전자기사

1. 전류 4π[A]가 흐르고 있는 무한직선도체에 의해 자계가 4[A/m]인 점은 직선도체로부터 거리가 몇 [m] 인가?

① 0.5[m]

② 1[m]

③ 3[m]

④ 4[m]

2. 비유전율 εS = 80, 비투자율 μS = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 [Ω] 인가?

① 21[Ω]

② 42[Ω]

③ 80[Ω]

④ 160[Ω]

3. 도체나 반도체에 전류를 흘리고 이것과 직각방향으로 자계를 가하면 이 두 방향과 직각 방향으로 기전력이 생기는 현상을 무엇이라 하는가?

① 핀치 효과

② 볼타 효과

③ 압전 효과

④ 홀 효과

4. 정전용량이 1[μF]인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr = 2 인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 [μF]이 되는가?

① 2[μF]

② 1/2[μF]

③ 4/3[μF]

④ 5/3[μF]

5. 다음 중 강자성체가 아닌 것은?

① 코발트

② 니켈

③ 철

④ 구리

6. 200[V] 30[W]인 백열전구와 200[V] 60[W]인 백열전구를 직렬로 접속하고, 200[V]의 전압을 인가하였을 때 어느 전구가 더 어두운가? (단, 전구의 밝기는 소비전력에 비례한다.)

① 둘 다 같다.

② 30[W] 전구가 60[W] 전구보다 더 어둡다.

③ 60[W] 전구가 30[W] 전구보다 더 어둡다.

④ 비교할 수 없다.

7. 압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?

① 종효과

② 횡효과

③ 역효과

④ 직접효과

8. 단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스[H/m]는 어떻게 표현되는가?

① μㆍsㆍn

② μㆍsㆍn2

③ μㆍs2ㆍn2

④ μㆍs2ㆍn

9. 그림과 같이 무한히 긴 두 개의 직선상 도선이 1[m] 간격으로 나란히 놓여 있을 때 도선 ①에 4[A], 도선 ②에 8[A]가 흐르고 있을 때 두 선간 중앙점 P에 있어서의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가? (단, 지면의 아래쪽에서 위쪽으로 향하는 방향을 정(+)으로 한다.)

① 4/π

② 12/π

③ -4/π

④ -5/π

10. 질량 m = 10-10[kg]이고 전하량 q = 10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도 a = 102i+103j [m/sec2]라 하면 전기장의 세기 E는 몇 [V/m] 인가?

① E = 104i+105j

② E = i+10j

③ E = 10-2i+10-7j

④ E = 10-6i+10-5j

11. 전계의 실효치가 377[V/m]인 평면전자파가 진공을 진행하고 있다. 이 때 이 전자파에 수직되는 방향으로 설치된 단면적 10[m2]의 센서로 전자파의 전력을 측정하려고 한다. 센서가 1[W]의 전력을 측정했을 때 1[mA]의 전류를 외부로 흘려준다면 전자파의 전력을 측정했을 때 외부로 흘려주는 전류는 몇 [mA] 인가?

① 3.77[mA]

② 37.7[mA]

③ 377[mA]

④ 3770[mA]

12. 정전계와 반대방향으로 전하를 2[m] 이동시키는데 240[J]의 에너지가 소모되었다. 이 두점 사이의 전위차가 60[V]이면 전하의 전기량은 몇 [C] 인가?

① 1[C]

② 2[C]

③ 4[C]

④ 8[C]

13. 10[mm]의 지름을 가진 동선에 50[A]의 전류가 흐를 때 단위 시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약몇 개인가?

① 7.85×1016

② 20.45×1015

③ 31.25×1019

④ 50×1019

14. 다음 설명 중 잘못된 것은?

① 초전도체는 임계온도 이하에서 완전 반자성을 나타낸다.

② 자화의 세기는 단위 면적당의 자기 모멘트이다.

③ 상자성체에 자극 N극을 접근시키면 S극이 유도된다.

④ 니켈(Ni), 코발트(Co) 등은 강자성체에 속한다.

15. 코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10[A] 변화할 때 코일 B에 10[V]의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 [H] 인가?

① 1/0.3

② 1/3

③ 1/30

④ 1/300

16. 직교하는 도체평면과 점전하 사이에는 몇 개의 영상전하가 존재하는가?

① 2

② 3

③ 4

④ 5

17. 도전률이 5.8×107[℧/m], 비투자율이 1인 구리에 50[Hz]의 주파수를 갖는 전류가 흐를 때, 표피두께는 약 몇 [mm] 인가?

① 8.53[mm]

② 9.35[mm]

③ 11.28[mm]

④ 13.03[mm]

18. 콘덴서의 내압(耐壓) 및 정전용량이 각각 1000[V]-2 [μF], 700[V]-3[μF], 600[V]-4[μF], 300[V]-8[μF]이다. 이 콘덴서를 직렬로 연결할 때 양단에 인가되는 전압을 상승시키면 제일 먼저 절연이 파괴되는 콘덴서는?

① 1000[V]-2[μF]

② 700[V]-3[μF]

③ 600[V]-4[μF]

④ 300[V]-8[μF]

19. 다음 중 기자력(Magnetomotive Force)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 전기회로의 기전력에 대응한다.

② 코일에 전류를 흘렸을 때 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같다.

③ 자기회로의 자기저항과 자속의 곱과 동일하다.

④ SI단위는 암페어[A]이다.

20. 그림에서 질량 m [kg], 전기량 q [C]인 대전입자가 속도 v [m/sec]로 지면(紙面)에 소직인 균등자장 B[Wb/m2]에 들어올 때 입자는 원운동을 시작한다. 이 원운동의 각속도 ω는 몇 [rad/sec] 인가?

21. 다음 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V] 인가?

① 2.5[V]

② -2.5[V]

③ 5[V]

④ -5[V]

22. 다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?

① T/2

③ 1/2

④ 

23. 내부저항 r [Ω]인 전원이 있다. 부하 R 에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?

① r = 2R

② R = r

③ R = r2

④ R = r3

24. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?

① A

② B

③ C

④ D

25. 권선비 n : 1인 결합회로에서 구동 임피던스는?

① Zin = nZL

② Zin = n2ZL

③ Zin = n2/ZL

④ Zin = n/ZL

26. 그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?

① 26

② 30

③ 50

④ 68

27. 그림의 π형 4단자망에 있어서의 전송 파라미터 A는?

① 1+Z3/Z2

② Z1+Z2+Z3/Z1Z2

③ Z3

④ 1+Z3/Z1

28. 단위계단함수 u(t-a)의 그림으로 옳은 것은?

29. R-L-C 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr 은 공진 각 주파수이다.)

① ωrC/R

② ωrL/R

③ ωr/RL

④ ωrR/L

30. 다음 그림에 표시한 여파기는?

① 고역 여파기

② 대역 여파기

③ 대역 소거 여파기

④ 저역 여파기

31. 다음 그림과 같은 정저항 회로가 되려면 ωL의 값[Ω]은?

① 1.2

② 1.6

③ 0.8

④ 0.4

32. 주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?

① 내부 임피던스가 큰 전원에는 병렬공진 회로를 사용한다.

② 내부 임피던스가 큰 전원에는 직렬공진 회로를 사용한다.

③ 내부 임피던스에 관계없이 직렬공진 회로를 사용한다.

④ 내부 임피던스에 관계없이 병렬공진 회로를 사용한다.

33. 다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?

① ωL1 = 1/ωC

② ωL2 = 1/ωC

③ ωM = 1/ωC

④ ωM = ωL2

34. 그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이고, v1 = 20t이고 v2 = 0 일 때 i1 = 5t 및 i2 = 2t 이다. v1 = 20i+40 이고 v2 = 40t+10 일 때 i1 을 구하면?

① i1 = -2t [A]

② i1 = t+9 [A]

③ i1 = -4-1t [A]

④ i1 = 5t+10 [A]

35. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?

① 저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.

② 저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.

③ 저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.

④ 인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.

36. sinωt로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?

① ω/S+ω2

② ω/S2+ω2

③ 1/S2+ω2

④ 1/S+ω

37. RC 직렬회로에서 t = 2RC 일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?

① 13.5

② 36.7

③ 63.3

④ 86.5

38. 다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?

① E/S2

② E/TS

③ E/TS2

④ TE/S

39. 다음과 같은 회로의 용량성 리액턴스 XC[Ω]는?

① 1[Ω]

② 2[Ω]

③ 3[Ω]

④ 4[Ω]

40. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?

① 전류는 전압보다 뒤진다.

② 전류는 전압보다 앞선다.

③ 전류와 전압은 동위상이다.

④ 공진이 되어 지속적으로 발진한다.

41. 다음의 2단 연산증폭기의 종합이득(Vo/Vs)은 몇 [dB]인가?

① 26[dB]

② 40[dB]

③ 46[dB]

④ 52[dB]

42. A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 충실도가 좋다.

② 효율은 50% 이하이다.

③ 차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.

④ 평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.

43. 다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)

① 0.6[A]

② 0.7[A]

③ 0.8[A]

④ 1.2[A]

44. 다음과 같은 다이오드 회로에서 정현파 교류입력 Vi가 인가되면 출력은? (단, 교류 입력의 진폭은 Vm＞Vr 임)

① Vo ≧ Vr

② Vo ≦ Vr

③ Vo ≧ -Vr

④ -Vr ≦ Vo ≦ Vr

45. 다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은?

① LC 하틀리 발진기

② LC 동조형 반결합 발진기

③ 이상형 발진기

④ 블로킹 발진기

46. 다음 회로에서 R1 = 10[kΩ], R2 = 1[kΩ]일 때 궤환율 β는 약 얼마인가?

① 0.09

② 0.2

③ 0.8

④ 0.91

47. 어떤 증폭기에서 입력전압이 0.25[V]일 때 출력전압이 25[V]이다. 이 증폭기 출력의 9[%]를 입력으로 부궤환시킬 때 출력전압은 약 몇 [V] 인가?

① 1.5[V]

② 2.5[V]

③ 3.2[V]

④ 4.2[V]

48. fτ 가 10[MHz]인 트랜지스터가 중간영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 약 몇 [kHz] 인가?

① 50[kHz]

② 193[kHz]

③ 385[kHz]

④ 500[kHz]

49. 다음과 같은 연산증폭기의 출력전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?

① Vo = 0

② Vo = AㆍVs

③ Vo = Vs

④ Vo = 1

50. 다음의 증폭기 바이어스 방법 중에서 고조파 성분을 많이 포함하고 있어 주파수 체배기에도 사용되며 효율이 가장 좋은 것은?

① A급

② AB급

③ B급

④ C급

51. 다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때 근사적인 β값은 얼마인가?

① 10

② 25

③ 50

④ 100

52. 다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V] 인가? (단, βCC는 150 이다.)

① 2.2[V]

② 3.6[V]

③ 5.6[V]

④ 6.5[V]

53. IDSS = 25[mA], VGS(Off) = 15[V]인 p채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS는 5[V]이다.)

① 320[Ω]

② 450[Ω]

③ 630[Ω]

④ 870[Ω]

54. 다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)

① 구형파형

② 정현파형

③ 톱니파형

④ 램프파형

55. 수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?

① 동조점의 불안정 - Q가 작은 수정공진자 사용

② 주위온도의 변화 - 항온조 사용

③ 부하의 변동 - 완충 증폭기 사용

④ 전원전압의 변동 - 정전압회로 사용

56. 다음과 같은 브리지형 발진 회로의 발진 주파수는?

57. 어떤 연산증폭기의 차동이득이 100000 이고 동상이득이 0.2 일 때 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB] 인가

① 104[dB]

② 114[dB]

③ 126[dB]

④ 136[dB]

58. 전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?

① 감소한다.

② 변화가 없다.

③ 증가한다.

④ 입력신호의 크기에 따라 증가 또는 감소한다.

59. 5[kHz]의 정현파 신호로 100[MHz]의 반송파를 FM 변조했을 때 최대 주파수편이가 ±65[kHz]이면 점유 주파수 대역폭은 몇 [kHz] 인가?

① 130[kHz]

② 140[kHz]

③ 150[kHz]

④ 160[kHz]

60. 다음 중 고주파 증폭회로에서 중화회로를 사용하는 이유로 가장 적합한 것은?

① 모터공진 방지

② 자기발진 방지

③ 증폭도 저하 방지

④ 음 되먹임 방지

61. 물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?

① 드리프트

② 확산

③ 이동성

④ 이온 결합성

62. 길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]를 가했을 때 전자의 속도는?

① 160[m/sec]

② 180[m/sec]

③ 16[m/sec]

④ 18[m/sec]

63. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?

① EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스

② EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스

③ EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스

④ EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스

64. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 확산계수와는 무관하다.

② 캐리어의 이동도에만 관계 있다.

③ 캐리어의 수명시간에만 관계 있다.

④ 캐리어의 수명시간과 이동도에 관계 있다.

65. 다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?

① 드리프트(Drift) 운동

② 산란(Scattering)

③ 확산(Diffusion)

④ 격자간격

66. 다음 중 정전압용으로 사용되는 다이오드는?

① 리드 다이오드

② 제너 다이오드

③ 터널 다이오드

④ 온도형 다이오드

67. 다음 반도체의 설명 중 옳지 않은 것은?

① 진성반도체에 불순물 P를 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.

② 진성반도체에 불순물 Ga를 주입하면 페르미 준위 EF가 전도대쪽에 가깝게 위치한다.

③ 페리미 준이가 전도대 쪽에 가깝게 위치해 있으면 N형 반도체이다.

④ 페르미 준위가 금지대 중앙에 위치해 있으면 진성반도체이다.

68. 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

① 전도대

② 금지대

③ 가전자대

④ 전기대

69. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?

① 광에너지

② 운동에너지

③ 페르미준위

④ 일함수

70. 진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는 데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일 함수는 4.52[eV]이다.)

① 4.52[J]

② 18.127×10-18[J]

③ 11.602×10-19[J]

④ 7.24×10-19[J]

71. 입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h 는 프랑크 상수)

① λ = P/h

② λ2 = P/h

③ λ = h/P

④ λ = Pㆍh

72. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?

① f(E) = 1+e(E-Et)/kT

② f(E) = 1/(1+e(E-Et)/kT)

③ f(E) = 1-e(E-Et)/kT

④ f(E) = 1/(1-e(E-Et)/kT)

73. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?

① 40

② 43

③ 46

④ 49

74. 접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 옳지 않은 것은?

① 잡음이 적다.

② 전류 용량이 크다.

③ 주파수 특성이 좋다.

④ 충격에 강하다.

75. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?

① Thermistor

② SCR

③ TRIAC

④ DIAC

76. 반도체에 관한 내용으로 잘못 짝 지워 놓은 것은?

① 홀발진기-자기 효과

② 열전대-지벡 효과

③ 전자냉각-펠티어 효과

④ 광전도 셀-외부 광전 효과

77. 다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?

① 역 다이오드

② 소트키 다이오드

③ 바렉터 다이오드

④ 유니정션 트랜지스터(UJT)

78. 진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)

① Ec보다 약간 높다.

② Ec보다 약간 낮다.

③ Ev보다 약간 높다.

④ Ec와 Ev의 중간 정도이다.

79. PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?

① P영역과 N영역에서 모두 감소한다.

② P영역과 N영역에서 모두 증가한다.

③ P영역에서 증가하고, N영역에서 감소한다.

④ P영역에서 감소하고, N영역에서 증가한다.

80. 양자(Quantum) 1개의 질량은 약 얼마인가?

① 9.99×10-21[kg]

② 9.109×10-31[kg]

③ 1.602×10-19[kg]

④ 1.67×10-27[kg]

81. 주소지정방식(Addressing Mode) 중 유효주소를 구하기 위해 현재 명령어의 주소부의 내용과 PC의 내용을 더하여 결정하는 방식은?

① Direct Addressing

② Indirect Addressing

③ Relative Addressing

④ Index Register Addressing

82. 디스크에 있는 하나의 데이터 블록을 액세스하는데 걸리는 시간을 계산하는 식으로 옳은 것은?

① 디스크 액세스 시간 = 탐색시간 + 회전지연 시간 + 데이터 전송시간

② 디스크 액세스 시간 = 탐색시간 + 회전지연 시간 - 데이터 전송시간

③ 디스크 액세스 시간 = (탐색시간 × 회전지연 시간) + 데이터 전송시간

④ 디스크 액세스 시간 = (탐색시간 × 회전지연 시간) - 데이터 전송시간

83. 16비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?

① 36

② 72

③ 86

④ 512

84. 다음 불 함수를 간단히 하면?

85. 다음 중 BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구한 것으로 옳은 것은? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)

① 0100101

② 1000011

③ 0011001

④ 0110010

86. CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?

① Fetch 상태

② Indirect 상태

③ Execute 상태

④ Interrupt 상태

87. 다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?

① AND

② EX-OR

③ OR

④ NOR

88. 주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?

① 주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.

② 주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.

③ 사용자에게 사용하기 편리해야 한다.

④ 캐시 메모리가 있어야 한다.

89. 메모리 인터리빙(memory interleaving)의 사용 목적은?

① memory의 효율을 높이기 위해서

② CPU의 idle time을 없애기 위해서

③ memory의 access 횟수를 줄이기 위해서

④ 명령들의 memory access 충돌을 막기 위해서

90. 다음 중 IEEE 754에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 고정소수점 표현에 대한 국제 표준이다.

② 가수는 부호 비트와 함께 부호화-크기로 표현된다.

③ 0.M×10E의 형태를 취한다.(단, M : 가수, E : 지수)

④ 64비트 복수-정밀도 형식의 경우 지수는 10비트이다.

91. 마이크로소프트사에서 Driver 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?

① ISA

② PCI

③ OSC

④ WDM

92. Booth Algorithm을 설명한 것 중 잘못된 것은?

① 승수 Q의 Q0와 Q-1을 동시에 고려한다.

② 승수 Q-1의 초기값은 항상 0 이다.

③ 처리과정 중의 비트의 이동은 항상 산술적 우측시프트로 행해진다.

④ 처리과정 속에서는 피승수와 A레지스터 사이에는 덧셈만이 존재한다.

93. ROM 회로의 구성요소로 옳게 짝지어진 것은?

① Decoder, OR gate

② Encoder, OR gate

③ Encoder, AND gate

④ Decoder, AND gate

94. C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언 문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?

① constant

② array

③ union

④ pointer

95. 리처드 스톨먼 등에 의해 만들어졌으며, 품질이 매우 좋고 이식성이 좋은 C 컴파일러는?

① GCC

② JAVAC

③ YACC

④ CC

96. 1024[word]의 RAM은 몇 개의 어드레스 선을 갖는가?

① 4

② 8

③ 10

④ 12

97. 다음 중 연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.

② 기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.

③ 프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.

④ 처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.

98. 간접주소 지정방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 오퍼랜드 필드에 데이터 유효 기억장치 주소가 저장된다.

② 기억장치의 구조 변경 등을 통해 확장이 가능하다.

③ 단어 길이가 n 비트라면 최대 2n 개의 기억 장소들을 주소 지정할 수 있다.

④ 실행 사이클 동안 두 번의 기억 장치 액세스가 필요하다.

99. CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?

① IR

② PC

③ MBR

④ AC

100. 다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(accumulator)에서 이루어지는 형식은?

① 스택 구조 형식

② 1번지 명령 형식

③ 2번지 명령 형식

④ 3번지 명령 형식

답 안 지

정 답 표

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1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
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6	1	2	3	4	56	1	2	3	4
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