전자기사

1. 그림에서 축전기를 ±Q로 대전한 후 스위치 k를 닫고 도선에 전류 I를 흘리는 순간의 축전기 두 판사이의 변위전류는?

① +Q판에서 -Q판쪽으로 흐른다.

② -Q판에서 +Q판쪽으로 흐른다.

③ 왼쪽에서 오른쪽으로 흐른다.

④ 오른쪽에서 왼쪽으로 흐른다.

2. 변위전류에 의하여 전자파가 발생되었을 때 전자파의 위상은?

① 변위전류보다 90° 빠르다.

② 변위전류보다 90° 늦다.

③ 변위전류보다 30° 빠르다.

④ 변위전류보다 30° 늦다.

3. 합성수지(εS = 4) 중에서의 전자파의 속도는 몇 [m/s]인가? (단, μS = 1 이다.)

① 1.5×107

② 1.5×108

③ 3×107

④ 3×108

4. 진공내에서 전위함수가 V = x2 + y2과 같이 주어질 때, 점 (2,2,0)[m]에서 체적전하밀도 ρ는 몇 [C/m3 ]인가? (단, ε0는 자유공간의 유전율이다.)

① -4 ε0

② -2 ε0

③ 4 ε0

④ 2 ε0

5. 다음 사항 중 옳지 않은 것은?

① 전계가 0 이 아닌 곳에서는 전력선과 등전위면은 직교한다.

② 정전계는 정전에너지가 최소인 분포이다.

③ 정전대전 상태에서는 전하는 도체표면에만 분포한다.

④ 정전계 중에서 전계의 선적분은 적분경로에 따라 다르다.

6. 자기인덕턴스 L[H]인 코일에 I[A]의 전류를 흘렸을 때 코일에 축적되는 에너지 W[J]와 전류 I[A] 사이의 관계를 그래프로 표시하면 어떤 모양이 되는가?

① 직선

② 원

③ 포물선

④ 타원

7. 평행판 공기콘센서의 양극판에 +ρ [c/m2], -ρ [c/m2]의 전하가 충전되어 있을 때, 이 두 전극사이에 유전율 e[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가? (단, 유전체의 분극전하밀도를 +ρp [c/m2], -ρp [c/m2] 라 한다.)

① ρ+ρp/ε0

② ρ-ρp/ε0

④ ρp/ε0

8. 유전체 내의 전계의 세기  와 분극의 세기 와의 관계를 나타내는 식은? (단, ε0는 자유공간의 유전율이며, εs 는 상대유전상수이다.)

① P = ε0(εs-1)E

② P = ε0εsE

③ P = εs(ε0-1)E

④ P = ε(εs-1)E

9. 그림과 같이 비투자율 μs = 1000, 단면적 10[cm2], 길이 2[m]인 환상철심이 있을 때, 이 철심에 코일을 2000회 감아 0.5[A]의 전류를 흘릴 때의 철심 내 자속은 몇 [Wb]인가?

① 1.26×10-3

② 1.26×10-4

③ 6.28×10-3

④ 6.28×10-4

10. 자기모멘트 M[Wbㆍm]인 막대자석이 평등자계 H[A/m]내에 자계의 방향과 θ 의 각도로 놓여 있을 때 이것에 작용하는 회전력 T[Nㆍm/rad]는?

① MH cos θ

② MH sin θ

③ MH tan θ

④ MH cot θ

11. 유전율 ε1 [F/m], ε2 [F/m]인 두 유전체가 나란히 접하고 있고, 이 경계면에 나란히 유전체 ε1 [F/m] 내에 거리 r [m]인 위치에 선전하 밀도 λ [c/m]인 선상 전하가 있을 때, 이 선전하와 유전체 ε2간의 단위길이당의 작용력은 몇 [N/m]인가?

12. 비투자율 350인 환상철심 중의 평균자계의 세기가 280[A/m]일 때 자화의 세기는 약 몇 [Wb/m2]인가?

① 0.12 [Wb/m2]

② 0.15 [Wb/m2]

③ 0.18 [Wb/m2]

④ 0.21 [Wb/m2]

13. 공기 중에 놓여진 직경 2m의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 [C]인가? (단, 공기의 절연내력은 3000 kV/m 이다.)

① 5.3×10-4

② 3.33×10-4

③ 2.65×10-4

④ 1.67×10-4

14. 임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전율을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ 사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위 길이당 정전용량, L은 두 도체를 한 개의 왕복회로로 한 경우의 단위 길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전율, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)

① C/ε = L/μ

② 1/LC = εㆍμ

③ LC = εㆍμ

④ Cㆍε = Lㆍμ

15. 옴의 법칙(Ohm's law)을 미분형태로 표시하면? (단, i 는 전류밀도이고, ρ 은 저항율, E 는 전계이다.)

② i = ρE

③ i = div E

④ i = ∇E

16. 정전계에서 도체의 성질을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?

① 전하는 도체의 표면에서만 존재한다.

② 대전된 도체는 등전위면이다.

③ 도체 내부의 전계는 0 이다.

④ 도체 표면상에서 전계의 방향은 모든 점에서 표면의 접선 방향이다.

17. 다음 ( ㉠ ), ( ㉡ )에 알맞은 것은?

① ㉠ 전압 ㉡ 전류

② ㉠ 전압 ㉡ 자속

③ ㉠ 전류 ㉡ 자속

④ ㉠ 자속 ㉡ 인덕턴스

18. 자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평성분 125[AT/m]의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 [J]인가?

① 1.23×10-3

② 1.03×10-5

③ 9.23×10-3

④ 9.03×10-5

19. 강자성체의 히스테리시스 루프의 면적은?

① 강자성체의 단위 체적당의 필요한 에너지이다.

② 강자성체의 단위 면적당의 필요한 에너지이다.

③ 강자성체의 단위 길이당의 필요한 에너지이다.

④ 강자성체의 전체 체적의 필요한 에너지이다.

20. 극판의 면적이 4[cm2], 정전용량이 1[pF]인 종이콘덴서를 만들려고 한다. 비유전율 2.5, 두께 0.01[mm]의 종이를 사용하면 종이는 약 몇 장을 겹쳐야 되겠는가?

① 87장

② 100장

③ 250장

④ 886장

21. 그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?

① 1[A]

② 2[A]

③ 4[A]

④ 5[A]

22. 다음 그림에서 스위치 S를 닫은 후의 전류 i(t)는? (단, t = 0 에서 i = 0 이다.)

23. 콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 VC(t)는?

① VC(t) = 1/C

② VC(t) = C

④ VC(t) = Cu(t)

24. 다음 회로의 병렬공진 주파수는?

25. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?

① 20 [kVar]

② 40 [kVar]

③ 60 [kVar]

④ 80 [kVar]

26. 그림과 같은 주기성으 갖는 구형파 교류 전류의 실효치는?

① 2[A]

② 4[A]

③ 2/3[A]

27. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

① R = L/C

28. 라플라스 변환식 F(S) = 1/S2+2S+5 의 역 변환은?

② e-tsin2t

③ e-2tsin7t

29. f(t) = sint cost 를 라플라스 변환하면?

① 1/S2+2

② 1/S2+4

③ 1/(S+2)2

④ 1/(S+4)2

30. 다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?

① 3, 0

② -3, 0

③ 1, -3

④ -1, -3

31. 그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab = 12[Ω]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?

① 3

② 4

③ 5

④ 6

32. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

② 1+Z1/Z3

③ 1+Z2/Z3

④ 1/Z3

33. 단자 외부에 연결되는 임피던스를 예상해서 도입되는 파라미터는?

① 반복 파라미터

② 영상 파라미터

③ H 파라미터

④ 임피던스 파라미터

34. 다음 그림과 같은 회로에서 데브난 등가 저항은?

① 2 [Ω]

② 4 [Ω]

③ 6 [Ω]

④ 8 [Ω]

35. 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?

① 코일에 관계되는 손실이 0 이다.

② 두 코일간의 결합계수가 1 이다.

③ 동손, 철손이 약간 있어야한다.

④ 각 코일의 인덕턴스가 ∞ 이다.

36. Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?

① 선간 전압의 크기 = 상 전압의 크기

② 선간 전압의 크기 = 상 전압의 크기×

③ 선간 전류의 크기 = 상 전류의 크기×

④ 상 전압의 크기 = 선간 전압의 크기×

37. 리액턴스 함수가Z(s) = 3s/s2+9 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?

38. 차단 주파수에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 출력 전압이 최대값의 이 되는 주파수이다.

② 전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.

③ 전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.

④ 출력 전류가 최대값의 이 되는 주파수이다.

39. R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4° 만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω [rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4° ≒ 2)

① R=5, ω=1000

② R=50, ω=1000

③ R=50, ω=100

④ R=5, ω=100

40. 다음은 무엇에 대한 설명인가?

① 중첩의 원리

② 밀만의 정리

③ 테브난의 정리

④ 노튼의 정리

41. 피어스 B-C glh로에 해당하는 LC 발진기는?

① 콜피츠형

② 하틀리형

③ 이미터 동조형

④ 베이스 동조형

42. duty cycle 이 0.1이고, 주기가 20[μs]인 펄스의 폭은 얼마인가?

① 0.1 [μs]

② 0.2 [μs]

③ 1 [μs]

④ 2 [μs]

43. 다음 차동증폭기 회로의 출력 VO로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)

44. 그림과 같은 연산 증폭기의 출력 전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?

① Vo = 0

② Vo = AㆍVs

③ Vo = Vs

④ Vo = 1

45. RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대한 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

① 저역특성이 좋지 않다.

② 중역특성이 좋지 않다.

③ 대역폭이 너무 넓다.

④ 고역특성이 좋지 않다.

46. 개방루프 전압이득 Av = 2000±150인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득이 ±0.2% 이내로 안정시키려면 궤환 계수 β를 약 얼마로 하면 되는가?

① 0.75

② 0.037

③ 0.0183

④ 0.0123

47. α가 0.99, 차단주파수가 30[MHz]인 베이스접지 증폭회로를 이미터접지로 하였을 경우 차단주파수는 약 몇 [MHz]인가?

① 0.1 [MHz]

② 0.3 [MHz]

③ 1.2 [MHz]

④ 3.0 [MHz]

48. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위온도 변화로 2 [μA]에서 100[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[mA]라 하면 안정도 계수는 약 얼마인가? (단, VBE와 β는 일정하다.)

① 3.5

② 6.3

③ 10.2

④ 15.1

49. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

① Schmitt 트리거 회로

② 톱니파 발생 회로

③ monostable 회로

④ Astable 회로

50. A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 충실도가 좋다.

② 효율은 50% 이하이다.

③ 차단(cut off) 영역 부근에서 동작한다.

④ 평균 전력손실이 B급이나 C급에 비해 크다.

51. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 rO와 가장 관련이 갚은 것은?

① 1

② 2

③ 3

④ 4

52. 다음 중 B급 푸시풀 증폭기의 특징이 아닌 것은?

① 전력 효율이 높다.

② 큰 출력을 얻을 수 있다.

③ 차단 상태 근처에 바이어스 되어있다.

④ 입력 신호가 없을 때 전력 손실이 매우 크다.

53. 트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

① 컬렉터 용량에만 비례한다.

② 베이스 폭과 컬렙터 용량에 각각 반비례한다.

③ 컬렉터 인가 전압에 비례한다.

④ 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.

54. 어떤 증폭기의 하측 3dB 주파수가 0.75[MHz]이고, 상측 3dB 주파수가 5[MHz]일 때 이 증폭기의 대역폭은?

① 4.25[MHz]

② 5[MHz]

③ 7.75[MHz]

④ 10[MHz]

55. 부궤환에 의한 입력임피던스 변화를 잘못 설명한 것은?

① 전압 직렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.

② 전류 직렬 궤환시 입력임피던스는 증가한다.

③ 전압 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.

④ 전류 병렬 궤환시 입력임피던스는 감소한다.

56. 아래 회로에서 제너다이오드가 정상적으로 동작하기 위한 RL의 최소값은 몇 [kΩ]인가?

① 1

② 2

③ 3

④ 4

57. 증폭기에서 고조파 성분을 많이 포함하고 있어 주파수 체배기에 많이 사용되며 효율이 가장 좋은 것은?

① A급

② AB급

③ B급

④ C급

58. 컬렉터 접지형 증폭기의 특징이 아닌 것은?

① 전류증폭도는 수십에서 수백 정도이다.

② 전압증폭도는 약 1 이다.

③ 입ㆍ출력 전압의 위상은 동위상이다.

④ 입력임피던스는 낮고, 출력임피던스는 높다.

59. 병렬 공진 회로에서 공진 주파수가 10[kHz]이고, Q가 50이라면 이 회로의 대역폭은?

① 100 [Hz]

② 150 [Hz]

③ 200 [Hz]

④ 250 [Hz]

60. 다음 중 수정발진자에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

① 수정편은 압전기현상을 가지고 있다.

② 수정편은 Q가 5000 정도로 매우 높다.

③ 발진주파수는 수정편의 두께와 무관하다.

④ 수정편은 절단하는 방법에 따라 전기적 온도특성이 달라진다.

61. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?

① 2.97×107 [m/s]

② 9.07×107 [m/s]

③ 2.97×106 [m/s]

④ 9.07×106 [m/s]

62. MOSFET의 전류-전압특성 곡선이 다음 그림과 같은 기울기를 갖는 이유는?

① 트랜지스터가 선형영역에서 동작하기 때문이다.

② 트랜지스터가 항복영역에서 동작하기 때문이다.

③ 채널길이 변조효과 때문이다.

④ 채널폭 변조효과 때문이다.

63. LASER가 MASER와 근본적으로 다른 점은?

① 유도 방출에 의한다.

② 펌핑(pumping)에 의한다.

③ 광의 증폭 및 발진에 이용된다.

④ 반전 분포(population inversion)에 의한다.

64. 0[°K]에서 금속 내 자유전자 평균 운동 에너지는? (단, EF는 페르미 준위이다.)

② EF

③ 2/3EF

④ 3/8EF

65. 진성반도체에 있어서 전도대으 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?

① n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.

② n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.

③ n은 Eg에 반비례한다.

④ n은 Eg에 비례한다.

66. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

① 충만대(filled band)

② 가전자대(valence band)

③ 금지대(forbidden band)

④ 전도대(conduction band)

67. Pauli의 배타율 원리에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 원자내의 전자 배열을 지배하는 원리이다.

② 원자내에서 두 개의 전자가 동일한 양자 상태에 있을 수 있다.

③ 하나의 양자 궤도에는 spin이 다른 두 개의 전자가 존재할 수 있다.

④ 원자내에서 하나의 양자 상태에는 단지 1개의 전자만 존재할 수 있다.

68. n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?

① 2극관

② 3극관

③ 4극관

④ 5극관

69. 반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 자유전자는 정공보다 이동도가 더 크다.

② 전자의 흐름과 정공의 흐름은 반대이다.

③ 전자와 정공이 결합하면 에너지를 흡수한다.

④ 전자가 공유결합을 이탈하면 정공이 생성된다.

70. 펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

① 이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.

② 펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.

③ 컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.

④ 펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.

71. MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 입력 임피던스가 크다.

② 저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.

③ 제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.

④ 사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.

72. Si 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될수 있는 것은?

① 인듐(In)

② 비소(As)

③ 붕소(B)

④ 알루미늄(Al)

73. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

① Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문에

② Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문에

③ Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에

④ Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

74. Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, Ef는 페르미 준위이다.)

① T = 0[°K]일 때 E＞Ef 이면 f(E)=0 이다.

② T = 0[°K]일 때 E＜Ef 이면 f(E)=1 이다.

③ 절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.

④ T = 0[°K]에서는 Ef보다 낮은 에너지 준위는 전부 전자로 채워있으며, Ef 이상의 준위는 전부 비어 있다.

75. 다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?

① 광자

② 중성자

③ 양자

④ 전자

76. PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때의 특징이 아닌 것은?

① 전장이 약해진다.

② 전위장벽이 높아진다.

③ 공간전하 영역의 폭이 좁아진다.

④ 다수 캐리어에 의한 확산 전류는 증대된다.

77. 운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10 [m]인 경우 그 전자의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31 [kg]이다.)

① 2.69×104 [m/s]

② 2.69×105 [m/s]

③ 2.69×106 [m/s]

④ 2.69×107 [m/s]

78. 다음 중 광양자가 에너지와 운동량을 갖고 있음을 나타내는 것은?

① 광전 효과(photo electric effect)

② 콤프턴 효과(Compton effect)

③ 에디슨 효과(Edison effect)

④ 홀 효과 (Hole effect)

79. 다음 중 터널다이오드(Tunnel Diode)의 I-V 특성을 나타낸 것은?

80. 광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 광의 세기에 비례한다.

② 광의 속도에 비례한다.

③ 광의 주파수에 비례한다.

④ 광의 주파수에 반비례한다.

81. 서브루틴에 대한 설명 중 옳은 것은?

① 서브루틴을 부른 주프로그램은 수행이 중단된다.

② 서브루틴의 수행이 끝나면 프로그램의 수행을 종료한다.

③ 서브루틴의 수행이 끝나면 주프로그램은 처음부터 다시 수행한다.

④ 서브루틴의 수행이 끝나명 주 프로그램의 수행도 종료한다.

82. 패리티체크를 통한 오류 검출 방법에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 홀수 패리티체크는 비트 값이 1인 개수가 홀수가 되도록 한다.

② 짝수 패리티체크는 비트 값이 1인 개수가 짝수가 되도록 하는데 이때 체크 패리티의 부호 값을 포함해서 짝수가 되어야 한다.

③ 두 비트가 동시에 에러를 발생해도 검출이 가능하다.

④ 정보가 1110일 때 홀수 패리티체크에서 패리티발생기는 0 의 값을 발생한다.

83. 2의 보수로 표현되는 수가 A, B 레지스터에 저장되어 있다. A←A-B 연산을 수행한 후의 A 레지스터는?

① 00000012

② FFFFFF12

③ 000000B0

④ FFFFFFB0

84. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

① Addition

② Subtraction

③ Multiplication

④ Division

85. 직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?

① 단방향 방식(Simplex)

② 반이중 방식(Half-Duplex)

③ 전이중 방식(Full-Duplex)

④ 해당하는 방식이 없다.

86. java 언어에서 같은 클래스 내에서만 접근 가능하도록 하고자 할 때 사용하는 접근 제한자(한정자)는?

① public

② private

③ protected

④ final

87. 다음 중 레지스터 사이의 자료 전송 형태와 관계없는 것은?

① 직렬전송

② 간접전송

③ 버스전송

④ 병렬전송

88. 다음 중 CPU의 메이저 상태 변환 순서가 틀린 것은?

① fetch-interrupt-execute-fetch

② fetch-execute-fetch

③ fetch-indirect-execute-fetch

④ fetch-execute-interrupt-fetch

89. 마이크로컴퓨터에서 isolated I/O 방식과 비교하여 memory-mapped I/O 방식의 특징으로 옳은 것은?

① 하드웨어가 복잡하다.

② 기억장치명령과 입ㆍ출력 명령을 구별하여 사용한다.

③ 기억장치의 주소 공간이 줄어든다.

④ 입ㆍ출력 장치들의 주소 공간이 기억장치 주소 공간과 별도로 할당된다.

90. 요구분석, 시스템설계, 시스템구현 등의 시스템 개발 과정에서 개발자간의 의사소통을 원활하게 이루어지게 하기 위하여 표준화한 모델링 언어는?

① EAL

② C#

③ XML

④ UML

91. 부호화된 2의 보수에서 8비트로 표현할 수 있는 수의 표현 범위는?

① -128 ~ 128

② -127 ~ 128

③ -128 ~ 127

④ -127 ~ 127

92. 여러 개의 축전기가 쌍으로 상호 연결되어 있는 회로로 구성되어 있으며, 디지털 스틸 카메라, 광학 스캐너, 디지털 비디오 카메라와 같은 장치의 주요 부품으로 사용되는 것은?

① CCD

② ROM

③ PLA

④ EPROM

93. 다음 중 순서도의 유형이 아닌 것은?

① 직선형 순서도

② 분기형 순서도

③ 반복형 순서도

④ 교차형 순서도

94. 다음은 어떤 명령어의 실행 주기인가?

① 덧셈(ADD)

② 뺄셈(SUB)

③ 로드(LDA)

④ 스토어(STA)

95. 다음 중 누산기에 대한 설명으로 옳은 것은?

① 연산명령이 주어지면 연산준비를 하는 레지스터이다.

② 산술연산 또는 논리연산의 결과를 일시적으로 기억하는 레지스터이다.

③ 연산명령의 순서를 기억하는 레지스터이다.

④ 연산부호를 처리하는 레지스터이다.

96. 다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대하여 가장 적절하게 설명한 것은?

① 명령어를 해석한다.

② UNIX 커널의 일부이다.

③ 문서처리 기능을 갖는다.

④ 디렉터리 관리 기능을 갖는다.

97. 다음 중 자료 구조를 표현하는데 있어 나머지 3가지 표현방식의 단점을 보완한 선형 리스트는?

① queue

② stack

③ deque

④ linked list

98. 다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?

① 1K×4bit DRAM

② 8K×4bit SRAM

③ 4K×4bit DRAM

④ 64K×4bit SRAM

99. 4-단계 파이프라인구조의 컴퓨터에서 클럭주기가 1μs 일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?

① 10 μs

② 11 μs

③ 12 μs

④ 13 μs

100. 어떤 특정한 비트 또는 문자를 삭제할 때 사용하는 연산은?

① AND

② OR

③ X-OR

④ NOR

답 안 지

정 답 표

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
3	1	2	3	4	53	1	2	3	4
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5	1	2	3	4	55	1	2	3	4
6	1	2	3	4	56	1	2	3	4
7	1	2	3	4	57	1	2	3	4
8	1	2	3	4	58	1	2	3	4
9	1	2	3	4	59	1	2	3	4
10	1	2	3	4	60	1	2	3	4
11	1	2	3	4	61	1	2	3	4
12	1	2	3	4	62	1	2	3	4
13	1	2	3	4	63	1	2	3	4
14	1	2	3	4	64	1	2	3	4
15	1	2	3	4	65	1	2	3	4
16	1	2	3	4	66	1	2	3	4
17	1	2	3	4	67	1	2	3	4
18	1	2	3	4	68	1	2	3	4
19	1	2	3	4	69	1	2	3	4
20	1	2	3	4	70	1	2	3	4
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23	1	2	3	4	73	1	2	3	4
24	1	2	3	4	74	1	2	3	4
25	1	2	3	4	75	1	2	3	4
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