전자기사

1. 자극의 세기가 8×10-6 [Wb], 길이가 3[cm]인 막대자석을 120[AT/m]의 평등자계 내에 자력선과 30°의 각도로 놓으면 이 막대자석이 받는 회전력은 몇 [Nㆍm] 인가?

① 1.44×10-4 [Nㆍm]

② 1.44×10-5 [Nㆍm]

③ 3.02×10-4 [Nㆍm]

④ 3.02×10-5 [Nㆍm]

2. 다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?

① 내부 자계는 위치에 상관없이 일정하다.

② 내부 자계와 외부 자계는 그 값이 같다.

③ 외부 자계는 솔레노이드 근처에서 멀어질수록 그 값이 작아진다.

④ 내부 자계의 크기는 0 이다.

3. 반지름 1[cm]인 원형코일에 전류 10[A]가 흐를 때, 코일의 중심에서 코일면에 수직으로 cm 떨어진 점의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가?

① 1/16×103 [A/m]

② 3/16×103 [A/m]

③ 5/16×103 [A/m]

④ 7/16×103 [A/m]

4. 전지에 연결된 진공 평행판 콘덴서에서 진공 대신 어떤 유전체로 채웠더니 충전전하가 2배로 되었다면 전기감수율(susceptibility) Xer은 얼마인가?

② 1

③ 2

④ 3

5. 길이가 1[cm], 지름이 5[mm]인 동선에 1[A]의 전류를 흘렸을 때 전자가 동선을 흐르는 데 걸린 평균 시간은 대략 얼마인가? (단, 동선에서의 전자의 밀도는 1×1028 [개/m3 ]라고 한다.)

① 3[초]

② 31[초]

③ 314[초]

④ 3147[초]

6. 유전체내의 전속밀도를 정하는 원천은?

① 유전체의 유전률이다.

② 분극 전하만이다.

③ 진전하만이다.

④ 진전하와 분극 전하이다.

7. 다음 중 전계 E 가 보존적인 것과 관계되지 않는 것은?

① ∮eEdℓ = 0

② E = -grad V

③ rot E = 0

④ div E = 0

8. 반지름이 3cm 인 원형 단면을 가지고 있는 환상 연철심에 코일을 감고 여기에 전류를 흘려서 철심 중의 자계 세기가 400[AT/m]가 되도록 여자할 때, 철심 중의 자속밀도는 약 몇 [Wb/m2] 인가?

① 0.2 [Wb/m2]

② 0.8 [Wb/m2]

③ 1.6 [Wb/m2]

④ 2.0 [Wb/m2]

9. 진공 중의 점 A에서 출력 50[kW]의 전자파를 방사하여 이것이 구면파로서 전파할 때 점 A에서 100[km] 떨어진 점 B에 있어서의 포인팅 벡터값은 약 몇 [W/m2] 인가?

① 4×10-7 [W/m2]

② 4.5×10-7 [W/m2]

③ 5×10-7 [W/m2]

④ 5.5×10-7 [W/m2

10. 전위함수 V = 5x2 y+z[V]일 때 점(2, -2, 2)에서 체적전하밀도 ρ[C/m3]의 값은? (단, ε0는 자유공간의 유전율이다.)

① 5 ε0

② 10 ε0

③ 20 ε0

④ 25 ε0

11. 간격 3[cm], 면적 30[cm2]의 평판콘덴서에 220[V]의 전압을 가하면 양판 간에 작용하는 힘은 약 몇 [N]인가? (단, 유전율 ε0 = 8.855×10-12 [F/m]이다.)

① 6.3×10-6 [N]

② 7.14×10-7 [N]

③ 8×10-5 [N]

④ 5.75×10-4 [N]

12. 다음 중 거리 r에 반비례하는 것은?

① 무한장 직선전하에 의한 전계

② 구도체 전하에 의한 전계

③ 전기쌍극자에 의한 전계

④ 전기쌍극자에 의한 전위

13. 전자유도법칙과 관계가 가장 먼 것은?

① 노이만의 법칙

② 렌쯔의 법칙

③ 패러데이의 법칙

④ 앙페르의 오른나사 법칙

14. ∇⋅J = -∂ρ/∂t 에 대한 설명으로 옳지 않는 것은?

① "-" 부호는 전류가 폐곡면에서 유출되고 있음을 뜻한다.

② 단위 체적당 전하 밀도의 시간당 증가 비율이다.

③ 전류가 정상 전류가 흐르면 폐곡면에 통과하는 전류는 영(ZERO)이다.

④ 폐곡면에서 수직으로 유출되는 전류밀도는 미소체적인 한점에서 유출되는 단위 체적당 전류가 된다.

15. 다음 그림은 콘덴서 내의 변위전류에 대한 설명이다. 이 콘덴서의 전극면적을 S[m2], 전극에 저축된 전하는 q[C], 전극의 표면전하 밀도를 σ[C/m2], 전극사이의 전속밀도를 D[C/m2]라 하면 변위전류밀도 id [A/m2]의 값은?

① id = ∂D/∂t [A/m2]

② id = ∂σ/∂t [A/m2]

16. 내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?

① 강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질

② 강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질

③ 비투자율이 1 보다 작은 역자성체

④ 비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질

17. 점전하에 의한 전위함수가 V = x2+y2 [V]로 주어진 전계가 있을 때 이 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 상수이다.)

① xy = A

② y = Ax

③ y = Ax2

18. 매질이 완전 유전체인 경우의 전자 파동 방정식을 표시하는 것은?

19. 다음 중 유전체에서 전자분극이 나타나는 이유를 설명한 것으로 가장 알맞은 것은?

① 단결정 매질에서 전자운과 핵의 상대적인 변위에 의한다.

② 화합물에서 (+) 이온과 (-) 이온 간의 상대적인 변위에 의한다.

③ 단결정에서 (+) 이온과 (-) 이온 간의 상대적인 변위에 의한다.

④ 영구 전기 쌍극자의 전계 방향의 배열에 의한다.

20. 다음 중 폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명중 가장 알맞은 것은?

① 렌츠의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.

② 자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

③ 유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.

④ 전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.

21. 4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?

① h11 = 1y11

② h22 = Z22

③ h12 = Z22/Z11

④ H21 = y11/y21

22. 고유저항 ρ , 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m 배, 길이는 n 배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?

① m/n2

② m/n

③ n/m

④ n/m2

23. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)

① ω = C/L

④ ω = 1/C

24. 다음 중 e-atsinωt의 라플라스 변환은?

① S+a/(S+a)2+ω2

② ω/(S-a)2+ω2

③ ω/(S+a)2+ω2

④ ω/(S+a)+ω

25. 분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1[Ω], 분류기의 저항이 0.01[Ω]이면 그 배율은?

① 4

② 10

③ 11

④ 14

26. 다음 중 정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?

① f(t) = f(t)

② f(t) = -f(t)

③ f(t) = f(-t)

④ f(t) = -f(-t)

27. 1 neper는 약 몇 [dB] 인가?

① 3.146

② 8.686

③ 7.076

④ 6.326

28. v(t) = 100sinωt[V]이고, i(t) = 2sin(ωt-π/3)[A]에 대한 평균 전력을 구하면 몇 [W] 인가?

① 25 [W]

② 50 [W]

③ 75 [W]

④ 125 [W]

29. 다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?

① C1 = C2L1/L2

② C1 = C2L2/L1

③ C1 = L1L2/C2

④ C1 = L2/C2L1

30. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?

31. 두 회로간의 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

① KㆍVㆍL → KㆍCㆍL

② 테브낭의 정리 → 노튼 정리

③ 전압원 → 전류원

④ 폐로전류 → 절점전류

32. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

① 중역 필터

② 대역 필터

③ 저역 필터

④ 고역 필터

33. 다음 그림과 같은 회로의 구동점 임피던스가 정저항회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

① Z1/Z2 = R2

② Z2/Z1 = R

③ Z1Z2 = R2

④ Z1Z2 = R

34. 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)

① 1+Z1/Z2

② Z1

③ 1/Z2

④ 1

35. S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

① 발진하지 않는다.

② 점점 더 크게 발생한다.

③ 지속 발진한다.

④ 감쇠 진동한다.

36. 다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A] 인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

① 8.95

② 7.24

③ 4.63

④ 3.52

37. R-L 직렬 회로에서 10[V]의 교류 전압을 인가하였을 때 저항에 걸리는 전압이 6[V]였다면 인덕턴스에 유기되는 전압은 몇 [V] 인가?

① 2

② 6

③ 8

④ 10

38. 그림과 같은 회로에서 L1 = 3[H], L2 = 5[H], M=2[H]일 때 a, b 간의 인덕턴스는?

① 1.65 [H]

② 2.25 [H]

③ 2.75 [H]

④ 3.75 [H]

39. 일 때, e1 + e2 의 실효치는 약 얼마인가?

40. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?

④ R/2L = 1/LC

41. RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 [dB]로 감소시켜야 하는가?

① 0.5

② 4

③ 6

④ 12

42. 다음 그림과 같은 연산회로의 출력전압 VO는?

43. 그림 (a) 회로의 동작이 그림 (b)와 같다. 이 때 구간 A와 관련이 깊은 것은?

① 활성 영역

② 포화 영역

③ 차단 영역

④ (포화+차단) 영역

44. 다음 회로와 가장 관련이 깊은 것은?

① 진폭 변조

② 진폭 복조

③ 주파수 변조

④ 주파수 복조

45. 다음 그림의 회로에서 차동 증폭기의 출력 전압 VO는? (단, V2 = 4V1)

① 100 V1

② 120 V1

③ 250 V1

④ 300 V1

46. 다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?

① 1 [mA]

② 1.5 [mA]

③ 2 [mA]

④ 4 [mA]

47. 다음 회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? (단, C1, C2는 이 회로의 모든 동작주파수에서 단락회로로 동작한다고 가정한다.)

① 이 회로는 높은 내부전원 저항을 갖는 신호원을 낮은 임피던스 부하에 연결하는데 많이 사용된다.

② AC current follower로 AC 전류 증폭용으로 주로 사용된다.

③ 전압이득 AV는 1보다 작으며, 1에 가까울수록 입력저항이 커진다.

④ 저항 R1, R2는 직류입력전류를 비반전 단자에 흐르게 하는데 통로로 쓰인다.

48. 궤환 증폭기에서 무궤환시 전압 이득이 100 이고, 고역 3[dB] 차단 주파수가 150[kHz] 일 때, 궤환시 전압이득이 10 이면 고역 3[dB] 차단 주파수는 몇 [kHz]인가?

① 15 [kHz]

② 100 [kHz]

③ 1000 [kHz]

④ 1500 [kHz]

49. 전압이득이 60[dB]인 저주파 증폭기에서 출력신호의 비직선 일그러짐이 10[%]일 때, 이를 1[%]로 개선하기 위해 필요한 궤환율은 약 얼마인가?

① -10 [dB]

② -20 [dB]

③ -40 [dB]

④ -60 [dB]

50. 다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)

① 출력증대

② 주파수 대역증대

③ 바이어스 전압감소

④ 동작점의 안정화

51. FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?

① gm을 크게 한다.

② μ를 작게 한다.

③ 부하저항을 작게 한다.

④ 분포된 정전용량을 크게 한다.

52. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.6[μA]에서 160[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]라 하면 안정도 계수 S(ICO)는 약 얼마인가?

① 1

② 2.3

③ 6.3

④ 12.5

53. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?

① 조정이 어렵다.

② 변조효율이 좋다.

③ 대전력 송신기에 적합하다.

④ 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.

54. 그림과 같은 부궤환 증폭기에서 출력 임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

① 감소한다.

② 증가한다.

③ 1/hoe이 된다.

④ 변함이 없다.

55. 100[V]로 충전되어 있는 1[μF] 콘덴서를 1[MΩ]의 저항을 통하여 방전시키면 1초 후의 콘덴서 양단의 전압은? (단, 자연대수 e=2.71828 이다.)

① 약 100 [V]

② 약 63.2 [V]

③ 약 36.8 [V]

④ 약 18.4 [V]

56. 2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?

① ASK 방식

② FSK 방식

③ PSK 방식

④ QAM 방식

57. 부궤환 증폭기에서 궤환이 없을 때의 전압증폭 이득이 40[dB]이고, 입력 측으로의 궤환율 β = 0.03인 경우 이 부궤환 증폭기의 전압 이득은 얼마인가?

① 10

② 25

③ 50

④ 75

58. 연산증폭기를 이용한 슈미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?

① 톱니파를 만들기 위하여

② 정전기를 방지하기 위하여

③ 입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여

④ 입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여

59. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 신호 출력 전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)

① PO = (VCC)2/RL

② PO = (VCC)2/2RL

③ PO = (VCC)2/4RL

④ PO = (VCC)2/8RL

60. 그림과 같은 트랜지스터 소신호 증폭기에서 입력 임피던스 Rin은 다음 중 어느 값에 가장 가까운가? (단, Rc = 5kΩ, Re = 2kΩ, Rs = 3kΩ, hie = 1kΩ, hfe = 50 이다.)

① 50 [kΩ]

② 100 [kΩ]

③ 200 [kΩ]

④ 300 [kΩ]

61. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

① 진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.

② 캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.

③ 불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다.

④ 열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합률은 같다.

62. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?

① 자속 밀도

② 전자의 전하

③ 전자의 질량

④ 전자의 속도

63. 300[K]에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32[%]가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 [eV] 인가?

① 0.02

② 0.08

③ 0.2

④ 0.8

64. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우, 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?

① 소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.

② 금속 전도체와 같은 행동을 한다.

③ 많은 수의 정공을 갖고 있다.

④ 절연체와 같이 행동한다.

65. P 채널 전계 효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

① 전자의 확산 현상

② 정공의 확산 현상

③ 전자의 드리프트 현상

④ 정공의 드리프트 현상

66. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수)

① P = λh

② P = h/λ

③ P = λ/h

④ λ = 1/Ph

67. 서미스터(thermistor)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 반도체의 일종이다.

② 온도제어 회로 등에 사용된다.

③ 일반적으로 정(+)의 온도계수를 가진다.

④ CTR(Critical Temperature Resistor)은 이것을 응용한 것이다.

68. 반도체에 전계(E)를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은?

① 전계와 반대 방향이다.

② 전계와 같은 방향이다.

③ 전계와 직각 방향이다.

④ 전계와 무관한 불규칙 운동을 한다.

69. 운동 전자가 가지는 파장이 3×10-10 [m]인 경우, 그 전자의 속도는? (단, 프랭크 상수 h = 6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m = 9.1×10-31[kg]

① 12×104 [m/s]

② 1.2×105 [m/s]

③ 2.4×106 [m/s]

④ 16×107 [m/s]

70. 전자 방출에서 전계에 의해서 일함수가 작아져서 전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?

① Piezo 효과

② Seebeck 효과

③ Hall 효과

④ Schottky 효과

71. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?

① 0 이 된다.

② 무한대가 된다.

③ 정지 질량과 같다.

④ 정지 질량보다 감소한다.

72. 전자의 전체 에너지를 E, 운동량은 P라 하면 위치 에너지는?

73. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?

① In

② Ga

③ As

④ B

74. PN 접합의 공간 전하영역에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

① 다수 캐리어만 존재하는 영역이다.

② 소수 캐리어만 존재하는 영역이다.

③ 다수 캐리어와 소수 캐리어가 모두 존재하는 영역이다.

④ 움직일 수 없는 도너 이온과 억셉터 이온이 존재하는 영역이다.

75. 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?

④ 50

76. 에너지 준위도에서 0 준위는?

① 페르미 준위

② 이탈 준위

③ 금속내 준위

④ 금속와 준위

77. 컬렉터(collector) 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

① 얼리(early) 현상

② 항복(break down) 현상

③ 열폭주(thermal runaway) 현상

④ 펀치 스로우(punch through) 현상

78. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?

① 확산에 의해서

② 드리프트에 의해서

③ 컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서

④ 이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서

79. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때, 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10-19 [C]이다.)

① 6.25×1016 [개]

② 6.25×1018 [개]

③ 6.25×1020 [개]

④ 6.25×1022 [개]

80. 한 금속 표면에 6500[Å] 미만의 파장을 갖는 빛을 조사하였을 경우에만 광전자가 튀어 나왔다면 이 금속의 일함수는 약 얼마인가?

① 1.3 [eV]

② 1.9 [eV]

③ 2.7 [eV]

④ 4.2 [eV]

81. 조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?

① 분기형

② 분류형

③ 루프형

④ 직선형

82. 고속의 입ㆍ출력 장치에 사용되는 데이터 전송 방식은?

① 데이터 채널

② I/O 채널

③ selector 채널

④ multiplexer 채널

83. 명령어의 수행 단계에 해당되지 않는 것은?

① 명령어를 메모리에서 가져온다.

② 명령의 내용을 디코딩 한다.

③ 명령어를 조합한다.

④ 명령어를 실행한다.

84. 다음 주소비정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

① 3-주소지정 방식

② 2-주소지정 방식

③ 1-주소지정 방식

④ 0-주소지정 방식

85. 다음 중 컴퓨터의 기본 구성 요소가 아닌 것은?

① 중앙연산처리장치

② 전달장치

③ 제어장치

④ 기억장치

86. 스택(stack)에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 가장 나중에 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.

② 가장 먼저 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.

③ 저장한 순서에 관계없이 주소를 주면 자료를 읽을 수 있다.

④ 스택포인터는 가장 먼저 저장된 자료의 위치를 표시한다.

87. 시프트 레지스터에서 가장 시간이 적게 걸리는 입ㆍ출력 방식은?

① 직렬입력-직렬출력

② 직렬입력-병렬출력

③ 병렬입력-직렬출력

④ 병렬입력-병렬출력

88. 다음 항목 중 마이크로 사이클의 동기 가변식(synchronous variable)에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 제어가 간단하다.

② 모든 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간이 비슷할 때 유리하다.

③ 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간 차이가 클 때 이용되는 방식이다.

④ 모든 마이크로 오퍼레이션 중 가장 긴 것은 마이크로 사이클 타임으로 한다.

89. 다음 RISC 방식의 CPU 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 상대적으로 적은 수의 명령어를 사용한다.

② 기억장치 참조는 LOAD, STORE 명령으로만 제한된다.

③ 일부 명령어는 특별한 동작만을 수행하여 자주 사용되지 않는 경우도 있다.

④ 매 클록 사이클마다 하나의 명령어를 실행할 수 있다.

90. 데이터 전송 방법 중에서 플로피디스크에 있는 자료들을 메모리로 옮기고자 할 경우 가장 효과적인 것은?

① Programmed 입ㆍ출력

② Interrupt 입ㆍ출력

③ DMA(Direct Memory Access)

④ RS232C

91. C 언어에 대한 특징으로 옳지 않은 것은?

① 대ㆍ소문자를 구별한다.

② 범용 언어이며, 고급 언어이다.

③ 포인터가 제공되고 주소계산 기능이 제공된다.

④ 분할 컴파일 기능이 불가능하다.

92. 서브루틴을 호출할 때 복귀 주소(return address)를 기억하는데 주로 사용하는 것은?

① 플래그

② 프로그램 카운터

③ 스택

④ ALU

93. 캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?

① 세트-어소시에티브 매핑

② 어소시에티브 매핑

③ 직접 매핑

④ 간접 매핑

94. 짝수 패리티 비트의 해밍(HAMMING) 코드는 0011011을 받았을 때 오류가 수정된 정확한 코드는?

① 0010001

② 001011

③ 0111011

④ 0011001

95. shift 연산에서 binary number가 4번 shift-left한 경우의 number는?

① number×4

② number×16

③ number÷4

④ number÷16

96. 다음 중앙처리장치에 속해 있는 레지스터(register)들에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 인스트럭션 레지스트(IR) : 수행하고자 하는 명령어를 가지며 프로그램 제어용 레지스터이다.

② 프로그램 카운터(PC) : 바로 전에 수행했던 인스트럭션의 주소를 기억한다.

③ 인덱스 레지스터 : 기억내용은 자료가 아니고 주소이며 유효 주소를 계산하는데 필요한 자료를 기억한다.

④ MAR(Memory Address Register) : PC에 저장된 명령어 주소가 일시적으로 저장되는 레지스터이다.

97. JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?

① 클래스

② 인스턴스

③ 메소드

④ 상속자

98. 부동소수점 표현의 수를 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 포함되지 않는 것은?

① 0(zero)인지 여부를 조사한다.

② 가수의 위치를 조정한다.

③ 가수를 곱한다.

④ 결과를 정규화한다.

99. 다음 중 중앙처리장치 내의 부동소수점 연산만을 전문적으로 수행하는 장치는?

① coporcessor

② RAM

③ ROM

④ USB

100. 컴퓨터에서 세계 각국의 언어를 통일된 방법으로 표현할 수 있게 제안된 국제적인 코드는?

① BCD 코드

② ASCII 코드

③ UNICODE

④ GRAY 코드

답 안 지

정 답 표

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1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
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