전자기사

1. ∇⋅i =0에 대한 설명이 아닌 것은?

① 도체 내에 흐르는 전류는 연속이다.

② 도체 내에 흐르는 전류는 일정하다.

③ 단위시간당 전하의 변화가 없다.

④ 도체 내에 전류가 흐르지 않는다.

2. 1[kV]로 충전된 어떤 콘덴서의 정전에너지가 1[J]일 때, 이 콘덴서의 크기는 몇 [μF]인가?

① 2[μF]

② 4[μF]

③ 6[μF]

④ 8[μF]

3. 진공 중에 선전하 밀도 +λ[C/m]의 무한장 직선전하 A와 -λ[C/m]의 무한장 직선전하 B가 d[m]의 거리에 평행으로 놓여 있을 때, A에서 거리 d/3[m]되는 점의 전계의 크기는 몇 [V/m]인가?

4. 정전용량 C[F]인 평행판 공기콘덴서에 전극간격의1/2 두께인 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 이때의 정전용량은 몇 [F]인가? (단, 유리의 비유전률은 εs라 한다.)

5. 자성체 경계면에 전류가 없을 때의 경계조건으로 틀린 것은?

① 전속밀도 D의 법선성분

② 자속밀도 B의 법선성분 B1N=B2N

③ 자계 H의 접선성분 H1T=H2T

④ 경계면에서의 자력선의 굴절

6. 그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2인 B코일이 있을 때 A코일 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M은 몇 [H]인가? (단, 누설자속은 0이라고 한다.)

7. 자기유도계수 L의 계산방법이 아닌 것은? (단, N: 권수, ø : 자속, I : 전류, A : 벡터포텐샬, i : 전류밀도, B : 자속밀도, H : 자계의 세기이다.)

8. 압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?

① 종효과

② 횡효과

③ 역효과

④ 직접효과

9. 다음 중 스토크스(stokes)의 정리는?

10. 전위가 VA인 A점에서 Q[C]의 전하를 전계와 반대 방향으로 ℓ[m]이동시킨 점 P의 전위[V]는? (단, 전계 E는 일정하다고 가정한다.)

① VP=VA-Eℓ

② VP=VA+Eℓ

③ VP=VA-EQ

④ VP=VA+EQ

11. 그림과 같은 공심 토로이드 코일의 권선수를 N배하면 인덕턴스는 몇 배 되는가?

① N-2

② N-1

③ N

④ N2

12. 그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계 중에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 [kcal]의 열이 발생하는가? (단, Br=2[Wb/m2], HL=500[AT/m], B=μH에서 μ는 일정하지 않음)

① 11.7

② 47.6

③ 70.2

④ 200

13. 환상 철심에 감은 코일에 5[A]의 전류를 흘려 2000[AT]의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는 얼마로 하여야 하는가?

① 10000

② 500

③ 400

④ 250

14. 전기쌍극자에 의한 전계의 세기는 쌍극자로부터의 거리 r에 대해서 어떠한가?

① r에 반비례한다.

② r2에 반비례한다.

③ r3에 반비례한다.

④ r4에 반비례한다.

15. Z축의 정방향(+방향)으로 10πaz[A]가 흐를 때 이 전류로부터 5[m] 지점에 발생되는 자계의 세기 H[A/m]는?

① H=-ax

② H=aø

③ H=1/2aø

④ H=-aø

16. 전위함수가 V=2x+5yz+3일 때, 점(2,1,0)에서의 전계의 세기는?

① -2i-5i-3k

② i+2j+3k

③ -2i-5k

④ 4i+3k

17. 반지름 2[mm]의 두 개의 무한히 긴 원통 도체가 중심 간격 2[m]로 진공 중에 평행하게 놓여있을 때 1[km]당의 정전용량은 약 몇 [μF]인가?

① 1×10-3[μF]

② 2×10-3[μF]

③ 4×10-3[μF]

④ 6×10-3[μF]

18. 그림과 같은 전기 쌍극자에서 P점의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?

19. 단면적 1000[mm2] 길이 600[mm]인 강자성체의 철심에 자속밀도 B=1[Wb/m2]를 만들려고 한다. 이 철심에 코일을 감아 전류를 공급하였을 때 발생되는 기자력[AT]은? 문제 오류로 실제 시험에서는 모두 정답처리 되었습니다. 여기서는 가번을 누르면 정답 처리 됩니다.)

① 6×10-4

② 6×10-3

③ 6×10-2

④ 6×10-1

20. 다음 중 금속에서의 침투깊이(Skin Depth)에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 같은 금속을 사용할 경우 전자파의 주파수를 증가시키면 침투깊이가 증가한다.

② 같은 주파수의 전자파를 사용할 경우 전도율이 높은 금속을 사용하면 침투깊이가 감소한다.

③ 같은 주파수의 전자파를 사용할 경우 투자율 값이 작은 금속을 사용하면 침투깊이가 감소한다.

④ 같은 금속을 사용할 경우 어떤 전자파를 사용하더라도 침투깊이는 변하지 않는다.

21. 그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?

22. RLC 병렬회로가 공진주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?

① 유도성 회로가 된다.

② 용량성 회로가 된다.

③ 저항성 회로가 된다.

④ 탱크 회로가 된다.

23. 기본파의 50[%]인 제3고조파와 30[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?

① 0.2

② 0.4

③ 0.6

④ 0.8

24. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

25. 임의의 회로 실효 전력이 30[W]이고, 무효전력이 40[VAR]일 때 역률은?

① 0.6

② 0.8

③ 1.0

④ 1.2

26. 4단자망의 파라미터에 대한 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

① h 파라미터에서 h12와 h21는 차원(단위)이 없다.

② ABCD 파라미터에서 A와 D는 차원(단위)이 없다.

③ h 파라미터에서 h11은 임피던스의 차원(단위)을, h22는 어드미턴스의 차원(단위)을 갖는다.

④ ABCD 파라미터에서 B는 어드미턴스의 차원(단위)을, C는 임피던스의 차원(단위)을 갖는다.

27. 단위 임펄스의 라플라스 변환은?

① 1

② 1/S

③ S

④ 1/S2

28. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?

① 전류는 전압보다 뒤진다.

② 전류는 전압보다 앞선다.

③ 전류와 전압은 동위상이다.

④ 공진이 되어 지속적으로 발진한다.

29. 공급 전압이 50[V]이고, 회로에 전류가 15[A]가 흐른다고 할 때 이 회로의 유효전력은 몇 [W]인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)

① 125√3

② 245√3

③ 375√3

④ 750√3

30. 선형시변 인덕터의 자속이 ø(t)=L(t)i(t) 일 때, 전압 V(t)는?

31. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 옳지 않은 것은?

① A=7

② B=48

③ C=6

④ D=7

32. 다음 중 파형의 대칭성에 해당되지 않는 것은?

① 우함수

② 기함수

③ 반파 대칭

④ 고조파 대칭

33. 전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(dB) 인가?

① 1.414

② 1.732

③ 5.677

④ 8.686

34. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=3τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?

① 86[%]

② 73[%]

③ 95[%]

④ 100[%]

35. K의 적분요소를 갖는 회로의 전달함수는?

① K

② 2K

③ K/s

④ K/2s

36. 10[V]의 기전력으로 300[C]의 전기량이 이동할 때 몇 [J]의 일을 하게 되는가?

① 1000[J]

② 2000[J]

③ 3000[J]

④ 4000[J]

37. 이상변압기에서 두 코일의 권선비는?

38. 두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.

② K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.

③ K=1은 누설 자속이 전형 없는 경우이다.

④ 결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.

39. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?

① A

② B

③ C

④ D

40. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, wr은 공진 각 주파수이다.)

41. 어떤 증폭기에 그림(a)와 같은 파형이 인가되었을 때 그림(b)와 같은 출력파형이 발생되었다면 이 증폭기는?

① 고주파특성은 좋으나 저주파특성이 좋지 않다.

② 고주파특성, 저주파특성이 모두 좋지 않다.

③ 저주파특성은 좋으나 고주파특성이 좋지 않다.

④ 고주파특성, 저주파특성이 모두 좋다.

42. 수정발진자의 등가용량은 Co, 고유주파수는 fs이며, 발진자의 극간의 정전용량은 C, 정전용량을 고려한 주파수를 fP 라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?

43. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때 동상이득(Ac)은?

① 0.1

② 1

③ 10

④ 12.5

44. B급 푸시풀 증폭회로의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 컬렉터 손실을 2개로 분산할 수 있으므로 큰 출력을 얻을 수 있다.

② 전원 효율이 좋다.

③ 입력이 가해지지 않을 때 전력손실이 극히 적다.

④ 크로스오버 찌그러짐이 전혀 생기지 않는다.

45. 다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)

① 출력증대

② 주파수 대역증대

③ 바이어스 전압감소

④ 동작점의 안정화

46. 부궤환(negative feedback)을 걸지 않은 경우 증폭기의 전압증폭도 A=1000배이다. β=0.05의 부궤환을 걸면 전압증폭도 Af는 약 얼마인가?

① 500

② 200

③ 20

④ 50

47. 다음 회로도는 어떤 동작을 하는 회로인가?

① 비동기식 2진 카운터

② 동기식 10진 카운터

③ 링 카운터

④ 존슨 카운터

48. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?

① fo < fs

② fo > fp

③ fp < fo < fs

④ fs < fo < fp

49. 그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?

① 12.5[%]

② 25[%]

③ 50[%]

④ 78.5[%]

50. 다음 그림은 터널 다이오드(Tunnel Diode) 전압전류 특성곡선이다. 발진이 일어날 수 있는 영역은?

① A

② B

③ C

④ D

51. 다음 그림의 연산증폭 회로에서 전압이득 AV는?

① -3

② 2

③ 3

④ 0.5

52. 피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?

① 40[V]

② 56.6[V]

③ 80[V]

④ 113.1[V]

53. 디지털 신호(2진 데이터)의 정보 내용에 따라서 반송파의 주파수를 변화시키는 것은?

① ASK

② FSK

③ PSK

④ DPSK

54. 연산 증폭기에서 입력 오프셋 전압이란?

① 출력전압이 ∞가 되게 하기 위한 입력단자 사이의 전압

② 출력전압이 ∞가 될 때 입력단자의 최대 전류

③ 증폭기의 평형을 유지하기 위한 입력단자 사이에 공급하여야 할 전압

④ 출력전압과 입력전압이 같게 될 때 증폭기의 입력전압

55. T형 플립플롭을 사용하여 4단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?

① 8개

② 16개

③ 32개

④ 64개

56. 다음 그림과 같이 연산증폭기를 이용하여 적분기 회로를 구성하는데 가장 알맞은 것은?

57. 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 베이스 전압의 파형은?

① 구형파

② 정현파

③ 삼각파

④ 스텝파

58. RL=16[Ω], VCC=30[V]인 B급 전력증폭기에 20[V]의 신호를 공급할 때 입력전력 Pi(dc), 출력전력 Po(ac) 및 효율 η는 약 얼마인가?

① Pi(dc)=12.5[W], Po(ac))=23.9[W], η=42.3[%]

② Pi(dc)=23.9[W], Po(ac)=12.5[W], η=42.3[%]

③ Pi(dc)=23.9[W], Po(ac)=12.5[W], η=52.3[%]

④ Pi(dc)=12.5[W], Po(ac))=23.9[W], η=52.3[%]

59. 연산 증폭기에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 출력의 일부를 반전입력으로 되돌려서 출력전압을 감소시키는 것을 부궤환이라 한다.

② 출력의 일부를 비반전입력으로 되돌려서 출력전압을 증가시키는 것을 정궤환이라 한다.

③ 개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 집적화로 이루어진 증폭기이다.

④ 매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계되었다.

60. 동기 3단 2진 카운터를 JK F/F 3개와 어떤 게이트 1개를 사용하면 설계할 수 있는가?

① AND

② OR

③ NOT

④ EX-OR

61. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

① 인듐(In)

② 안티몬(Sb)

③ 붕소(B)

④ 알루미늄(Al)

62. 확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 캐리어 농도가 큰 쪽에서 작은 쪽으로 이동한다.

② 온도가 높을수록 충돌 빈도가 커지므로 확산이 어렵다.

③ 열평형이란 전자의 드리프트와 정공의 드리프트 전류가 동시에 발생하는 경우이다.

④ 충돌빈도가 클수록 평균 자유 행정과 평균 속도가 작아져서 확산이 쉽다.

63. 서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?

① 트랜지스터 회로의 온도 보상

② 마이크로파 전력 측정

③ 온도 검출

④ 발진기

64. 반도체에 관한 내용으로 잘못 짝지워 놓은 것은?

① 홀발진기 - 자기 효과

② 열전대 - 지벡 효과

③ 전자냉각 - 펠티어 효과

④ 광전도 셀 - 외부 광전 효과

65. 일정한 온도에서 n형 반도체의 도너 불순물 밀도를 증가시키면 페르미 준위는?

① 충만대 쪽으로 접근한다.

② 전도대 쪽으로 접근한다.

③ 금지대 쪽으로 접근한다.

④ 가전자대 쪽으로 접근한다.

66. 금속 표면에서 전자를 끌어내는 방향으로 전계를 가하면 금속표면의 전위장벽이 낮아진다. 이와 같은 효과는?

① 홀 효과

② 펠티어 효과

③ 지벡 효과

④ 쇼트키 효과

67. pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는가?

① 이온화가 증가한다.

② 접합면의 정전용량이 증가된다.

③ 접합면의 장벽전위가 낮아진다.

④ 접합면의 공간 전하용량이 증가한다.

68. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

① saturation 현상

② break down 현상

③ thermal runaway 현상

④ pinch off 현상

69. 300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV]인가?

① 0.02

② 0.08

③ 0.2

④ 0.8

70. 페르미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 전자의 존재 확률이 0[%]이다.

② 절대온도 0[K]에서 전자의 최대에너지가 된다.

③ P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 가까이 위치한다.

④ n형 반도체의 페르미 준위는 전도대 가까이 위치한다.

71. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?

① 40

② 43

③ 46

④ 49

72. 열평형 상태에서 PN 접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?

① 전위 장벽이 없어졌다는 것이다.

② 접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.

③ 접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.

④ 접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.

73. 가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한쌍의 자유 전자의 정공이 생성되는 현상은?

① 광도전 현상

② 내부 광전 효과

③ 열생성

④ 확산

74. 접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?

① 포화 영역, 활성 영역

② 활성 영역, 차단 영역

③ 포화 영역, 차단 영역

④ 활성 영역, 역할성 영역

75. 일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 반도체의 저항이 증가한다.

② 정공이 전도대로 이전한다.

③ 원자의 에너지가 증가한다.

④ 원자의 에너지가 감소한다.

76. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?

① 홀 효과(Hole effect)

② 콤프턴 효과(Compton effect)

③ 에디슨 효과(Edison effect)

④ 광전 효과(Photo electric effect)

77. PN 접합에서 접촉전위차에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 불순물 농도가 커지면 전위차는 작아진다.

② 진성캐리어는 농도가 낮을수록 전위차는 높아진다.

③ 온도가 높아지면 전위차도 높아진다.

④ 전계작용에 의해 발생한다.

78. 어떤 도선에 1[A]의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적을 1[s] 동안에 1[C]의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 수는?

① 6.25×1018 [개]

② 12.5×1018 [개]

③ 62.5×1018 [개]

④ 18.75×1018 [개]

79. 어떤 금속의 전위장벽 높이(E0)가 13.47[eV]이고, 페르미에너지(Ef)가 8.95[eV]일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?

① 4.52[eV]

② 9.04[eV]

③ 11.21[eV]

④ 22.42[eV]

80. 초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?

① 물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.

② 저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.

③ 저온에서 격자 진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.

④ 전자의 이동도 μ가 전계강도 E의 평방근에 비례한다.

81. 컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?

① Polling

② interrupt

③ Paging

④ handshaking

82. 비주얼 베이직(Visual Basic) 기본 문법 설명 중 옳은 것은?

① 한 행에 복수의 문장을 쓸 수 없다.

② 변수명과 프로시저 명에는 한글을 사용할 수 없다.

③ 대문자와 소문자를 구분하지 않는다.

④ 컨트롤, 폼, 클래스 및 표준 모듈의 이름에는 한글을 사용할 수 있다.

83. 주소 공간이 20[bit]이고 각 주소당 저장되는 데이터의 크기가 8[bit]일 때 주기억 장치의 용량은?

① 1[Mbyte]

② 2[Mbyte]

③ 3[Mbyte]

④ 4[Mbyte]

84. 컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?

① 컴파일(Compile)

② 프로그램(Program)

③ 알고리즘(algorithm)

④ 프로그래머(Programmer)

85. MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 맨 왼쪽 비트(최상위 비트)

② 맨 오른쪽 비트(최하위 비트)

③ 2진수의 보수

④ 8진수의 보수

86. 다음 운영체제(OS)의 구성용소 중 제어 프로그램(Control program)에 포함되지 않는 것은?

① Data management program

② Job management program

③ Supervisor program

④ Service program

87. 객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 알맞게 만들어진 언어는?

① 포트란(FORTRAM)

② C

③ 자바(java)

④ SQL

88. interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?

① I/O interrupt

② program interrupt

③ external interrupt

④ supervisor call interrupt

89. CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?

① ALU(Arithmetic Logic Unit)

② IR(Instruction Register)

③ PC(Program Counter)

④ MAR(Memory Address Register)

90. push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

① MBR

② queue

③ stack

④ cache

91. 수치적 연산에 관한 설명 중 가장 옳은 것은?

① 산술적 시프트는 덧셈, 나눗셈에 보조역할을 담당한다.

② 고정소수점 연산에서 부호-절대치인 경우 음수의 표현이 간편하여 하드웨어적으로도 간편한 이점이 있다.

③ 우측 시프트의 경우 최소 유효 비트가 1이면 범람이 생긴다.

④ 정수 연산에서 1의 보수와 2의 보수 표현은 덧셈과 산술 시프트로 모든 연산이 가능하며, 특히 2의 보수방식이 좋다.

92. 컴퓨터의 클록 펄스 주기가 5[MHz]이고, 16비트 레지스터를 통해 데이터를 직렬 전송한다면, 순수 데이털의 비트 전송시간과 워드 전송시간은?

① 0.2[μs], 0.5[μs]

② 0.2[μs], 3.2[μs]

③ 0.4[μs], 6.4[μs]

④ 0.4[μs], 12.8[μs]

93. 부동 소수점(floating point) 표현방식에서 정규화하는 이유는?

① 숫자를 지수형으로 표시하기 위해서

② 유효숫자를 크게 하기 위해서

③ 소수점을 없애기 위해서

④ 정밀도를 낮추기 위해서

94. 주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?

① 어소시어티브 매핑(Associative Mapping)

② 직접 매핑(Direct Mapping)

③ 간접 매핑(Indirect Mapping)

④ 세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)

95. 다음 중 DRAM의 특징이 아닌 것은?

① 휘발성 메모리이다.

② SRAM보다 액세스 속도가 빠르다.

③ 집적 밀도가 SRAM보다 높다.

④ 재충전 회로가 필요하다.

96. 2의 보수로 표현되는 수가 A, B 레지스터에 저장되어 있다. A ← A-B 연산을 수행한 후의 A 레지스터는?

① 00000012

② FFFFFF12

③ 000000B0

④ FFFFFFB0

97. RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?

① RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.

② RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행 속도가 느린 단점이 있다.

③ CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.

④ CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.

98. 마이크로컴퓨터에서 isolated I/O 방식과 비교하여 memory-mapped I/O 방식의 특징으로 옳은 것은?

① 하드웨어가 복잡하다.

② 기억장치 명령과 입출력 명령을 구별하여 사용한다.

③ 기억장치의 주소 공간이 줄어든다.

④ 입출력 장치들의 주소 공간이 기억장치 주소 공간과 별도로 할당된다.

99. 다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?

① 레지스터-메모리 instruction

② AC instruction

③ 스택 instruction

④ 메모리-메모리 instruction

100. 다음 중 순차 논리회로가 아닌 것은?

① 전가산기(Full Adder)

② master-Slave 방식의 JK 플립플롭

③ 8진 UP 카운터(Counter)

④ 4비트 시프트 레지스터

답 안 지

정 답 표

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