전자기사

1. 정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 Єr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF이 되는가?

① 2

② 1/3

③ 4/3

④ 5/3

2. 공기 중에 있는 반지름 a(m)의 독립 금속구의 정전용량은 몇 F 인가?

① 2πЄ0a

② 4πЄ0a

3. 비오-사바르의 법칙에서 구할 수 있는 것은?

① 전하 사이의 힘

② 자하 사이의 힘

③ 전계의 세기

④ 자계의 세기

4. 무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)

① 무한직선 : ρL/2πЄ0, 무한평면도체 : ρs/Є

② 무한직선 : ρL/4πЄ0, 무한평면도체 : ρs/2πЄ0

③ 무한직선 : ρL/Є0, 무한평면도체 : ∞

④ 무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞

5. 전기쌍극자 모멘트 400πε0(Cㆍm)에 의한 점 r=10(m), θ=60°의 전계는 몇 V/m 인가?

① 0.87ar+0.1aθ

② 0.087ar+0.1aθ

③ 0.1ar+0.087aθ

④ 0.1ar+0.87aθ

6. 정전계에 관한 식 중 틀린 것은?

① 가우스 법칙의 적분 :

② 전계의 연속성 : div E=ρ

③ 라플라스 방정식 :

④ 포아송의 방정식 :

7. 길이 ℓ(m), 단면적 지름 d(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기(Wb)는?

① πd2J

② πdJ

③ 4J/πd2

④ πd2J/4

8. 그림과 같은 환상 솔레노이드에서 평균 반지름 r(m), 코일권수 N회에 I(A)의 전류를 흘릴 때 중심 O점의 자계의 세기 H(AT/m)는?

② 1

③ NI/2πr

④ NI/2πr2

9. 자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등자화되는 자성체에서의 관계로 옳은 것은?

① 투자율에 비례한다.

② 자화의 세기에 비례한다.

③ 감자율에 반비례한다.

④ 자계에 반비례한다.

10. 공기가 채워진 동축케이블에서 내원통의 반지름a, 외원통의 내반지름 b인 무한히 긴 동축원통 도체의 단위 길이당 정전용량은?

11. 비투자율 800, 원형단면적 10cm2, 평균 자로 길이 30 cm의 환상철심에 600회의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 이것에 1A의 전류를 흘리면 코일 내부의 자속은 몇 Wb 인가?

① 2.01×10-3

② 3.01×10-3

③ 4.01×10-3

④ 5.01×10-3

12. 평행한 왕복 두 도선 간에 전류가 흐르면 전자력은? (단, 두 도선 간의 거리를 r(m)라 한다.)

① 1/r에 비례, 반발력

② 1/r2에 비례, 반발력

③ r에 비례, 반발력

④ r2에 비례, 반발력

13. 전계의 세기 E=105 V/m의 균등전계 내에 놓여 있는 전자의 가속도(m/sec2)는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19 C, 전자의 질량 m=9.107×10-31 kg이다.)

① 1.759×1016

② 17.59×1016

③ 175.9×1016

④ 1759×1016

14. 100회 감은 코일에 코일당 자속이 2초 동안에 2Wb에서 1Wb로 감소했다. 이때 유기되는 기전력은 몇 V 인가?

① 20

② 50

③ 100

④ 200

15. 전계의 세기가 30 kV/m인 전계 내에 단위 체적당의 전기쌍극자 모멘트가 1 μC/m2인 물질이 있을 때, 이 물질 내의 전속밀도는 약 몇 μC/m2 인가?

① 1.266

② 1.566

③ 10.66

④ 12.66

16. 어떤 막대꼴 철심의 단면적이 0.5m2 길이가 0.8 m, 비투자율이 10이다. 이 철심의 자기저항(AT/Wb)은?

① 1.92×104

② 3.18×104

③ 6.37×104

④ 12.73×104

17. 누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단, C는 콘덴서의 정전용량, V는 전압이다.)

① 1/2CV2

② CV2

③ ∞

18. z＞0인 영역에는 비유전율 εs1=2인 유전체, z＜0인 영역에는 εs2=4인 유전체가 있으며 유전체 경계면에 전하가 없는 경우 E1=30ax+10ay+20az(V/m)일 때 εs2인 유전체 내에서 전계 E2(V/m)를 구하면? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)

① E2=15ax+10ay+20az

② E2=15ax+5ay+20az

③ E2=30ax+10ay+10az

④ E2=30ax+5ay+10az

19. 평등 자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?

① 길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드에 전류를 흘린다.

② 길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘린다.

③ 단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.

④ 단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선에 전류를 흘린다.

20. 그림과 같이 한 변의 길이가 a(m)인 정삼각형 회로에 전류 I(A)가 흐를 때, 삼각형의 중심에 있어서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?

① 9I/2πa

② 6I/2πa

③ 6I/4πa

④ I/4πa

21. 정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?

22. 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

① L1+L2

② L1+L2-2M

③ L1+L2+2M

④ L1+L2±√L1L2

23. 다음 그림에서 전달함수 는?

24. RC직렬 회로에서 일정한 전압 V1을 인가하여 장시간 지난 후 커패시터 C의 전압이 V1이 되었다면 저항 R에서 소비된 에너지는?

① 이다.

② 보다 크다.

③ 보다 작다.

④ 무한대가 될 수 있다.

25. 어떤 회로망의 4단자 정수가 A = 8, B = j2, D = 3 + j2이면 이 회로망의 C는?

① 3 - j4.5

② 4 + j6

③ 8 - j11.5

④ 24 + j14

26. 어떤 선형시스템의 전달함수가 일 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?

① e3t(t)

② 1/3(1-e3t)u(t)

③ 1/3(1-e-3t)u(t)

④ e-3tu(t)

27. 인덕턴스 40mA, 저항 10Ω의 직렬 회로 시정수는 몇 s 인가?

① 0.001

② 0.002

③ 0.003

④ 0.004

28. 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수(ABCD파라미터)가 옳은 것은?

29. 그림과 같은 인덕터 l의 초기전류가 i(0)일 때 라플라스 변환에 의해서 S의 함수로 표시되는 등가회로를 구하면?

30. 다음 회로에서 a, b 단자의 합성 저항은 몇 Ω 인가?

① 1.5

② 2.5

③ 3.34

④ 6.67

31. 그림과 같은 회로의 쌍대 회로는?

32. 라플라스 변환식 의 역변환은?

33. 그림과 같은 회로에 100V의 전압을 인가했을 때 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC는? (단, R=10Ω, ωL=10ω이다.)

① 10Ω

② 15Ω

③ 20Ω

④ 25Ω

34. 교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)

① 5.84/-90°

② 5.84/0°

③ 22/-90°

④ 22/0°

35. 그림과 같은 회로를 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 2초 후의 전류는?

① 3.2A

② 4.6A

③ 10/√5A

④ 6.3A

36. 그리과 같은 RC회로에 스텝 전압을 인가하면 출력 전압은? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않은 상태이다.)

① 아무것도 나타나지 않는다.

② 같은 모양의 스텝 전압이 나타난다.

③ 처음엔 입력과 같이 변했다가 지수적으로 감쇄한다.

④ 0부터 지수적으로 증가한다.

37. 그림 (a)와 같은 히스테리시스 곡선을 그리는 비선형 인덕터에 그림 (b)와 같은 전류를 흘릴 때, 그 양단에 나타나는 전압 파형은?

① 삼각파형

② 정현파

③ 구형파

④ 구형 펄스파

38. 회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0-)로 적절한 것은? (단, t<0에서 vC=3V이다.)

39. L1=20H, L2=7H인 전자 유도 결합 회로에서 결합계수 k=0.3일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 H인가?

① 1.55

② 2.55

③ 3.55

④ 4.55

40. 단위 계단함수 u(t)를 라플라스 변환하면?

① 1

② 1/s

③ s

④ ts

41. 발진기에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 펄스 발진기는 비정형파 발진기이다.

② 직류를 교류로 변환시키는 기기라 생각할 수 있다.

③ 입력신호 없이는 자체적으로 주기적인 신호를 발생시킬 수 없다.

④ 출력을 증가시키는 방향에서 볼 때 입력으로 귀환되는 정귀환 방식이다.

42. 하이브리드 π모델에서 rbb=100Ω, rbe=1kΩ, Cre=100pF일 때 CE 차단주파수 fβ의 값은? (단, Ce≫Cc이다.)

① 1.2MHz

② 1.6MHz

③ 2.4MHz

④ 3.2MHz

43. 그림과 같은 회로의 명칭은?

① Trigger 회로

② Clamper 회로

③ Slicer 회로

④ Clipper 회로

44. B급 증폭기의 최대효율은 약 얼마인가?

① 25%

② 50%

③ 79%

④ 100%

45. 다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?

① τ/B

② E/B

③ τ/T

④ E/T

46. 다음 회로에서 연산증폭기의 (+)입력단자와 (-)입력단자의 전위는? (단, Vin=5V, R1=10kΩ, R2=5kΩ, RL=1kΩ)

① 0V

② 1V

③ 2.5V

④ 5V

47. 슈미트 트리거(Schmidt trigger) 회로의 용도에 대한 설명으로 틀린 것은?

① D/A 변환회로로 사용된다.

② 구형파 펄스 발생회로로 사용한다.

③ 잡음 등에 의한 오동작을 방지하기 위하여 사용된다.

④ 트랜지스터 또는 OP amp의 부품을 이용하여 회로를 구성하여 사용한다.

48. FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 곱을 작게 하려면?

① gm을 작게 한다.

② μ를 크게 한다.

③ 부하저항을 크게 한다.

④ 분포된 정전용량을 작게 한다.

49. 연산증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 귀환저항이 개방되면 출력이 심하게 잘리는(Clipping) 현상이 발생한다.

② 전압 플로워는 높은 임피던스와 가장 낮은 임피던스를 가진다.

③ 입력 바이어스 전류효과는 내부저항으로 보상할 수 있다.

④ 폐루프 전압이득은 항상 개루프 전압이득보다 크다.

50. RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?

① 대역폭이 너무 넓다.

② 중역특성이 좋지 않다.

③ 저역특성이 좋지 않다.

④ 고역특성이 좋지 않다.

51. 그림과 같은 회로를 무슨 회로라 부르는가?

① 블록킹 발진회로

② 비안정 멀티바이브레이터

③ 단안정 멀티바이브레이터

④ 쌍안정 멀티바이브레이터

52. 12비트 연속근사 A/D 변환기가 1MHz의 클럭 주파수에 의해 구동된다고 할 때 총 변환시간은?

① 0.12μs

② 0.42μs

③ 12μs

④ 24μs

53. A급 전력증폭기에서 VCEQ=12V이고, ICQ=12mA이면, 최대 신호의 출력전력은? (단, 입력 신호가 없을 때의 트랜지스터의 전력소모일 때로 가정한다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

① 1.2W

② 2.4W

③ 6W

④ 12W

54. 다음 회로에서 β=100, IREF=1mA일 때, 전류 I1, I2, I3는 약 몇 mA인가? (단, Q1~Q8의 크기는 모두 같다.)

① 0.019, 0.038, 0.057

② 0.0481, 0.962, 1.443

③ 0.7, 1.4, 2.1

④ 1, 2, 3

55. C급 전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 출력파형이 심하게 일그러진다.

② 180° 미만에서 도통될 수 있도록 바이어스 한다.

③ 고주파 동조증포긱에만 한정적으로 응용된다.

④ 입력주기의 긴 기간 동안 도통되므로 전력 손실이 크다.

56. 트랜지스터 증폭회로의 전류증폭도 Ai=50, 전압증폭도 Av=200 이라고 할 때 전력 증폭도는?

① 10dB

② 20dB

③ 30dB

④ 40dB

57. 증가형 MOSFET(E-MOSFET)의 전달 특성을 나타낸 식으로 옳은 것은? (단, VGS(off)는 차단전압, VGS(th)는 임계전압, IDSS는 VGS=0일 때의 드레인 전류, K는 상수)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

58. 트랜지스터의 밀러(Miller) 입력 용량 성분에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 트랜지스터의 fT가 크면 증가한다.

② 트랜지스터의 부하 저항 값이 커지면 증가한다.

③ 트랜지스터의 α차단 주파수가 증가하면 증가한다.

④ 트랜지스터의 베이스 분포 저항이 증가하면 매우 증가한다.

59. 다음 회로에서 입력과 접지사이의 실효 커패시턴스(Cin)를 나타내는 식으로 옳은 것은? (단, 반전 증폭기라고 가정한다.)

60. 다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?

① NAND

② NOR

③ AND

④ NOT

61. 3극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?

① 다이오드

② pnp 트랜지스터

③ n형 JFET

④ SCR

62. 광전효과(photo electric effect)를 설명한 것으로 틀린 것은?

① 임계주파수보다 높은 주파수의 빛이라 하더라도 일정량 이상의 빛의 세기로 조사해야만 광전자 방출이 있다.

② 빛의 세기를 크게 하여도 방출된 전자의 운동에너지는 증가하지 못하고 전자방출의 수만 증가하게 된다.

③ 어떠한 금속에서도 각각의 특유한 임계주파수가 있기 때문에 이 이상일 때만 광전자 방출이 있다.

④ 방출된 전자의 운동 에너지는 조사된 빛의 주파수에 비례한다.

63. 애버랜치 항복에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 바이어스에 따른 공간전하 영역의 크기 변화에 기인한다.

② 불순물 농도가 매우 높은 PN 접합에서 잘 일어난다.

③ 전자의 터널 효과에 의한 현상이다.

④ 높은 에너지를 갖는 캐리어의 충돌에 의해 가속된다.

64. 트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 컬렉터 전압 VCB가 증가함에 따라 베이스 중성 영역의 폭이 줄어든다

② 베이스 폭의 감소는 베이스 영역의 소수 캐리어 농도의 기울기를 증대시킨다.

③ 컬렉터 역바이어스의 증가에 따라 이미터 전류와 컬렉터 전류가 감소한다.

④ 베이스 폭이 감소하면 전류증폭률 α가 증대한다.

65. 광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?

① Zener 효과

② Hall 효과

③ Edison 효과

④ Compton 효과

66. 운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10m/s인 경우 그 전의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍs],전자의 질량 m=9.1×10-31[kg]이다.)

① 2.69×104 m/s

② 2.69×105 m/s

③ 2.69×106 m/s

④ 2.69×107 m/s

67. JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 저항성 영역에서는 채널저항이 거의 일정하다.

② 저항성 영역에서는 공간전하층이 매우 좁다.

③ 항복영역에서는 VDS를 크게 증가시키면 ID가 급격히 증대한다.

④ 포화영역에서는 VDS가 어느 정도 증대되면 채널저항이 급격히 감소된다.

68. 두 종류의 금속을 접촉했을 때 생기는 접촉 전위차의 극성으로 옳은 것은?

① 일함수가 작은 금속이 양, 큰 금속이 음의 극성을 갖는다.

② 일함수가 작음 금속이 음, 큰 금속이 양의 극성을 갖는다.

③ 페르미 준위가 낮은 금속이 양, 높은 금속이 음의 극성을 갖는다.

④ 금속 간에는 극성이 발생하지 않는다.

69. 이미터 접지 증폭회로에서 베이스 전류를 10μA에서 20μA로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β=100이다.)

① 1mA

② 10mA

③ 100mA

④ 1A

70. 300[eV]로 가속된 전자가 0.01Wb/m2인 균등한 자계 중에 자계의 방향과 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e=1.602×10-19[C], 전자의 질량 m=9.106×10-31[kg]이다.)

① 약 5.84×10-3[m]

② 약 5.84×10-2[m]

③ 약 2.02×10-2[m]

④ 약 2.02×10-3[m]

71. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비선형적 관계를 이용하는 소자인가?

① 전류와 전압

② 전류와 온도

③ 전압과 정전용량

④ 주파수와 정전용량

72. 페르미 디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 고체 내의 전자는 Pauli의 배타 원리의 지배를 받는다.

② 대부분의 전자는 이 분포의 저 에너지역에 존재한다.

③ 금속의 경우 온도에 거의 무관하다.

④ 도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.

73. 확산 전류 밀도에 관한 설명으로 옳은 것은?

① 농도의 기울기(gradient)에만 의존한다.

② 농도의 기울기와 이동도에 의존한다.

③ 확산계수에만 의존한다.

④ 이동도에만 의존한다.

74. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수이다.)

① P=λh

② P=h/λ

③ P=λ/h

④ λ=1/Ph

75. n형 반도체의 Hall 계수는? (단, N은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, T는 절대온도, A는 상수이다.)

② -AnqT

76. 불순물 반도체의 페르미 준위에 대한 설명 중 옳은 것은?

① p형 반도체의 페르미 준위는 금지대 중앙보다 높은 곳에 위치한다.

② 온도가 증가할수록 금지대 중앙으로 접근한다.

③ p형 반도체의 페르미 준위는 도너 준위와 일치한다.

④ 절대온도 0[K]에서 페르미 준위보다 높은 에너지 준위에서 f(E)=1이다.

77. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라고 하는가?

① 열적 평형

② 확산(diffusion)

③ 수명시간(life time)

④ 재결합(recombination)

78. 억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?

① 갈륨(Ga)

② 인듐(In)

③ 비소(As)

④ 붕소(B)

79. 글로우 방전관의 방전을 안정하게 유지하기 위하여 전원전압 E, 전류 I, 안정저항 R과 관전압 V 사이에 성립하는 관계식은?

① V = IR - E

② V = E - IR

③ V = IR + E

④ V = E -I/R

80. 정지하고 있는 질량이 m인 전자를 V[V]의 전위차로 가속시킬 때 전자의 속도(v)를 구하는 식은?

81. 다음 중 프로그래머가 사용 가능한 레지스터는?

① 메모리 주소 레지스터(Memory Address Register)

② 메모리 버퍼 레지스터(Memory Buffer Register)

③ 스택 포인터(Stack Pointer)

④ 명령어 레지스터(Instruction Register)

82. 데이터를 연산할 때 스택(stack)만 사용하는 명령은?

① 0-주소 명령

② 1-주소 명령

③ 2-주소 명령

④ 3-주소 명령

83. 다음의 C 프로그램은 무엇을 입력한 것인가?

① 실수입력

② 정수입력

③ 문자열입력

④ 문자입력

84. MPU(micro processing unit)의 처리방식에서 RISC(reduced instruction set computer)의 설명 중 옳지 않은 것은?

① 복잡한 명령을 갖는 프로세서에 비하여 명령수가 적다.

② 하드웨어 실현효율의 최적화가 용이하다.

③ 명령 set의 간략화가 가능하므로 고집적화에 유리하다.

④ 비교적 복잡한 명령 set를 선택하고 있어 고속 동작이 어렵다.

85. 다음 karnaugh도에 의한 논리식은?

① A

② B

③ AB

④ A+B

86. 순서도의 기호 중에서 다음 기호가 나타내는 것은?

① 판단

② 처리

③ 터미널

④ 입ㆍ출력

87. 어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대번지 대신에 간단한 기호 및 명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?

① self address

② symbolic address

③ relative address

④ symbolic relative address

88. 다음 설명 중 옳은 것은?

① 10진수 72의 ″9의 보수″는 27이고, ″10의 보수″는 28이다.

② 10진수 72의 ″9의 보수″는 28이고, ″10의 보수″는 27이다.

③ 2진수 1010의 ″1의 보수″는 0101이고, ″2의 보수″는 0100이다.

④ 2진수 1010의 ″1의 보수″는 0110이고, ″2의 보수″는 0101이다.

89. 다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?

① 1K × 4 bit DRAM

② 8K × 4 bit DRAM

③ 4K × 1 bit DRAM

④ 64K × 8 bit DRAM

90. 다중처리(multi-processing) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?

① 주기억장치를 여러 개의 CPU가 공유하여 동시에 사용할 수 있다.

② 여러 개의 CPU 중에 한 쪽의 CPU가 고장이 날 경우 다른 쪽의 CPU를 이용하여 업무처리를 계속할 수 있다.

③ CPU를 두 개 이상 두고 동시에 여러 프로그램을 수행할 수 있다.

④ 두 개 이상의 CPU가 각자의 업무를 분담하여 처리할 수 없다.

91. 주소 설계 시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?

① 주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.

② 주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.

③ 사용자가 사용하기 편리해야 한다.

④ .캐시 메모리가 있어야 한다.

92. 중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?

① 제어장치

② 연산장치

③ 입력장치

④ 기억부(register)

93. 캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?

① 세트-어소시에티브 매핑

② 어소시에티브 매핑

③ 직접 매핑

④ 간접 매핑

94. 다음 마이크로 오퍼레이션이 나타내는 기능은? (단, SP : Stack Pointer, MAR : Memory Address Register, M[addr] : Memory)

① ADD

② PUSH

③ RET(return)

④ LOAD

95. 인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원 등의 용인에 의해 발생되는 인터럽트는?

① 기계 인터럽트

② 외부 인터럽트

③ 내부 인터럽트

④ 소프트웨어 인터럽트

96. 지정 어드레스로 분기한 후에 그 명령으로 되돌아오는 명령은?

① 비교 명령

② 조건부 분기 명령

③ 서브루틴 분기 명령

④ 강제 인터럽트 명령

97. 다음은 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?

① a : 0, b : 0, c : 0

② a : 1, b : 0, c : 0

③ a : 1, b : 0, c : 1

④ a : 0, b : 0, c : 1

98. 계산기 구조에서 기억장치에 RAM을 사용함으로써 계산기에 프로그램 하는데 미치는 영향 중 틀린 것은?

① 프로그램과 자료는 수행되는 순서대로 기억시켜 놓을 필요가 없다.

② 프로그램이 같은 자료를 여러 번 반복하여 이용한다면 이들을 그 사용한 횟수만큼 기억시킬 필요가 없다.

③ BRANCH, 조건부 BRANCH, SUBROUTINE의 사용이 가능하다.

④ 프로그램 중에서 명령어군과 데이터군의 순서는 반드시 명령어군이 선두에 있어야 한다.

99. 사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?

① ROM

② PROM

③ EPROM

④ EEPROM

100. 16진수 CAF.28을 8진수로 고치면?

① 6255.62

② 6255.52

③ 6257.32

④ 6257.12

답 안 지

정 답 표

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