1.
진공 중에서 정전용량이 C0 [F]인 평행판콘덴서에 그림과 같이 판면적의 2/3에 비유전률 εS인 에보나이트판을 삽입하면 콘덴서의 정전용량은 몇 F가 되는가?
①
C0/3
②
2εSC0/3
③
2εSC02
2.
진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B 가 있다. 도체 A에만 1C의 전하를 줄 때 도체 A, B 의 전위가 각각 3V와 2V 이었다. 지금 A, B 에 각각 2C 및 1C 의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 V인가?
3.
콘덴서 간에 유전율 10-10 [F/m], 도전율 5×10-6 [℧/m]인 도전성 물질이 있을 때 정전용량이 10㎌ 이라면 콘덕턴스는 몇 ℧ 인가?
4.
∇ × (∇ρ) = cur1(gradρ)의 값은?
5.
정전용량이 각각 C1, C2, 그 사이의 상호유도계수가 M인 절연된 두 도체가 있다. 두 도체를 가는 선으로 연결할 경우, 그 정전용량은 어떻게 표현되는가?
①
C1 + C2 - M
②
C1 + C2 + M
③
C1 + C2 + 2M
④
2C1 + 2C2 + M
6.
전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 N 인가?
7.
다음 중 상자성체는?
①
철(Fe)
②
코발트(Co)
③
백금(Pt)
④
니켈(Ni)
8.
진공 중에서 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라 하면 P 점에서 전계의 r 방향성분 Er과 θ 방향성분 Eθ 는?
9.
반지름 a[m]인 2개의 원형 선조 루프가 ±Z 축상에 그림과 같이 놓여진 경우 I[A] 의 전류가 흐를 때 원형전류 중심축상의 자계 Hz [A/m] 는? (단, az, aø는 단위벡터이다.)
10.
반지름이 a[m]이고, 두께 t[m]인 원판도체의 외부와 내부에 전하밀도 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 균일하게 분포되어 있다. 원판의 중심축상에서 중심으로부터 d[m]의 거리에 있는 점 P 의 전위는 몇 V 인가?
11.
전위함수 V = x2 + y2 [V]일 때 점(3,4)[m]에서의 등전위선의 반지름은 몇 m 이며, 전력선방정식은 어떻게 되는가?
①
등전위선의 반지를 : 3, 전력선 방정식 :
②
등전위선의 반지를 : 4, 전력선 방정식 :
③
등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
④
등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
12.
강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
①
J는 B와 같다.
②
J는 B보다 약간 작다.
③
J는 B보다 약간 크다.
④
J는 B보다 대단히 크다.
14.
E = (i + j2 + k3)[V/㎝] 로 표시되는 전계가 있다. 0.01μC의 전하를 원점으로부터 i3[m]로 움직이는데 필요한 일은 몇 J 인가?
①
3×10-8
②
3×10-7
③
3×10-6
④
3×10-5
16.
대전된 도체의 표면 전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 되는가?
①
곡률반경이 크면 커진다.
②
곡률반경이 크면 작아진다.
③
표면모양에 관계없다.
④
평면일 때 가장 크다.
17.
수직편파는?
①
대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
②
대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
③
대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
④
대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파
18.
그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은? (단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)
①
E11 = 0, Dn1 = ρs
②
E12 = 0, Dn2 = ρs
③
E11 = E12, Dn1 = Dn2
④
E11 = E12 = 0, Dn1 = Dn2 = 0
19.
자장 내에 전하가 받는 힘에 대한 설명이 틀린 것은?
①
자장에 전하의 이동속도에 따른 힘이 존재한다.
②
자장에 놓여 진 도선전류가 흐르면 도선이 힘을 받는다.
③
자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따른다.
④
전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다.
20.
단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m인가?
①
μㆍsㆍn
②
μㆍsㆍn2
③
μㆍs2ㆍn2
④
μㆍs2ㆍn
21.
다음 중 e-atsinωt 의 라플라스 변환은?
①
S + a/(S + a)2 + ω2
②
ω/(S - a)2 + ω2
③
ω/(S + a)2 + ω2
④
ω/(S + a) + ω
22.
t의 함수 f(t)가 f(t) = f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?
①
기함수
②
우함수
③
정현대칭함수
④
복소함수
23.
그림과 같은 4단자 회로망의 임피던스 파라미터 Z11 은?
①
Z11 = R1 + R3
②
Z11 = R2 + R3
③
Z12 = -R3
24.
정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?
25.
임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?
26.
전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
①
과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
②
시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
③
시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
④
시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속 된다.
27.
내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
①
r = 2R
②
R = r
③
R = r2
④
R = r3
28.
R = 20[Ω], L = 0.05[H], C = 1[㎌]인 RLC 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?
①
25.2
②
17.2
③
15.2
④
11.2
29.
최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)
①
10000
②
15000
③
20000
④
25000
30.
다음 중 파형의 대칭성에 해당 되지 않는 것은?
①
우함수
②
기함수
③
고조파 대칭
④
반파 대칭
31.
R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
①
전류는 전압보다 뒤진다.
②
전류는 전압보다 앞선다.
③
전류와 전압은 동위상이다.
④
공진이 되어 지속적으로 발진한다.
32.
필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?
33.
“회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?
①
플레밍의 법칙
②
렌쯔의 법칙
③
패러데이의 법칙
④
키르히호프의 법칙
34.
원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?
①
원점을 지나는 원
②
원점을 지나는 직선
③
원점을 지나지 않는 원
④
원점을 지나지 않는 직선
35.
다음 설명 중 옳은 것은?
①
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
②
루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
③
루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
④
루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
36.
그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?
①
중역 필터
②
대역 필터
③
저역 필터
④
고역 필터
37.
R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?
①
(R/2L)2 - 1/LC > 0
②
(R/2L)2 - 1/LC < 0
③
(R/2L)2 = 1/LC
④
R/2L = 1/LC
38.
시간 t에 대하여 그림과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동 코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?
①
0.79[A]
②
1.58[A]
③
2.24[A]
④
3.16[A]
39.
자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6Ω에서 전류 I = 10A 가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2 Wb 이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?
40.
두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
②
K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
③
K=1은 누설 자속이 전혀 없는 경우이다.
④
결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.
41.
다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?
42.
다음 중 직렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?
43.
배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?
①
플립플롭 회로
②
래치 회로
③
전 가산기 회로
④
반 가산기 회로
44.
다음 중 PLL 회로의 구성요소가 아닌 것은?
①
Phase detector(위상 검파기)
②
HPF(고역 통과 필터)
③
VOD(전압 제어 발전기)
④
Reference Oscillator(기준발진기)
45.
트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 20μA에서 150μA로 증가할 때 컬렉터 전류가 1mA에서 1.2mA로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?
46.
다음 B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
①
차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
②
트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가 한다.
③
우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
④
B급이다, AB급으로 동작시킨다.
47.
2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?
①
PSK 방식
②
FSK 방식
③
ASK 방식
④
DPCM 방식
48.
저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V], 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]이면 이 경우의 왜율은?
49.
다음 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닌 것은?
①
온도에 대하여 드리프트(drift)가 없는 특성을 가진다.
②
대역폭(BW) = 0
③
출력 저항(Ro) = 0
④
전압이득 lAvl = ∞
50.
그림에서 A는 반전 연산 증폭기이다. V1 - V0의 관계는?
51.
그레이 코드(Gray code) 1111을 2진수로 변환하면?
①
1110
②
1010
③
1011
④
1111
52.
그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?
①
X = A + B + C
②
X = B + C
④
X = ABC
53.
다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?
①
적분 증폭기
②
미분 증폭기
③
아날로그 가산증폭기
④
디지털 반가산증폭기
54.
다음 표는 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화이다. ( )안의 보기 내용 중 옳지 않은 것은?
①
① 증가
②
② 감소
③
③ 감소
④
④ 증가
55.
연산증폭기(op amp.)와 다이오드로 구성된 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?
①
진폭제한회로
②
반파정류회로
③
전파정류회로
④
정현파-삼각파 변환회로
56.
다음 중 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아닌 것은? (단, Y는 출력이고, A와 B는 입력임)
57.
다음 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?
①
동작점의 안정화
②
주파수 대역폭 증대
③
바이어스 전압감소
④
출력증대
58.
다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?
①
A급 증폭기
②
B급 증폭기
③
C급 증폭기
④
AB급 증폭기
59.
전원 정류회로의 리플 함유율을 적게 하는 방법으로 옳지 않은 것은?
①
입력측 평활용 콘덴서 정전 용량을 크게 한다.
②
평활용 초크 코일의 인덕턴스를 크게 한다.
③
출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다.
④
교류 입력전원의 주파수를 높게 한다.
60.
다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, α0 : CB의 저주파 단락 전류 증폭률, β0 : CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
①
fs = β0ㆍfα
②
fs = (1+α0)ㆍfα
④
fβ = fα(1-β0)
61.
다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?
①
Schro dinger 방정식
②
Maxwell-Boltzmann
③
1차원의 Poisson 방정식
④
Einstein 관계식
62.
반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?
①
다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
②
진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
③
불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
④
캐리어의 이동도를 결정하기 때문
63.
다음 중 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?
①
고저항 측정기
②
전류계
③
자장계
④
분압계
64.
금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
①
열전자 방출
②
냉음극 방출
③
2차 전자 방출
④
광전자 방출
65.
평행판 A, B 사이의 거리가 1[㎝]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?
①
3.37×10-7
②
1.69×10-7
③
1.69×10-8
④
3.37×10-9
66.
트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?
①
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
②
EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
③
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
④
EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스
67.
다음 중 물질을 구성하는 요소가 아닌 것은?
68.
다음 설명 중 옳지 않은 것은?
①
진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
②
불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다.
③
열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재격합률은 같다.
④
캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
69.
다음 에너지 대역에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
②
원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
③
가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
④
금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.
70.
다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
①
확산계수와는 무관하다.
②
캐리어의 이동도에만 관계있다.
③
캐리어의 수명시간에만 관계있다.
④
캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
71.
다음 중 Pauli 배타율 원리가 만족되는 분포 함수는?
①
Maxwell-Boltzmann
②
Fermi-Dirac
③
Schro dinger
④
Einstein
72.
다음 중 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?
①
다결정의 Ge 성장
②
다결정의 Si 성장
③
기판에 매우 얇은 단결정의 성장
④
기판에 매우 얇은 다결정의 성장
73.
Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?
74.
다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?
①
Thermistor
②
SCR
③
TRIAC
④
DIAC
75.
다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?
①
f(E) = 1+e(E-E1)/KT
②
f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)
③
f(E) = 1-e(E-E1)/KT
④
f(E) = 1/(1-e(E-E1)/KT)
76.
전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h 는 Plank 상수)
①
P = λh
②
P = h/λ
③
P = λ/h
④
λ = 1/Ph
77.
금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
①
광 에너지
②
운동 에너지
③
페르미 준위
④
일 함수
78.
다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?
①
cm/Vㆍs
②
cm2/Vㆍ-s
③
cm2/s
④
cm/s
79.
낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
①
서미스터
②
바리스터
③
쇼트키 다이오드
④
제너 다이오드
80.
전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
①
충만대(filled band)
②
가전자대(valence band)
③
전도대(conduction band)
④
금지대(forbidden band)
81.
10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?
82.
다음 중 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?
①
direct addressing
②
indirect addressing
③
relative addressing
④
temporary addressing
83.
다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?
84.
다음 중 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
①
direct addressing mode
②
indirect addressing moded
③
absolute addressing mode
④
relative addressing mode
85.
컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?
①
interrupt
②
mapping
③
merging
④
overlapping
86.
다음 중 순서도(Flow chart)작성 시 장점에 속하지 않는 것은?
①
코딩하기가 쉽다.
②
분석과정이 명료해 진다.
③
라인 프린터의 속도가 신속하다.
④
논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다.
87.
다음 논리식을 간략화 한 것으로 옳은 것은?
①
A(B+C)
②
(A+B)C
③
1
④
A+B+C
88.
다음 중 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
①
폴링 방법에 의한 인터럽트
②
벡터 방식에 의한 인터럽트
③
수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
④
데이지체인 방법에 의한 인터럽트
89.
다음 중 자기 보수성(Self-Complement)의 특징을 갖고 있는 코드는?
①
Excess-3 code
②
Gray code
③
BCD code
④
Parity code
90.
다음 보기의 연산은?
①
MOVE 연산
②
Complement 연산
③
AND 연산
④
OR 연산
91.
채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
①
counter channel
②
selector channel
③
multiplexer channel
④
block multiplexer channel
92.
숫자나 문자 등의 키보드(Keyboard) 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있는 소자는?
①
인코더(Encoder)
②
디코더(Decoder)
③
멀티플렉서(Multiplexer)
④
디멀티플렉서(Demultiplexer)
93.
흐름도(flowchart) 기호와 그 용도의 관계가 옳지 않은 것은?
①
: 각종 처리되는 작용
②
: 일반적인 입ㆍ출력 작용
③
: 비교, 판단
④
: 흐름의 중단된 부분 연결
94.
중앙처리장치의 주요기능에 대한 내용 중 옳지 않은 것은?
①
기억기능-레지스터(register)
②
연산기능-연산기(ALU)
③
전달기능-누산기(accumulator)
④
제어기능-조합회로와 기억소자
95.
연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?
①
기억 기능
②
제어 기능
③
전달 기능
④
함수연산 기능
96.
다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?
①
hamming code
②
ring counter code
③
gray code
④
8421 code
97.
순차접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?
①
반도체 메모리
②
자기드럼
③
자기테이프
④
자기디스크
98.
ASCII 코드의 존(zone)비트와 디짓(digit)비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?
①
존 비트 : 4. 디짓 비트 : 3
②
존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4
③
존 비트 : 4. 디짓 비트 : 4
④
존 비트 : 3. 디짓 비트 : 3
99.
프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?
①
FORTRAN
②
ALGOL
③
어셈블리어
④
C++
100.
어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?
①
Compiler
②
Transiator
③
Assembler
④
Language Decoder