1.
전기 쌍극자에 대한 설명 중 옳은 것은?
①
반경 방향의 전계성분은 거리의 제곱에 반비례
②
전체 전계의 세기는 거리의 3승에 반비례
③
전위는 거리에 반비례
④
전위는 거리의 3승에 반비례
2.
간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 Єs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?
3.
공기 중에 있는 지름 2m의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 [C]인가? (단, 공기의 절연내력은 3000[kV/m]이다.)
①
5.3×10-4
②
3.33×10-4
③
2.65×10-4
④
1.67×10-4
4.
와전류손(eddy current loss)에 대한 설명으로 옳은 것은?
①
도전율이 클수록 작다.
②
주파수에 비례한다.
③
최대자속밀도의 1.6승에 비례한다.
④
주파수의 제곱에 비례한다.
5.
방송국 안테나 출력이 W(W)이고 이로부터 진공 중에 r(m) 떨어진 점에서 자계의 세기의 실효치 H는 몇 [A/m]인가?
6.
평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2사이에 성립하는 관계로 옳은 것은?
①
E2=4E1
②
E2=2E1
③
E2=E1/4
④
E2=E1
7.
단면적 S, 길이 ℓ, 투자율 μ인 자성체의 자기회로에 권선을 N회 감아서 I의 전류를 흐르게 할 때의 자속은?
①
μSI/Nℓ
②
μNI/Sℓ
③
NIℓ/μS
④
μSNI/ℓ
8.
손실유전체(일반매질)에서의 고유임피던스는?
9.
자기 감자율 N=2.5×10-3, 비투자율 μs=100의 막대형 자성체를 자계의 세기 H=500[AT/m]의 평등자계 내에 놓았을 때 자화의 세기는 약 몇 [Wb/m2]인가?
①
4.98×10-2
②
6.25×10-2
③
7.82×10-2
④
8.72×10-2
10.
다음 설명 중 옳지 않은 것은?
①
전류가 흐르고 있는 금속선에 있어서 임의 두 점간의 전위차는 전류에 비례한다.
②
저항의 단위는 옴(Ω)을 사용한다.
③
금속선의 저항 R은 길이 ℓ에 반비례한다.
④
저항률(ρ)의 역수를 도전율이라고 한다.
11.
전속밀도가 D=e-2y(axsin2x+aycos2x)[C/m2]일 때 전속의 단위 체적당 발산량[C/m3]은?
①
2e-2ycos2x
②
4e-2ycos2x
④
2e-2y(sin2x+cos2x)
12.
x<0 영역에는 자유공간, x>0 영역에는 비유전율 Єs=2인 유전체가 있다. 자유공간에서 전 E=10ax가 경계면에 수직으로 입사한 경우 유전체 내의 전속밀도는?
①
5Є0ax
②
10Є0ax
③
15Є0ax
④
20Є0ax
13.
평면도체 표면에서 d[m] 거리에 점전하 Q[C]이 있을 때, 이 전하를 무한원점까지 운반하는데 필요한 일[J]은?
14.
대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지면으로부터 받는 힘은?
①
h2에 비례한다.
②
h2에 반비례한다.
③
h에 비례한다.
④
h에 반비례한다.
15.
그림과 같이 균일하게 도선을 감은 권수 N, 단면적 S[m2], 평균길이 ℓ[m]인 공심의 환상솔레노이드에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 자기인덕턴스 L[H]의 값은?
16.
다음 ( ) 안에 들어갈 내용으로 옳은 것은?
①
㉮ 제곱, ㉯ 제곱
②
㉮ 제곱, ㉯ 세제곱
③
㉮ 세제곱, ㉯ 제곱
④
㉮ 세제곱, ㉯ 제곱
17.
정전계와 정자계의 대응관계가 성립되는 것은?
18.
반지름 a[m], 단위 길이당 권수 N, 전류 I[A]인 무한 솔레노이드 내부 자계의 세기[A/m]는?
①
NI
②
NI/2π
③
2πNI/a
④
aNI/2π
19.
무한장 직선형 도선에 I[A]의 전류가 흐를 경우 도선으로부터 R[m] 떨어진 점의 자속밀도 B[Wb/m2]는?
20.
자기인덕턴스 L1, L2와 상호인덕턴스 M 사이의 결합계수는? (단, 단위는 H이다.)
21.
선형 회로망에 가장 관계가 있는 것은?
①
중첩의 정리
②
테브난의 정리
③
키르히호프의 법칙
④
보상의 정리
22.
다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?
23.
"회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다." 이와 관계되는 법칙은?
①
플레밍의 법칙
②
렌쯔의 법칙
③
패러데이의 법칙
④
키르히호프의 법칙
24.
RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?
①
저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
②
저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
③
저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
④
인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.
25.
다음과 같은 R-C 회로의 구동점 임피던스로 옳은 것은?
26.
구동점 임피던스에서 영점(zero)은?
①
전압이 가장 큰 상태이다.
②
회로를 개방한 상태이다.
③
회로를 단락한 상태이다.
④
전류가 흐르지 않는 상태이다.
27.
그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, 이다.)
28.
다음과 같은 파형에 대한 라플라스 변환은?
29.
1[μF]인 정전 용량을 가지는 콘덴서에 실효값1414[V], 주파수 10[kHz], 위상각 0인 전압을가했을 때 순시값 전류는 약 얼마인가?
①
89 sin(ωt-90°)
②
89 sin(ωt+90°)
③
126 sin(ωt-90°)
④
126 sin(ωt+90°)
30.
다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?
①
전압과 전류
②
단락과 개방
③
전압원과 전류원
④
나뭇가지전압과 링크전압
31.
두 개의 코일 L1과 L2를 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100[mH]이고, 반대방향으로 접속하였더니 합성인덕턴스가 40[mH]이었다. 이 때, L1=60[mH]이면 결합계수 k는 약 얼마인가?
32.
다음 중 4단자 파라미터 간의 관계식으로 상반성(reciprocity)과 관계없는 것은?
①
h12=h21
②
Y12=Y21
③
AD-BC=1
④
Z12=Z21
33.
그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. 가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
①
18[H]
②
26[H]
③
34[H]
④
56[H]
34.
다음 그림에 있어서 e(t)=Em cos ωt의 전원 전압을 인가했을 때 인덕턴스 L에 저축되는 에너지는?
35.
임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?
36.
그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임)
37.
다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t=0에서 I=0이다.)
38.
f(t)=1e-at의 라플라스 변환은? (단, a는 상수이다.)
①
μ(s)-e-as
②
2S+s/S(S+a)
③
a/S(S+a)
④
a/S(S-a)
39.
2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?
①
-3
③
-1, -2
④
-1, -2, -3
40.
100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?
①
100[W]
②
250[W]
③
500[W]
④
1000[W]
41.
다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?
①
중화용
②
기생진동방지용
③
상호변조방지용
④
저주파특성 개선용
42.
다음의 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 신호 출력 전력은? (단, 입력신호는 정현파이다.)
43.
다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 역기서 ro와 가장 관련이 깊은 것은?
①
Early 효과
②
Miller 효과
③
Pinchoff 현상
④
Breakdown 현상
44.
하틀리(Hartley) 발진기 회로에서 궤환 요소는?
45.
다음 중 턴-오프 시간(turn-off time)은?
①
축적시간과 하강시간의 합이다.
②
상승시간과 지연시간의 합이다.
③
상승시간과 축적시간의 합이다.
④
상승시간과 하강시간의 합이다.
46.
3배 전압기의 입력 전압이 10Vrms일 때 직류 출력의 최대값은 약 몇 [V]인가?
①
27.9[V]
②
30.2[V]
③
32.1[V]
④
42.4[V]
47.
10진수 87를 BCD 코드로 변화시킨 것은?
①
10000111
②
11111111
③
01111000
④
01010111
48.
트랜지스터의 ha 정수를 측정할 때 필요한 조건은?
①
출력 단자를 개방시킨다.
②
출력 단자를 단락시킨다.
③
입력 단자를 개방시킨다.
④
입력 단자를 단락시킨다.
49.
h정수 중에서 hie는 무엇을 정의한 것인가?
①
전류이득
②
입력 임피던스
③
출력 어드미턴스
④
역방향 궤환 전압이득
50.
트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?
①
베이스 주행시간에 비례한다.
②
베이스 폭의 자승에 비례한다.
③
정공의 확산계수에 반비례한다.
④
베이스 폭의 자승에 반비례하고 정공의 확산계수에 비례한다.
51.
RC 결합 증폭기에서 구형파 전압을 입력시켜 다음과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
①
고역특성이 주로 좋지 않다.
②
저역특성이 주로 좋지 않다.
③
중역과 고역특성이 주로 좋지 않다.
④
저역과 고역특성이 모두 좋지 않다.
52.
이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100[μA]이고, IB가 1[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA]인가?
①
109[mA]
②
120[mA]
③
137[mA]
④
154[mA]
53.
다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가?
①
Ri=42[kΩ], Ro=10[Ω]
②
Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
③
Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
④
Ri=10[Ω], Ro=42[kΩ]
54.
일반적인 궤환회로에서의 전압증폭도를 라고 하면 이 때 부궤환 작용을 할 수 있는 조건은? (단, A는 궤환이 일어나지 않을 때의 이득이다.)
①
Aβ=1
②
|1-Aβ|>1
③
|1-Aβ|<1
④
Aβ=∞
55.
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
①
A/D 변환기
②
D/A 변환기
③
슈미트 트리거
④
멀티바이브레이터
56.
다음 회로에서 Re의 주 역할은?
①
출력증대
②
동작점의 안정화
③
바이어스 전압감소
④
주파수 대역폭 증대
57.
다음 그림은 연산증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?
①
-5[V]
②
-6[V]
③
-7[V]
④
-8[V]
58.
그림의 연산증폭기에서 입력 Vi=-V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
59.
다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)
①
정형파형
②
구형파형
③
톱니파형
④
램프파형
60.
어떤 증폭회로에서 무궤환시 전압 증폭도가 100이다. 이 증폭기에 궤환율 β=-40[dB]인 부궤환을 걸었을 때 전압이득은?
61.
정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6[s]일 때 확산 길이(mean free path)는?
①
3.7×10-5[m]
②
3.7×10-4[m]
③
7.4×10-5[m]
④
7.4×10-4[m]
62.
최외각 궤도는 전자로 완전히 채워져 있으며, 금지대의 폭이 5[eV] 이상인 물질은?
63.
양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?
①
Sommerfeld 분포 함수
②
Fermi-Dirac 분포 함수
③
Bose-Einstein 분포 함수
④
Maxwell-Boltzmann 분포 함수
64.
N형 반도체를 만들기 위해서는 진성 반도체에 어떤 불순물을 도핑해야 하는가?
65.
전계의 세기 E=105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
①
1600[m/s2]
②
1.602×10-14[m/s2]
③
5.93×105[m/s2]
④
1.75×1016[m/s2]
66.
다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?
①
확산(Diffusion)
②
산란(Scattering)
③
드리프트(Drift)운동
④
격자간격
67.
펀치슬루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
베이스 중성영역이 없는 상태이다.
②
컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
③
베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
④
회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
68.
일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?
①
자속밀도
②
전자의 전하
③
전자의 질량
④
전자의 속도
69.
열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
고온으로 가열하면 전자가 튀어나오는 현상이다.
②
열전자 방사량은 금속의 절대온도에 비례한다.
③
열전자 방사량은 열음극의 일함수와 관계가 있다.
④
열전자 방출에 의해 schottky 효과가 발생한다.
70.
전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?
①
0이 된다.
②
무한대가 된다.
③
정지 질량과 같다.
④
정지 질량보다 감소한다.
71.
한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?
①
1.3[eV]
②
1.9[eV]
③
2.7[eV]
④
4.2[eV]
72.
PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때의 특징이 아닌 것은?
①
전장이 약해진다.
②
전위장벽이 높아진다.
③
공간저하 영역의 폭이 좁아진다.
④
다수 캐리어에 의한 확산 전류는 증대된다.
73.
접합트랜지스터에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, )
74.
PN접합 다이오드의 역포화 전류를 감소하기 위한 필요조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
①
저항률을 높인다.
②
접합 면적을 적게 한다.
③
다수캐리어의 밀도를 높인다.
④
소수캐리어의 밀도를 줄인다.
75.
도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 EH, 전류밀도 J 및 자계 B 사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)
①
EH=RH∙B∙J
②
EH=RH∙B/J
③
EH=RH∙J/B
④
EH=RH/B∙H
76.
1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
①
6.24×1014
②
6.24×1016
③
6.24×1018
④
6.24×1020
77.
진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.25[eV]이다.)
①
4.52[J]
②
18.127×10-18[J]
③
11.602×10-19[J]
④
7.24×10-19[J]
78.
JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
채널의 폭에 비례한다.
②
재료의 비유전율에 반비례한다.
③
채널 부분의 도핑 밀도에 비례한다.
④
드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
79.
진성반도체의 페르미 준위는?
①
온도에 따라 변화하지 않는다.
②
온도가 감소하면 전도대로 향한다.
③
온도가 감소하면 충만대로 향한다.
④
온도가 감소하면 가전대로 향한다.
80.
금속표면에 매우 높은 주파수의 빛을 가하였더니 표면으로부터 전자가 방출되었다. 이런 현상은?
①
콤프턴효과(Compton Effect)
②
광학효과(Optical Effect)
③
광전효과(Photoelectric Effect)
④
애벌런치효과(Avalanche Effect)
81.
단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?
①
MOVE 연산
②
Complement 연산
③
Shift 연산
④
OR 연산
82.
16×8 ROM을 설계하고자 할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
①
AND 8개, OR 8개
②
AND 8개, OR 16개
③
AND 16개, OR 8개
④
AND 16개, OR 16개
83.
주기억장치의 용량이 512[KB]인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?
①
32개
②
64개
③
128개
④
512개
84.
컴퓨터 시스템에서 캐시메모리의 접근시간은 100[nsec], 주기억장치의 접근시간은 1000[nsec]이며, 히트율이 0.9인 경우의 평균접근시간은?
①
90[nsec]
②
200[nsec]
③
550[nsec]
④
910[nsec]
85.
레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?
①
Complement
②
Rotate
③
Shift
④
Move
86.
서브루틴(subroutine) 호출 처리 작업시 복귀주소를 저장하고 조회하는 용도에 적합한 자료구조는?
87.
흐름도(Flow Chart)의 필요성으로 거리가 먼 것은?
①
프로그램의 흐름을 이해하기 쉽다.
②
프로그램을 수정하기 쉽다.
③
프로그램의 코딩이 쉽다.
④
프로그램의 길이를 조절할 수 있다.
88.
CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
89.
스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
①
0-주소 형식
②
1-주소 형식
③
2-주소 형식
④
3-주소 형식
90.
프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
①
레지스터 모드
②
간접번지 모드
③
상대번지 모드
④
인덱스 어드레싱 모드
91.
프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?
①
시프트(Shift)
②
피드백(Feed back)
③
브랜칭(Branching)
④
인터럽트(Interrupt)
92.
C언어에서 for문이 무한반복을 실행하는 도중에 빠져 나오기 위한 명령어는?
①
break
②
while
③
if
④
default
93.
다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)
①
R1 ← B
③
R3 ← R2+1, R4 ← A
④
R4 ← R3+R4
94.
모든 처리장치(Processing element : PE)들이 하나의 제어 유닛(Control unit : CU)의 통제하에 동기적으로 동작하는 시스템은?
①
배열처리기(Array processor)
②
다중처리기(Multiple processor)
③
병렬처리기(Parallel processor)
④
파이프라인 처리(Pipeline processor)
95.
시프트레지스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
①
시프트레지스터의 가능한 입출력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.
②
n 비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.
③
레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.
④
시프트레지스터를 왼쪽으로 한번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.
96.
패리티 비트에 대한 설명으로 옳은 것은?
①
256가지의 서로 다른 문자를 나타낼 수 있다.
②
정보교환의 단위에 여유를 두기 위한 방법이다.
③
10진 숫자에 3을 더하여 체크한다.
④
데이터 전송시 발생하는 오류를 검색하는데 사용된다.
97.
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
①
assembler
②
interpreter
③
compiler
④
linkage editor
98.
상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?
①
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
②
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
③
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
④
프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.
99.
중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
①
기억기능 : 레지스터(register)
②
연산기능 : 연산기(ALU)
③
전달기능 : 누산기(accumulator)
④
제어기능 : 조합회로와 기억소자
100.
입출력 제어기(Input Output Controller) 기능에 해당되지 않는 것은?
①
기억 장치에 접근 요청기능
②
자료 입출력이 완료되었을 때 중앙처리장치에 보고 기능
③
입출력 중 어느 동작을 수행하는가를 나타내는 기능
④
자료이동과 통신을 수행하는 기능