1.
자기회로에서 철심의 투자율을 μ라 하고 회로의 길이를 ℓ이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 ℓg를 만들면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배인가? (단, ℓg≪ℓ즉 ℓ-ℓg ≒ ℓ이다.)
2.
평행편판 공기콘덴서의 양 극판에 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 분포되어 있다. 이 두 전극 사이에 유전율 Є[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계 [V/m]는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +σ′[C/m2], -σ′[C/m2]이라 한다.)
①
σ/Є0
②
σ+σ′/Є0
③
σ/Є0-σ′/Є
④
σ-σ′/Є0
3.
매질1(ε1)은 나일론(비유전율 εs=4)이고 매질2(ε2)는 진고일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ1, θ2의 각을 이룰 때, θ2=30°라면 θ1의 값은?
4.
300회 감은 코일에 3[A]의 전류가 흐를 때의 기자력[AT]은?
5.
자계와 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?
①
fv/I2
②
fv/I
③
fv2/I
④
fv/2I
6.
반지름 a, b인 두 개의 구 형상 도체 전극이 도전율 k인 매질 속에 중심거리 만큼 떨어져 있다. 양 전극 간의 저항은? (단, ar≫ a, b이다.)
7.
구리로 만든 지름 20cm의 반구에 물을 채우고 그 중에 지름 10cm의 구를 띄운다. 이 때에 두 개의 구가 동심구라면 두 구 사이의 저항은 약 몇 Ω인가? (단, 물의 도전율은 10-3[℧/m]라 하고, 물이 충만 되어 있다고 한다.)
①
1590
②
2590
③
2800
④
3180
8.
자기회로에 관한 설명으로 옳은 것은?
①
자기회로의 자기저항은 자기회로의 단면적에 비례한다.
②
자기회로의 기자력은 자기저항과 자속의 곱과 같다.
③
자기저항 Rm1과 Rm2을 직렬연결 시 합성 자기저항은 이다.
④
자기회로의 자기저항은 자기회로의 길이에 반비례한다.
9.
면적이 S[m2]인 금속판 2매를 간격이 d[m]되게 공기 중에 나란하게 놓았을 때 두 도체 사이의 정전용량[F]은?
10.
일반적인 전자계에서 성립되는 기본방정식이 아닌 것은? (단, i는 전자밀도, ρ는 공간전하밀도이다.)
11.
옴의 법칙을 미분형태로 표시하면? (단, i는 전류밀도이고, ρ는 저항률, E는 전계이다.)
②
i=ρE
③
i=divE
④
i= ∇ × E
12.
0.2μF인 평행판 공기 콘덴서가 있다. 전극 간에 그 간격의 절반 두께의 유리판을 넣었다면 콘덴서의 용량은 약 몇 μF 인가? (단, 유리의 비유전율은 10이다.)
①
0.26
②
0.36
③
0.46
④
0.56
13.
기계적인 변형력을 가할 때, 결정체의 표면에 전위차가 발생되는 현상은?
①
볼타 효과
②
전계 효과
③
압전 효과
④
파이로 효과
14.
길이가 1cm, 지름이 5cm인 동선에 1A의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸리는 평균 시간은 약 몇 초인가? (단, 동선의 전자밀도는 1×1028[개/m3]이다.)
15.
두 개의 콘덴서를 직렬접속하고 직류전압을 인가시 설명으로 옳지 않은 것은?
①
정전용량이 작은 콘덴서에 전압이 많이 걸린다.
②
합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량의 합과 같다.
③
합성 정전용량은 각 콘덴서의 정전용량보다 작아진다.
④
각 콘덴서의 두 전극에 정전유도에 의하여 정ㆍ부의 동일한 전하가 나타나고 전하량은 일정하다.
16.
폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?
①
유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
②
렌츠의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
③
자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
④
전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
17.
한 변의 길이가 √2m인 정사각형의 4개 꼭짓점에 +10-9 C의 점전하가 각각 있을 때 이 사각형의 중심에서의 전위[V]는?
18.
그림과 같은 반지름 a인 무한장 평행도체 A, B가 간격 d로 놓여 있고, 단위 길이당 각각 +λ, -λ의 전하가 균일하게 분포되어 있다. A, B 도체 간의 전위차[V]는? (단, d ≫ a이다.)
19.
전계 E[V/m], 자계 H[AT/m]의 전자계가 평면파를 이루고, 자유공간으로 단위 시간에 전파될 때 단위 면적당 전력밀도[W/m2]의 크기는?
①
EH2
②
EH
③
1/2EH2
④
1/2EH
20.
면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기[V/m]는?
①
ρs/Є0
②
ρs/2Є0
③
ρs/2R
④
ρs/4πR2
21.
S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
①
발진하지 않는다.
②
점점 더 크게 발진한다.
③
지속 발진한다.
④
감쇠 진동한다.
22.
두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 틀린 것은?
①
K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
②
K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
③
K=1은 누설 자속이 전형 없는 경우이다.
④
결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.
23.
부하저항 RL에 최대 전력을 공급하려면 RL의 값은 몇 Ω 인가?
24.
(A)와 (B)회로는 가역정리(reciprocity theorem)가 성립할 경우 (A)회로에서 IL이 0.5A일 때, (B)회로의 전류 I는 몇 A 인가?
25.
그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 D 값은? (단, D는 단락 역방향 전류 이득이다.)
①
Z1
②
1
③
1/Z2
④
1+Z1/Z2
26.
임피던스가 인 2단자 회로에 직류전원 20A를 인가할 때 회로단자 전압은 몇 V 인가?
27.
다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은 몇 V 인가?
28.
4단자 정수 A, B, C, D 중에서 어드미턴스의 차원을 가진 정수는?
29.
자기 인덕턴스 L1, L2가 각각 5mH와 10mH인 두 코일이 이상 결합하였다면 상호 인덕턴스는 약 몇 mH 인가?
31.
공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?
①
전압과 전류가 45° 될 때이다.
②
역률이 0.5가 되는 상태이다.
③
공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
④
직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.
32.
그림과 같은 회로에서 특성 임피던스 Zo는 약 몇 Ω 인가?
①
3.24
②
4.88
③
5.24
④
6.24
33.
RC 저역 필터 회로의 전달 함수 G(s)는?
34.
저항과 커패시터를 병렬로 접속한 회로에 직류를 10V를 가하면 2A가 흐르고, 교류 30V를 가하면 10A가 흐른다. 이때, 용량성 리액턴스는 몇 Ω인가?
35.
전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
①
과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
②
시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
③
시정수와 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
④
시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.
36.
60Hz에서 5Ω의 리액턴스를 갖는 자기 인덕턴스 mH와 정전 용량 μF은 각각 얼마인가?
①
L=6, C=661
②
L=7, C=770
③
L=13, C=531
④
L=12, C=480
37.
다음과 같은 그림에서 부하 임피던스 ZL=RL+jXL 의 RL=400Ω은 고정시키고, XL만을 조정하여 부하 측으로 얻을 수 있는 최대 전력이 RL, XL을 모두 조정해서 얻는 부하 최대전력의 몇 %가 되는가?
38.
임의의 회로에서 유효전력이 40W이고, 무효전력이 30Var일 때 무효율은?
39.
의 역 라플라스 변환은?
①
e-at sin ωt
②
e-at cos ωt
③
eat cos ωt
④
eat sin ωt
40.
다음 회로에 관한 설명으로 틀린 것은?
①
캐패시턴스만의 회로에서는 전류가 기전력보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
②
인덕턴스마의 회로에서는 기전력은 전류보다 위상이 π/2[rad]만큼 앞선다.
③
저항만의 회로에서는 전류와 기전력은 동상이다.
④
저항 R과 인덕턴스 L이 직렬로 연결된 회로에서 전류는 기전력보다 앞선다.
41.
C급 전력증폭기의 효율은?
①
AB급보다 떨어진다.
②
A급, B급 또는 AB급보다 우수하다.
③
A보다 떨어진다.
④
B보다 떨어진다.
42.
다음 중 JK 플립플롭의 특성방정식으로 옳은 것은? (단, Q는 현재 상태(present state)이고 Q(t+1)은 다음 상태(next state)이다.)
43.
M/S 플립플롭은 어떠한 현상을 해결하기 위한 것인가?
①
Delay 현상
②
Race 현상
③
Set 현상
④
Toggle 현상
44.
주파수 변조에서 최대 주파수 편이가 60kHz이고 최대 변조 주파수가 6kHz라면 변조도는? (단, 변조지수는 8이다.)
45.
아래 회로의 주파수 특성과 가장 관계가 깊은 것은?
①
저대역 통과 필터(low pass filter)
②
고대역 통과 필터(high pass filter)
③
대역 통과 필터(band pass filter)
④
대역 제거 필터(notch filter)
46.
윈 브리지(Wien Bridge) 발진기의 특징 중 옳은 것은?
①
대형 중량이다.
②
출력 파형이 불안정하다.
③
주파수 변경이 양호하다.
④
발진 주파수가 불안정하다.
47.
다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
①
수정편은 압전기 현상을 가지고 있다.
②
수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.
③
발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.
④
수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.
48.
다음 회로에서 Ri=1MΩ이고, Rf=4MΩ일 때, 전압증폭도 Avf는?
49.
드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
①
소자의 경년변화
②
전원전압의 변화
③
주위온도의 변화
④
대역폭의 변화
50.
부귀환 증폭기회로의 특징으로 옳지 않은 것은?
①
이득이 증가한다.
②
입력 임피던스는 증가하고 출력 임피던스는 낮아진다.
③
증폭도의 안정성이 증가한다.
④
잡음, 왜곡이 감소된다.
51.
다음 그림 3-상태 출력 버퍼에서 출력(F)이 1인 경우의 입력은?
52.
다음의 진리표를 갖는 조합회로 구성으로 맞는 것은?
53.
증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
①
롤-오프(roll-off)
②
트랜지스터의 내부 커패시턴스
③
컷 오프 전압(cut-off voltage)
④
크로스 오버(cross over)
54.
다음과 같은 RC결합 증폭회로에서 전력 증폭도는 얼마인가? (단, hfe=50, hie=2kΩ 이다.)
①
0.95
②
1.25
③
1.50
④
1250
55.
3비트 2진 하향 카운터의 상태수가 8가지인 경우 JK플립플롭은 몇 개가 필요한가?
56.
연산증폭기의 전달함수 (G(s))의 V2(s)/V1(s)는?
57.
입력이 정현파일 때 그림의 회로는 무엇인가?
①
Schmitt trigger
②
Voltage doubler
③
Multivibrator
④
Miller sweep
58.
증폭기의 귀환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
①
부귀환을 걸어주면 대역폭을 넓힐 수 있다.
②
귀환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압귀환이라 한다.
③
귀환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬귀환이라 한다.
④
직렬귀환과 병렬귀환이 함께 사용된 것을 복합귀환일 한다.
59.
트랜지스터 정 특성에서 VCE=6V이고, IB를 600㎂~850㎂까지 변화시킬 때 VBE가 0.2V~0.3V의 변화를 하였다면 hie는 몇 Ω 인가?
①
250
②
400
③
30000
④
250000
60.
다음과 같은 멀티플렉서를 이용하여 구성한 조합논리회로가 나타내는 논리식을 SUM of Minterms 현태로 표시하면?
①
F=(A, B, C)=∑(1, 3, 5, 6)
②
F=(A, B, C)=∑(2, 4, 7)
③
F=(A, B, C)=∑(1, 3, 6)
④
F=(A, B, C)=∑(0, 2, 7, 8)
61.
1cm의 반도체에 1V를 인가했을 때 이동하는 캐리어 속도를 무엇이라고 하는가?
①
홀 계수
②
드리프트 속도
③
산란 속도
④
확산 속도
62.
다음 배리스터(Varistor)에 대한 설명 중 틀린것은?
①
비직선적인 전압, 전류특성을 갖는 2단자 반도체장치이다.
②
서지(surge) 전압에 대한 회로보호용 소자로 사용된다.
③
다이오드의 정류성을 이용한 것이다.
④
SiC의 분말과 점토를 혼합하여 소결한 것이다.
63.
접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)
①
이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
②
불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
③
베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
④
베이스 폭은 비교적 넓게 하고, 불순물은 많이 넣는다.
64.
균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린것은?
①
전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
②
전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
③
전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2[J]이다.
④
전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J] 이다.
65.
다음 반도체에 관한 설명 중 틀린 것은?
①
진성반도체에 불순물 인(P)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
②
페르미 준위가 금지대 중앙에 위치해 있으면 진성반도체이다.
③
페르미 준위가 전도대쪽에 가깝게 위치해 있으면 N형 반도체이다.
④
진성반도체에 불순물 갈률(Ga)을 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.
66.
전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량은 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)
①
5.82×1013[㎨]
②
1.62×1013[㎨]
③
5.93×1013[㎨]
④
1.75×1013[㎨]
67.
Fermi 준위에서의 Fermi-Dirac의 확률 분포함수 f(E)의 값은?
68.
균등자계(B) 내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
①
원운동의 주기는 변하지 않는다.
②
원운동의 주기는 2배가 된다.
③
원운동의 주기는 4배가 된다.
④
원운동의 주기는 8배가 된다.
69.
집적회로 내에서 전기적인 상호배선 사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?
①
이온주입공정
②
금속배선공정
③
산화공정
④
광사진식각공정
70.
수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1(-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지 준위 E2(-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)
①
1.2×105/sec
②
2.5×1015/sec
③
5.03×1016/sec
④
10.3×1022/sec
71.
금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
①
열전자 방출
②
냉음극 방출
③
2차 전자 방출
④
광전자 방출
72.
1Ω의 교류저항 성분을 가지는 PN 접합 다이오드가 상온에서 순방향으로 바이어스(Bias) 걸려 있을 때 흐르는 순방향 전류는 약 몇 A인가?
①
12×10-3
②
15×10-3
③
26×10-3
④
29×10-3
73.
음전하를 금속표면 근처에 가져오면 양전하가 금속에 유기되고, 이것으로 인한 영상력(image force)이 인가전계와 결합되면 일함수는 약간 감소하는데, 이와 같이 전위장벽이 저하하는 현상은?
①
Zener 현상
②
Piezo 효과
③
Schottky 효과
④
Webster 효과
74.
온도가 상승함에 따라 불순물 반도체의 페르미 준위는?
①
전도대 쪽으로 접근한다.
②
가전자대 쪽으로 접근한다.
③
변함없다.
④
금지대 중앙으로 접근한다.
75.
진성 반도체에서 온도가 상승할 때 나타나는 현상은?
①
반도체의 저항이 증가한다.
②
원자의 에너지가 증가한다.
③
정공이 전도대에 발생된다.
④
금지대가 감소한다.
76.
쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
①
금속과 금속의 접촉
②
금속과 반도체의 접촉
③
부도체와 반도체의 접촉
④
부도체와 부도체의 접촉
77.
캐리어의 확산 속도는? (단, 캐리어 밀도는 m, 거리는 x이다.)
①
dn(x)/dx에 비례
②
dn(x)/dx에 반비례
③
d2n(x)/dx2에 비례
④
d2n(x)/dx2에 반비례
78.
PN 접합에서 푸아송(Poisson) 방정식을 올바르게 나타낸 식은? (단, V:전압, I:전류, x:거리, ρ: 전하밀도, Є:유전율이다.
79.
일함수(work function)의 설명 중 틀린 것은?
①
금속의 종류에 따라 값이 다르다.
②
일함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
③
표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일함수라 한다.
④
전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
80.
PN 접합 다이오드의 공핍층(depletion layer)과 공일한 용어는?
①
금지대역
②
밴드갭(band gap)
③
천이영역(transition region)
④
전도대역
81.
연산 처리된 10진 데이터를 입ㆍ출력하기 위한 데이터 형식은?
①
8진수형태
②
10진수형태
③
UNPACK형태
④
PACK형태
82.
다음 용어에 따른 설명이 옳지 않은 것은?
①
문제분석 : 주어진 문제가 무엇인가를 분석한다.
②
알고리즘 : 분석된 문제에 대한 해결책을 논리에 맞게 표현한다.
③
코딩 : 알고리즘을 기호로 나타낸다.
④
문서화 : 프로그램을 차후에 유지 보수할 목적으로 이해하기 쉽게 문서화하여 보관한다.
83.
연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?
①
기억 기능
②
제어 기능
③
전달 기능
④
함수연산 기능
84.
다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?
①
부호기
②
반가산기
③
플립플롭
④
멀티플렉서
85.
CPU에서 트랜지스터 회로가 구현할 수 있는 기본 기능이 아닌 것은?
①
덧셈(adding)
②
디코딩(decoding)
③
시프팅(shifting)
④
카운팅(counting)
86.
보통의 마이크로프로세서 코드에서 오퍼랜드가 될 수 없는 것은?
①
데이터
②
데이터의 어드레스
③
명령코드
④
레지스터 이름
87.
조건에 따라 처리를 반복ㆍ실행하는 플로우차트의 기본형은?
88.
파일에 레코드 개수가 256개가 있다. 이진 검색으로 특정키를 검색할 때 최대 비교 횟수는?
89.
스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령형식과 가장 관계가 깊은 것은?
①
3-address
②
2-address
③
1-address
④
0-address
90.
CPU의 B 레지스터에 2의 보수 10101101 이 저장되어 있을 때 B 레지스터에 산술적 우측 시프트를 세 번 수행한 결과는?
①
11010110
②
00010101
③
11101011
④
11110101
91.
비트 슬라이스 마이크로프로세서를 구성하는 요소가 아닌 것은?
①
processor unit
②
main memory buffer
③
micro program sequencer
④
control memory
92.
마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?
①
CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 무조건 I/O 전송
②
CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 조건부 I/O 전송
③
I/O 장치 제어에 의한 인터럽트 방식
④
I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식
93.
어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
①
Compiler
②
Translator
③
Assembler
④
Language Decoder
94.
다음 중 CPU 성능에 중요한 영향을 미치는 요소가 아닌 것은?
①
클럭 주파수
②
명령어 집합의 복합성
③
병렬 처리
④
연산장치의 크기
95.
다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
96.
1-주소 명령 방식에 해당하는 CPU 구조는?
①
스택
②
단일 누산기
③
범용 레지스터
④
색인 레지스터
97.
1024×8 Bit ROM에 필요한 주소 및 데이터 핀의 수는 최소 몇 개인가?
98.
다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?
①
미들웨어
②
프리웨어
③
쉐어웨어
④
라이트웨어
99.
다음 회로에서 클록 신호가 0에서 1로 바뀔 때, S=0, R=1이면 출력은 얼마인가?
100.
입출력 채널에 대한 설명 중 잘못된 것은?
①
입출력 명령을 해독한다.
②
채널프로그램에 따라 입출력 장치를 지시 및 제어한다.
③
채널명령어(CCW)는 명령코드, 플래그, 데이터 어드레스, 데이터 크기로 구성된다.
④
CPU의 지시를 받아 입출력 동작을 수행한다.