유리에서 공기로 입사할 때 입사각 θ1과 굴절각 θ2의 관계와 유리에서의 전계 E1과 공기에서의 전계 E2의 관계는?

① θ1 ＞ θ2, E1 ＞ E2

② θ1 ＜ θ2, E1 ＞ E2

③ θ1 ＞ θ2, E1 ＜ E2

④ θ1 ＜ θ2, E1 ＜ E2

20. 면적이 0.02m2, 간격이 0.03m이고, 공기로 채워진 평행평판의 커패시터에 1.0×10-6C의 전하를 충전시킬 때, 두 판 사이에 작용하는 힘의 크기는 약 몇 N 인가?

① 1.13

② 1.41

③ 1.89

④ 2.83

21. 다음 임피던스 파라미터 중 출력 개방 전달 임피던스는?

① Z11

② Z12

③ Z21

④ Z22

22. 직류 전압원에 저항 R을 접속하였을 때 흐르는 전류를 30% 증가시키기 위해서는 저항값을 약 얼마로 변경시켜야 하는가?

① 0.3R

② 0.77R

③ R

④ 1.3R

23. 그림과 같은 페이저도(phasor diagram)가 있을 때, 등가 임피던스는?

① 20√2 - j20√2

② 20√2 + j20√2

③ 40√2 + j40√2

④ 40√2 – j40√2

24. 다음 회로에서 어드미턴스 파라미터 Y11은?

① 1/2 ℧

② 1/3 ℧

③ 1/6 ℧

④ 1/12 ℧

25. 어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW 일 때 이 회로의 역률은?

① 0.9

② 0.75

③ 0.6

④ 0.45

26. 다음과 같이 두 개의 저항이 직렬로 연결되어 있는 회로에서 각 저항의 전압과의 관계식으로 옳은 것은?

① V1V2 = R1R2

② V1V2 = (R1R2)2

③ V1R1 = V2R2

④ V1R2 = V2R1

27. 일 때 f(t)의 최종값은?

② 3

③ 5

④ ∞

28. 다음 그림 (1)의 회로에서 i(t)의 파형이 그림 (2)와 같을대, 출력 v(t)를 라플라스 변환한 V(s)로 옳은 것은?

29. 다음 회로의 노튼 등가회로는?

30. x(t) = te-atu(t) 의 Fourier 변환 X(ω)에서 ω = 0일 때의 값 X(0)은?

② 1

③ 1/a2

④ 2/a2

31. 그림의 회로에서 정현파 입력에 대한 정상상태 응답(steady state response) Vo(t)는?

32. 다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

33. 저항 R = 50Ω, 인덕턴스 L = 1mH, 커패시터 C = 10pF 인 RLC 직렬 공진회로의 양호도 Q는?

① 100

② 200

③ 300

④ 400

34. 다음과 같은 회로에서 VS = 80∠0° 일 때, 전체 전류 IT의 크기는 약 몇 A 인가?

① 8.5

② 9.4

③ 10.3

④ 11.2

35. 다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)

36. 다음 중 그림과 같은 이상 변압기의 방정식으로 옳은 것은?

37. 다음 회로의 필터 종류는?

① 대역 저지 필터

② 대역 통과 필터

③ 고대역 통과 필터

④ 저대역 통과 필터

38. 내부에 기전력 E1, E2, …, En을 포함하는 회로망A의 출력 단자 a-b 사이에서 바라본 테브닌 전압을 ET, 테브닌 임피던스를 ZT라고 할 때, 부하 Z에 흐르는 전류 I는?

39. 회로망 함수가 그림과 같이 2개 극점과 1개의 영점을 가질 때, 시간영역 f(t)로 옳은 것은?

① f(t) = e-αtcosωt

② f(t) = e-αtsinωt

③ f(t) = tsinωt

④ f(t) = tcosωt

40. 시정수 τ인 RL 직렬회로에 t = 0 에서 직류전압을 가하였을 때 t = 4τ에서의 회로전류는 정상치의 약 몇 % 인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)

① 63%

② 86%

③ 95%

④ 98%

41. 다음 저역통과필터회로의 임계주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R=1kΩ, R2=10kΩ, C=20nF 이다.)

① 5.86

② 6.96

③ 7.96

④ 8.89

42. RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?

① 고역특성이 좋지 않다.

② 저역특성이 좋지 않다.

③ 중역과 고역특성이 모두 좋지 않다.

④ 저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.

43. 이상적인 연산 증폭기의 특징 중 틀린 것은?

① 입력저항이 ∞ 이다.

② 출력저항이 0 이다.

③ 전압이득이 0 이다.

④ 주파수 대역폭이 ∞ 이다.

44. 다이오드 직선 검파회로에서 변조도 50%, 진폭 10√2 V 인 피변조파가 인가되었을 때, 부하저항에 나타나는 변조 신호파 출력전압은? (단, 검파 효율은 80% 이다.)

① 0.4 V

② 0.8 V

③ 1.2 V

④ 4 V

45. 그림(b)는 회로(a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로(a)의 부하저항 RL의 값은 약 몇 kΩ 인가? (단, C1, C2는 교류적으로 단락이다.)

① 1

② 2

③ 3

④ 4

46. 두 입력단에 입력되는 신호의 절댓값이 큰 극성에 따라 출력이 나타나며, 부귀환이 없는 무한이득을 사용하는 회로는?

① 비교기 회로

② 위상 동기 루프 회로

③ 비안정 멀티바이브레이터 회로

④ 슈미트 트리거 회로

47. 다음과 같은 비안정 멀티바이브레이터의 출력(VO1, VO2) 발진주파수는 약 몇 kHz 인가? (단, R1=R2=47kΩ, RC=560Ω, C1=C2=0.01μF 이다.)

① 1.1

② 1.5

③ 75

④ 23

48. 전압증폭도 Av = 5000인 증폭기에 부귀환을 걸 때 전압 증폭도 Af = 40이 되었다. 이때 귀환율 β는?

① 0.0124

② 0.0248

③ 0.0496

④ 0.0992

49. 다음 Tunnel Diode의 전류 특성 곡선에서 발진이 일어날 수 있는 영역은?

① A 영역

② B 영역

③ C 영역

④ 모든 영역에서 발생

50. 수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?

① AFC회로가 필요하다.

② 주위 온도가 영향이 크다.

③ 주파수의 변경이 용이하다.

④ 발진 주파수의 안정도가 높다.

51. BJT를 이용한 B급 증폭기의 최대 전력효율은 약 얼마인가?

① 23%

② 50%

③ 79%

④ 99%

52. 정류기에서 파형을 일정하게 유지하기 위해 사용되는 필터는?

① 대역통과필터

② 대역제거필터

③ 저역통과필터

④ 고역통과필터

53. 이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100μA이고, IB가 1mA일 때, 컬렉터 전류는 몇 mA 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)

① 109

② 120

③ 137

④ 154

54. 부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.

② 이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.

③ 이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.

④ 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

55. 다음 연산 증폭기로 구성한 계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 출력 Vout은?

56. 임의의 입력파형이 규정된 기준 레벨에 이르는 순간을 검출할 수 있어서 전압비교 회로로 널리 사용되는 회로는?

① 슈미트 트리거 회로

② 비안전 멀티바이브레이터 회로

③ 블로킹 발진회로

④ 이상 발진회로

57. 커패시터형 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동률에 대한 설명 중 옳은 것은? (단, 부하 저항은 커패시터와 병렬구조이다.)

① 부하 저항에서는 반비례하고, 커패시터에서는 비례한다.

② 부하 저항에서는 비례하고, 커패시터에서는 반비례한다.

③ 부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 비례한다.

④ 부하 저항과 커패시터는 모두에 비해 반비례한다.

58. 다음 회로에서 출력전압 Vout은? (단, R1=R2=R3=R4 이다.)

① Vout = V1 - V2

② Vout = V2 - V1

③ Vout = 2(V1 - V2)

④ Vout = 2(V2 - V1)

59. 다음 회로의 명칭은?

① Schmitt trigger

② Voltage doubler

③ Multivibrator

④ Miller sweep

60. MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?

① 드레인과 바디 사이

② 게이트와 소스 사이

③ 게이트와 드레인 사이

④ 드레인과 소스 사이

61. npn BJT의 각 단자의 도핑 농도를 높은 순서대로 나열한 것은?

① 이미터＞컬렉터＞베이스

② 컬렉터＞베이스＞이미터

③ 컬렉터＞이미터＞베이스

④ 이미터＞베이스＞컬렉터

62. 다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

① 다결정의 Ge 성장

② 다결정의 Si 성장

③ 기판에 매우 얇은 단결정의 성장

④ 기판에 매우 얇은 다결정의 성장

63. 반도체에서 아인슈타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?

① 유효 질량

② 캐리어 농도

③ 이동도

④ 내부 전압

64. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?

① Sommerfeld 분포 함수

② Fermi-Dirac 분포 함수

③ Bose-Einstein 분포 함수

④ Maxwell-Boltzmann 분포 함수

65. 평형상태의 트랜지스터에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 세 단자가 접속되지 않은 상태이다.

② 페르미 준위는 이미터 쪽이 제일 높다.

③ 다수캐리어는 확산운동을 한다.

④ 소수캐리어는 표동운동을 한다.

66. 반도체 IC의 절연 방법(isolation) 중 pn접합에 의한 절연과 비교하여 산화막 절연의 특징이 아닌 것은?

① pn 접합에 의한 절연과 같은 역바이어스가 필요 없다.

② 기생 용량을 감소시킬 수 있다.

③ 거의 완벽한 절연이다.

④ 제조공정이 간단하다.

67. 실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?

① 불순물은 3개의 가전자만을 갖는다.

② 억셉터(acdeptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.

③ 정공은 소수 캐리어이다.

④ 진성 반도체이다.

68. 접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀린 것은?

① hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.

② hFE는 베이스 폭에 비례한다.

③ hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.

④ hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.

69. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

① 열을 가한다.

② 빛을 가한다.

③ 전계를 가한다.

④ 압축을 한다.

70. 외부에서 인가된 전압에 의하여 캐리어가 이동하는 것은?

① 드리프트(Drift) 전류

② 확산(Diffusion) 전류

③ 이동도

④ 캐리어 밀도

71. 금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?

① 전계방출

② 광전자방출

③ 열전자방출

④ 2차 전자방출

72. 전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이고, 전하량은 1.602×10-19[C]이다.)

① 1.75×1017[m/s2]

② 1.95×1016[m/s2]

③ 2.05×1016[m/s2]

④ 2.35×1014[m/s2]

73. 어떤 송신기가 10MHz의 전파를 1kW의 출력으로 방사한다면 매 초당 몇 개의 광자(photon)가 방출되는가? (단, 플랑크 상수는 6.624×10-34[J·sec]이다.)

① 1.5×1031[개]

② 1.5×1029[개]

③ 9.42×1031[개]

④ 9.42×1029[개]

74. n채널 MOSFET의 단면구조로 옳은 것은?

75. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링(Tunneling)은 언제 발생하는가?

① 역방향에서만 발생

② 정전압이 높을 때만 발생

③ 바이어스가 영(zero) 일 때 발생

④ 아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생

76. 진성반도체의 온도변화에 따라 페르미준위는 어떻게 되는가?

① 온도에 따라 변화하지 않는다.

② 온도가 감소하면 전도대로 향한다.

③ 온도가 감소하면 충만대로 향한다.

④ 온도가 감소하면 가전대로 향한다.

77. pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때, 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage 보다는 낮은 범위이다.)

① 이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.

② 공핍층이 더 넓어진다.

③ 공핍층이 좁아진다.

④ 공핍층이 없어진다.

78. 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

① Thomson 효과

② Hall 효과

③ Seebeck 효과

④ Peltier 효과

79. 반도체 재료의 제조 시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?

① 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.

② 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문이다.

③ 진송 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문이다.

④ 캐리어의 이동도를 결정하기 때문이다.

80. 브래그(Bragg)의 반사조건으로 옳은 것은? (단, d : 주기구조의 폭, λ : 빛의 파장, n : 정수, θ : 결정면의 광선사의 각도이다.)

① 2d·sinθ = nλ

② 2d·tanθ = nλ

③ 2d·tanθ = λ/n

④ 2d·sinθ = λ/n

81. 2의 보수표현이 1의 보수표현보다 널리 사용되는 주된 이유는?

① 음수의 표현이 가능하다.

② 숫자 0의 표현방식이 두 가지이다.

③ 연산 시 캐리어 발생여부를 무시해도 된다.

④ 10진수로의 변환이 더욱 용이하다.

82. 연산장치의 누산기(accumulator)에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 연산에 이용될 데이터를 읽어들여 일시적 저장 후 필요한 순간에 가산기에 데이터를 제공한다.

② 산술연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.

③ 데이터 레지스터의 데이터를 연산하여 그 결과를 저장시킨다.

④ 연산한 결과의 상태를 기록하여 저장하는 일을 한다.

83. 다음 중 NOR 게이트와 등가 게이트는?

84. CPU의 기본 구조가 아닌 것은?

① ALU(Arithmetic Logic Unit)

② 레지스터 세트

③ RAM(Random Access Memory)

④ 제어 유니트

85. C언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은? (단, math.h가 정의되었다고 가정한다.)

① -3

② -4

③ 3

④ 4

86. 우측 회전(right rotate)을 수행하는 순환 시프트 레지스트에 데이터 (11011001)2가 저장되어 있을 때, 제어 신호가 연속해서 3번 들어온 결과 값은?

① (00111011)2

② (00011011)2

③ (11111011)2

④ (11001110)2

87. 플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때 최소 몇 단위 플립플롭이 필요한가?

① 3단

② 4단

③ 5단

④ 6단

88. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어를 의하여 판별하는 방법은?

① 스택

② 벡터 인터럽트

③ 폴링

④ 핸드쉐이킹

89. 버스 클록(bus clock)이 2.5 GHz 이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭은?

① 25 Gbytes/sec

② 20 Gbytes/sec

③ 2.5 Gbytes/sec

④ 8 Gbytes/sec

90. 다음 소자 중 전원과 관련된 신호는 제외한 데이터와 주소 연결선의 수가 가장 많은 것은?

① 1K × 4 bit DRAM

② 8K × 4 bit SRAM

③ 4K × 1 bit DRAM

④ 64K × 8 bit SRAM

91. Two address machine에서 기억용량 216 이고 Word length가 40bit라면 이 명령어 형식(Instruction Format)에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?

① 5

② 6

③ 7

④ 8

92. 다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?

① 비동기식 2진 카운터

② 동기식 10진 카운터

③ 링 카운터

④ 존슨 카운터

93. 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

① hamming code

② ring counter code

③ gray code

④ 8421 code

94. 다음은 C언어 프로그램의 일부이다. F의 값으로 옳은 것은?

① 1

② 2

③ 3

④ 4

95. 다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 바르게 나열한 것은?

① ㉣→㉠→㉡→㉢→㉤

② ㉣→㉠→㉡→㉤→㉢

③ ㉠→㉣→㉡→㉢→㉤

④ ㉠→㉡→㉤→㉢→㉣

96. 순서도를 작성하는 일반적인 규칙 중 틀린 것은?

① 국제 표준화 기구(ISO)의 표준 기호를 사용한다.

② 제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.

③ 기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.

④ 문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.

97. 다음 볼대수식을 최소화 하면?

① BC

② A

③ B

④ 1

98. MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 맨 왼쪽 비트(최상위 비트)

② 맨 오른쪽 비트(최하위 비트)

③ 2진수의 보수

④ 8진수의 보수

99. 어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?

① AND

② OR

③ XOR

④ NOR

100. 다음 회로의 논리식으로 옳은 것은?

답 안 지

정 답 표

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
3	1	2	3	4	53	1	2	3	4
4	1	2	3	4	54	1	2	3	4
5	1	2	3	4	55	1	2	3	4
6	1	2	3	4	56	1	2	3	4
7	1	2	3	4	57	1	2	3	4
8	1	2	3	4	58	1	2	3	4
9	1	2	3	4	59	1	2	3	4
10	1	2	3	4	60	1	2	3	4
11	1	2	3	4	61	1	2	3	4
12	1	2	3	4	62	1	2	3	4
13	1	2	3	4	63	1	2	3	4
14	1	2	3	4	64	1	2	3	4
15	1	2	3	4	65	1	2	3	4
16	1	2	3	4	66	1	2	3	4
17	1	2	3	4	67	1	2	3	4
18	1	2	3	4	68	1	2	3	4
19	1	2	3	4	69	1	2	3	4
20	1	2	3	4	70	1	2	3	4
21	1	2	3	4	71	1	2	3	4
22	1	2	3	4	72	1	2	3	4
23	1	2	3	4	73	1	2	3	4
24	1	2	3	4	74	1	2	3	4
25	1	2	3	4	75	1	2	3	4
26	1	2	3	4	76	1	2	3	4
27	1	2	3	4	77	1	2	3	4
28	1	2	3	4	78	1	2	3	4
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11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
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41	42	43	44	45	46	47	48	49	50
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번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
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