전자기사

1. 반지름이 0.01[m]인 구도체를 접지시키고 중심으로부터 0.1[m]의 거리에 10[μC]의 점전하를 놓았다. 구도체에 유도된 총 전하량은 몇 인가 [C]인가?

② -1

③ -10

④ 10

2. 그림과 같은 손실 유전체에서 전원의 양극 사이에 채워진 동축케이블의 전력손실은 몇 [W]인가? (단, 모든 단위는 MKS 유리화 단위이며, σ는 매질의 도전율[S/m]이라 한다.)

3. 어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 V(x, y)=1/x+2xy2이라고 할 때, 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도(ρ)는 약 몇 [pC/m3]인가?

① -20

② -40

③ -160

④ -320

4. 자기인덕턴스 L[H]인 코일에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 코일에 축적되는 에너지 W[J]와 전류 I[A] 사이의 관계를 그래프로 표시하면 어떤 모양이 되는가?

① 포물선

② 직선

③ 원

④ 타원

5. 전기력선의 성질로서 틀린 것은?

① 전하가 없는 곳에서 전기력선의 발생, 소멸이 없다.

② 전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 되는 일은 없다.

③ 전기력선은 등전위면과 수직이다.

④ 전기력선은 도체내부에 존재한다.

6. 구도체에 50[μC]의 전하가 있다. 이때의 전위가 10[V]이면 도체의 정전용량은 몇 [μF]인가?

① 3

② 4

③ 5

④ 6

7. 내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?

① 강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질

② 강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질

③ 비투자율이 1보다 작은 역자성체

④ 비투자율이 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질

8. 공기콘덴서의 고정 전극판 A와 가동 전극판 B간의 간격이 d=1[mm]이고 전계는 극면간에서만 균등하다고 하면 정전용량은 몇 [μF]인가? (단, 전극판의 상대되는 부분의 면적은 S[m2]라 한다.)

① S/9π

② S/18π

③ S/36π

④ S/72π

9. 단면적 4[cm2]의 철심에 6×10-4[Wb]의 자속을 통하게 하려면 2800[AT/m]의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은?

① 43

② 75

③ 324

④ 426

10. 정전용량 0.06[μF]의 평행판 공기콘덴서가 있다. 전극판 간격의 1/2 두께의 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 공기부분의 정전용량과 유리판 부분의 정전용량을 직렬로 접속한 콘덴서가 된다. 유리의 비유전율을 εs=5라 할 때 새로운 콘덴서의 정전용량은 몇 [μF]인가?

① 0.01

② 0.05

③ 0.1

④ 0.5

11. 무한장 솔레노이드의 외부 자계에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 솔레노이드 내부의 자계와 같은 자계가 존재한다.

② 1/2π의 배수가 되는 자계가 존재한다.

③ 솔레노이드 외부에는 자계가 존재하지 않는다.

④ 권회수에 비례하는 자계가 존재한다.

12. 자속밀도 10[Wb/m2] 자계 중에 10[cm] 도체를 자계와 30°의 각도로 30[m/s]로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 [V]인가?

① 15

② 15√3

③ 1500

④ 1500√3

13. 진공 중에서 e[C]의 전하가 B[Wb/m2]의 자계 안에서 자계와 수직방향으로 v[m/s]의 속도로 움직일 때 받는 힘(N)은?

② μ0evB

③ evB

14. 맥스웰의 방정식과 연관이 없는 것은?

① 패러데이 법칙

② 쿨롱의 법칙

③ 스토크의 법칙

④ 가우스 정리

15. 두 유전체의 경계면에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 두 유전체의 경계면에 전계가 수직으로 입사하면 두 유전체내의 전계의 세기는 같다.

② 유전율이 작은 쪽에서 큰 쪽으로 전계가 입사할 때 입사각은 굴절각보다. 크다.

③ 경계면에서 정전력은 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 작용한다.

④ 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 전계가 경계면에 수직으로 입사할 때 유전율이 작은 쪽의 전계의 세기가 작아진다.

16. 규소강판과 같은 자심재료의 히스테리시스 곡선의 특징은?

① 히스테리시스 곡선의 면적이 적은 것이 좋다.

② 보자력이 큰 것이 좋다.

③ 보자력과 잔류자기가 모두 큰 것이 좋다.

④ 히스테리시스 곡선의 면적이 큰 것이 좋다.

17. 전자파가 유전율과 투자율이 각각 ε1과 μ1인 매질에서 ε2와 μ2인 매질에 수직으로 입사할 경우, 입사전계 E1과 입사자계 H1에 비하여 투과전계 E2와 투과자계 H2의 크기는 각각 어떻게 되는가?

① E2, H2 모두 E1, H1에 비하여 크다.

② E2, H2 모두 E1, H1에 비하여 적다.

③ E2는 E1에 비하여 크고, H2는 H1에 비하여 적다.

④ E2는 E1에 비하여 적고, H2는 H1에 비하여 크다.

18. 전자계에 대한 맥스웰의 기본 이론이 아닌 것은?

① 전하에서 전속선이 발산된다.

② 고립된 자극은 존재하지 않는다.

③ 변위전류는 자계를 발생하지 않는다.

④ 자계의 시간적 변화에 따라 전계의 회전이 생긴다.

19. 자유공간에서 정육각형의 꼭짓점에 동량, 동질의 점전하 Q가 각각 놓여 있을 때 정육각형 한 변의 길이가 a라 하면 정육각형 중심의 전계의 세기는?

① Q/4πЄ0a2

② 3Q/2πЄ0a2

③ 6Q

20. 전류 I[A]가 흐르고 있는 무한 직선 도체로부터 r[m]만큼 떨어진 점의 자계의 크기는 2R[M]만큼 떨어진 점의 자계의 크기는 몇 배인가?

① 0.5

② 1

③ 2

④ 4

21. 다음 그림과 같은 이상 변압기의 권선비는?

22. 무부하 전압이 220[V]이고 정격 전압이 200[V], 정격 출력이 5[kW]인 직류발전기의 내부저항은?

① 0.2[Ω]

② 0.4[Ω]

③ 0.6[Ω]

④ 0.8[Ω]

23. 그림과 같은 주기성을 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?

① √2[A]

② 2[A]

③ 3[A]

④ 4[A]

24. 그림의 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 [H]인가? (단, R=20[Ω], C=200[μF]이다.)

① 0.08

② 0.8

③ 1

④ 10

25. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?

① 20[kVar]

② 40[kVar]

③ 60[kVar]

④ 80[kVar]

26. 권선비 n:1인 결합회로에서 구동 임피던스는?

① Zin = nZL

② Zin = n2ZL

③ Zin = n2/ZL

④ Zin = n/ZL

27. 다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?

28. 다음을 역 Laplace로 변환하면?

① cos3t

② sin3t

③ sin9t + cos9t

④ sin3t + cos3t

29. 어떤 회로의 피상전력이 20[kVA]이고 유효전력이 15[kW]일 때 이 회로의 역률은?

① 0.9

② 0.75

③ 0.6

④ 0.45

30. R-L-C 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?

① 공진 회로의 특성으로 나타난다.

② 용량성 회로의 특성으로 나타난다.

③ 저항성 회로의 특성으로 나타난다.

④ 유도성 회로의 특성으로 나타난다.

31. 단위 임펄스 δ(t)의 라플라스 변환은?

① 1

② 1/S

③ S

④ 1/S2

32. 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

① 60[Hz]

② 120[Hz]

③ 311[Hz]

④ 377[Hz]

33. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

① 원점을 지나는 원

② 원점을 지나는 직선

③ 원점을 지나지 않는 원

④ 원점을 지나지 않는 직선

34. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=2τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?

① 86[%]

② 73[%]

③ 95[%]

④ 100[%]

35. 공급 전압이 100[V]이고, 회로에 전류가 10[A]가 흐른다고 할 때 이 회로의 유효전력은 몇 [W]인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)

① 125√3[W]

② 245√3[W]

③ 500√3[W]

④ 750√3[W]

36. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?

37. RC 직렬회로에서 t=RC일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?

① 13.5

② 36.7

③ 63.3

④ 86.5

38. R=80[Ω], XL=60[Ω]인 R-L 병렬회로에 V=220∠45°[V]의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

① 36.7∠45°[A]

② 5.75∠90°[A]

③ 36.7∠-45°[A]

④ 5.75∠-90°[A]

39. 그림과 같은 4단자 회로망에서 출력측을 개방하니 V1=15, I1=2, V2=5이고, 출력측을 단락하니 V1=18, I1=6, I2=3이었다. A, B, C, D는?

① A=3, B=8, C=0.5, D=2

② A=2, B=3, C=8, D=0.5

③ A=3, B=6, C=0.4, D=2

④ A=0.5, B=2, C=3, D=8

40. 다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?

41. 다음 정전압회로에서 입력전압이 18[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?

① 20[Ω]

② 64[Ω]

③ 126[Ω]

④ 200[Ω]

42. IDSS = 25[mA], VGS(off) = 15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS = 5[V]이다.)

① 100[Ω]

② 270[Ω]

③ 450[Ω]

④ 510[Ω]

43. B급 전력 증폭기의 최대 컬렉터 효율[%]은 얼마인가?

① 28.5[%]

② 58.5[%]

③ 78.5[%]

④ 98.5[%]

44. 다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드이다.)

① 구형파형

② 여현파형

③ 삼각파형

④ 톱니파형

45. 다음 중 부궤환에 의한 출력임피던스 변화에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 전압 직렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.

② 전압 병렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.

③ 전류 직렬 궤환시 출력임피던스는 감소한다.

④ 전류 병렬 궤환시 출력임피던스는 증가한다.

46. 다음 회로의 다이오드 D1과 D2의 상태로 적절한 것은? (단, D1과 D2는 이상적인 다이오드이다.)

① D1 : OFF, D2 : OFF

② D1 : OFF, D2 : ON

③ D1 : ON, D2 : OFF

④ D1 : ON, D2 : ON

47. 다음과 같은 1[MHz]의 수정발진기 출력을 펄스 정형회로(Pulse shaper)를 거쳐 구형파로 바꾼 후 250[Hz]의 클럭 주파수를 만들고자 한다. 블록 A에 카운터를 설계하여 분주하는 경우 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?

① 10개

② 11개

③ 12개

④ 13개

48. FM 변조 방식에서 변조지수가 6이고, 신호 주파수가 10[kHz]일 때 점유주파수 대역폭은 몇 [kHz]인가?

① 60[kHz]

② 70[kHz]

③ 120[kHz]

④ 140[kHz]

49. 집적회로의 종류 중 능동소자에 의한 분류에서 바이폴라 소자에 포함되지 않는 것은?

① TTL

② HTL

③ DTL

④ CMOS

50. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]이라면 안정도 계수 S는?

① 1

② 2.2

③ 4.2

④ 6.3

51. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?

① 조정이 어렵다.

② 변조효율이 좋다.

③ 대전력 송신기에 적합하다.

④ 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

52. 지연시간이 80[ns]인 플립플롭을 사용한 5단의 리플 카운터의 최고 동작주파수는 몇 [MHz]인가?

① 12.5[MHz]

② 2.5[MHz]

③ 5[MHz]

④ 10[MHz]

53. 듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1이고, 주기가 30[μs]인 펄스의 폭은 몇 [μs]인가?

① 0.3[μs]

② 1[μs]

③ 3[μs]

④ 10[μs]

54. 다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

① 수정편은 압전기 현상을 가지고 있다.

② 수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.

③ 발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.

④ 수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.

55. 다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf 양단에 걸리는 전압 Vf=(25000 If2+50 If+3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 Vo는?

① -3[V]

② -3.2[V]

③ -4.1[V]

④ -5.8[V]

56. fT가 125[MHz]인 트랜지스터가 중간 주파수 영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 몇 [MHz]인가?

① 3.5[MHz]

② 6.25[MHz]

③ 9.45[MHz]

④ 12.5[MHz]

57. 다음 부궤환 연산증폭기 회로에서 궤환율 β는?

58. 다음 그림에서 K=60이다. 이 궤환시스템의 폐루프 이득(closed loop gain)은 얼마인가?

① 6

② 12

③ 20

④ 48

59. 다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

① 감소한다.

② 증가한다.

③ hoe배가 된다.

④ 변화가 없다.

60. 트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 151.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정도 계수 S는?

① 2.5

② 3.2

③ 4

④ 5

61. Fermi-Dirac 분포와 Maxwell 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① Fermi-Dirac 분포는 고체 내의 전자에너지 및 속도 분포에 관한 것이다.

② Maxwell의 속도 분포 법칙은 기체의 분자에 대한 것이다.

③ Fermi-Dirac의 분포와 기체에 관한 Maxwell 분포의 차이는 기체 분자의 에너지가 양자화 되어 있기 때문이다.

④ 만일 전자의 에너지가 양자화 되어 있지 않다면 Fermi-Dirac 분포의 최대는 Maxwell 기체의 30000K에서의 최확치에 해당될 것이다.

62. 인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?

① 광기전력 효과

② 광도전 효과

③ 광전자 방출 효과

④ 루미네센스 효과

63. 다음 중 터널다이오드(Tunnel Diode)의 V-I 특성을 나타낸 것은?

64. 전계의 세기가 E=100[V/m]인 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는? (단, 전하량 : 1.602×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다.)

① 5.82×1013[m/s]

② 1.62×1013[m/s]

③ 5.93×1013[m/s]

④ 1.75×1013[m/s]

65. 수소 원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지준위 E1(=-5.14×10-12[erg]) 상태에서, 에너지준위 E2(=-21.7×10-12[erg]) 상태로 천이될 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 h=6.63×10-27[ergㆍsec]이다.)

① 1.2×105/sec

② 2.5×1015/sec

③ 5.03×1016/sec

④ 10.3×1022/sec

66. 다이오드 불순물의 농도가 영향을 주는 요소가 아닌 것은?

① 유지전류

② 접촉전위차

③ 직렬저항

④ 항복전압

67. Fermi 준위 E=EF에서의 Fermi-Dirac의 확률 함수 f(E)의 값은?

① 1/3

② 1/2

③ 1

④ 2

68. 일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 옳지 않은 것은?

① 구조가 간단하다.

② 소비전력이 적다.

③ 고속 스위칭 동작에 적합하다.

④ 높은 집적도의 집적회로에 적합하다.

69. 정상 동작 상태로 바이오스된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?

① 확산 전류

② 정공 전류

③ 트리프트 전류

④ 베이스 전류와 같다.

70. 다음 중 직접 재결합은?

① 전자가 직접 정공을 채우는 것

② 재결합 중심을 중계로 일어나는 것

③ 결정 표면에서 전자와 정공이 결합하는 것

④ 재결합 대상이 가까이 올 때까지 강하게 구속되는 것

71. MOSFET의 전류-전압특성 곡선이 다음 그림과 같은 기울기를 갖는 이유는?

① MOSFET가 선형영역에서 동작하기 때문이다.

② MOSFET가 항복영역에서 동작하기 때문이다.

③ 채널길이 변조효과 때문이다.

④ 채널폭 변조효과 때문이다.

72. 온도가 상승하면 불순물 반도체의 페르미 준위는?

① 전도대 쪽으로 접근한다.

② 가전대 쪽으로 접근한다.

③ 금지대 중앙에 위치한다.

④ 금지대 중앙으로 접근한다.

73. 이미터 전류를 1[mA] 변화시켰더니 컬렉터 전류의 변화량이 0.98[mA]이었다. 이 트랜지스터의 전류 증폭률 β는?

① 98

② 99

③ 48

④ 49

74. 홀(Hall) 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?

① 캐리어의 종류만을 구할 수 있다.

② 캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.

③ 캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.

④ 캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.

75. 접합형 전계효과 트랜지스터의 핀치오프 상태에 대한 설명으로 적합하지 않는 것은?

① 드레인 전류가 최대가 되는 상태

② 채널의 저항이 최대가 되는 상태

③ 채널의 단면적이 최소가 되는 상태

④ 채널이 끊기는 상태

76. 공간전하영역이 반도체내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?

① 반도체 내의 전하밀도가 매우 크기 때문에

② 공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문에

③ 금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문에

④ 공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문에

77. 9.5×104[m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24[kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Jㆍs]이다.)

① 2.08×10-15[m]

② 4.17×10-15[m]

③ 3.48×10-16[m]

④ 7.25×10-16[m]

78. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 확산계수와는 무관하다.

② 캐리어의 이동도에만 관계있다.

③ 캐리어의 수명시간에만 관계있다.

④ 캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.

79. 열전자를 방출하고 있는 금속 표면에 전기장을 가하면 전자방출 효과가 증가하는 현상을 무엇이라 하는가?

① 지백 효과(Seeback effect)

② 톰슨 효과(Thomson effect)

③ 펠티어 효과(Peltier effect)

④ 쇼트키 효과(Schottky effect)

80. 어느 열음극의 일함수(work function)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?

81. 2의 보수로 표현된 값들이 A, B 레지스터에 저장되어 있다. 산술적 비교를 하였을 경우 옳은 것은? (단, 16진수임)

① A가 크다.

② B가 크다.

③ A와 B가 같다.

④ 비교 불능

82. 데이터를 디스크에 분산하여 저장하는 기술을 무엇이라 하는가?

① 디스크 인터리빙

② 세그멘트

③ 블록킹

④ 페이징

83. 어셈블리 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?

① 기계어를 사람이 이해할 수 있도록 만든 저급 수준의 언어이다.

② 컴퓨터 하드웨어에 대한 충분한 지식이 없어도 프로그램을 작성하기가 용이하다.

③ 각 컴퓨터는 시스템별로 고유의 어셈블리 언어를 갖는다.

④ 하드웨어와 밀접한 관계를 갖고 있으므로 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.

84. 인터럽트가 발생하였을 때 반드시 저장할 필요가 없는 것은?

① 프로그램의 크기

② 프로그램 카운터의 값

③ 프로세서의 상태 조건 값

④ 프로세서 내의 레지스터 내용

85. 컴퓨터가 8비트 정수 표현을 할 때, 10진수 -25를 부호와 2의 보수로 표현하면?

① 01100110

② 11100111

③ 01100111

④ 11100110

86. 8×1 멀티플렉서를 만들려면 몇 개의 2×1 멀티플렉서가 필요한가?

① 8

② 7

③ 5

④ 4

87. 주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?

① 직접 주소(direct addressing)

② 즉각 주소(immediate addressing)

③ 간접 주소(indirect addressing)

④ 상대 주소(relative addressing)

88. 마이크로프로세서의 속도를 프린터와 맞추기 위한 방법으로 마이크로프로세서와 입ㆍ출력장치를 동기화시키는 입ㆍ출력 제어방식은?

① decoding method

② spooling

③ daisy chain

④ handshaking

89. 프로그램카운터와 명령어주소가 더해져서 유효주소가 결정되는 주소 지정 방식은?

① 상대 주소 모드

② 직접 주소 모드

③ 인덱스 레지스터 주소 모드

④ 베이스 레지스터 주소 모드

90. Stack 구조에 대하여 올바르게 설명한 것은?

① 1-주소지정 방식

② 서브루틴 호출 수 Return 주소를 저장하기 위한 메모리

③ FIFO 구조

④ PUSH 명령에 의해서 데이터를 꺼낸다.

91. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?

① 스택

② 벡터 인터럽트

③ 폴링

④ 핸드쉐이킹

92. 기억장치의 성능을 좌우하는 것이 아닌 것은?

① 접근시간

② 내부버스

③ 기억용량

④ 비트가격

93. C언어에서 사용하는 논리 연산자들 중 1의 보수 연산과 가장 관련 깊은 연산자는?

① &

② |

③ ^

④ ~

94. 부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?

① 지수의 값을 크게 하기 위해서이다.

② 수의 정밀도를 높이기 위함이다.

③ 부호 비트를 생략하기 위함이다.

④ 가수부의 비트수를 줄이기 위함이다.

95. DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 주기억장치와 입출력장치 간에 CPU를 통하지 않고 직접 접속으로 고속 데이터 전송이 가능하다.

② DMA 입출력을 수행할 때는 CPU가 다른 일을 수행할 수 있다.

③ 입출력장치와 주기억장치 사이에 독립적인 데이터 전송경로를 만들어 데이터를 송수신하다.

④ DMA 입출력을 사용하여도 입출력 전송에 따른 CPU 부하를 줄일 수 없다.

96. 레이스(race) 현상을 방지하기 위하여 사용되는 것은?

① JK 플립플롭

② RS 플립플롭

③ T 플립플롭

④ M/S 플립플롭

97. 프로그램 카운터로부터 다음에 실행할 명령의 주소를 읽어서 명령어를 메모리로부터 꺼내오는 명령 사이클은?

① Fetch cycle

② Execution cycle

③ Indirect cycle

④ Interrupt cycle

98. shift 연산에서 binary number 4번 shift-left한 경우의 number는?

① number × 4

② number × 16

③ number ÷ 4

④ number ÷ 16

99. n 비트로 부호화된 2진 정보를 최대 2n개의 출력으로 변환하는 조합 논리회로는?

① Encoder

② Decoder

③ Multiplexer

④ Demultiplexer

100. 원시프로그램을 목적프로그램으로 변화시켜 주는 것은?

① linker

② loader

③ compiler

④ editor

답 안 지

정 답 표

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1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
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