전자기사

1. 그림과 같이 Gap의 단면적 S[m2]의 전자석에 자속밀도 B[Wb/m2]의 자속이 발생될 때 철편을 흡입하는 힘은 몇 N 인가?

2. 서로 멀리 떨어져 있는 두 도체를 각각 V1[V] ,V2[V] (V1>V2)의 전위로 충전한 후 가느다란 도선으로 연결 하였을 때 그 도선을 흐르는 전하 Q는 몇 C인가? (단, C1[F], C2[F]는 두 도체의 정전용량이라 한다)

3. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 εs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직 방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 V/m인가?

4. 벡터 포텐셜 A=-3xyzaX+2X2aY일 때 그 자속밀도 B는 얼마인가?

① B=(4x+3xz)aX-3xyaY

② B=-3xyaX+(4x+3xz)aY

③ B=-3xyaY+(4x+3xz)aZ

④ B=-3xyaY+3yzaX+(4x+3xz)aZ

5. 직각좌표상의 점(0,1/5,0)에서의 의 발산을 구하면 얼마가 되겠는가?(단, r 은 구좌표계의 표시이다.)

① 5

② 25

③ 1/5

④ 1/25

6. 단면적 3Cm2, 평균 반지름 30Cm 인 공심 트로이드에 권선수가 500인 코일을 감고 코일에 2a 의 전류를 흘렸더니 공심 트로이드의 자속이 2×10-7Wb 이었다면 공심트로이드의 자기저항은 몇 AT/Wb인가?

① 3×109

② 5×109

③ 7×109

④ 9×109

7. 누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단. C는 콘덴서의 정전용량, V 는 전압이다.)

① (1/2)CV2

② CV2

③ ∞

8. 한변의 길이가 3m인 정삼각형의 회로에 2A의 전류가 흐를 때 정삼각형 중심에서의 자계의 크기는 몇 AT/m 인가?

① 1/π

② 2/π

③ 3/π

④ 4/π

9. 전류가 흐르고 있는 도체와 직각 방향으로 자계를 가하게 되면 도체 측면에 정,부의 전하가 생기는 것을 무슨 효과라 하는가?

① Thomson 효과

② Peltier효과

③ Seebeck 효과

④ Hall 효과

10. 철궤도간 거리가 1.5m 이며 궤도는 서로 절연이 되어 있다. 열차가 매시 60km의 속도로 달리면서 차축이 지구자계의 수직분력 B=0.15×10-4Wb/m2을 절단할 때 두 궤도 사이에 발생하는 기전력은 몇 V인가?

① 1.75×10-4

② 2.75×10-4

③ 3.75×10-4

④ 4.75×10-4

11. 전자유도 법칙에 관계가 가장 먼 것은?

① 노이만의 법칙

② 렌쯔의 법칙

③ 페러데이의 법칙

④ 암페어의 오른나사 법칙

12. 코일로 감겨진 자기회로에서 철심의 투자율을 μ라하고 회로의 길이를 ℓ 이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 l0를 만들어 주면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배가 되는가? (단, l0≪l 즉, l-l0≒l이다.)

13. 자기회로에 대한 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 가장 적당한 것은?

① 임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0 이다.

② 임의의 폐자로에서 자기저항ㅇ과 기자력의 대수합 은 0 이다.

③ 임의의 폐자로에서 자기저항과 기자력의 대수합은 0 이다.

④ 임의의 폐자로에서 자속과 기자력의 대수합은 0 이다

14. 균일 분포전류 I[A] 가 반지름 a[m] 인 비자성 원형도체에 흐를 때 단위길이당 도체 내부의 인덕턴스는 몇 H/m인가? (단, 도체의 투자율은 μ0로 가정한다.)

15. 다음 사항 중 옳은 것은?

① 지구 상공에는 대기가 전리되어 있어 전자와 이온으로 구성된 전리층이 있는데 A층, B층, C층, D층, E층, F층 등이 있다.

② 지구상에서 전자파를 발산하면 파장이 긴 것일수록 전리층을 쉽게 벗어 날 수가 있다.

③ 장파는 주로 F층에서 반사되어 지구로 되돌아 온다.

④ 송신 안테나에서 방사되는 전자파는 직접파, 대지 반사파, 산악 회절파, 전리층 반사파 등으로 수신 안테나에 이른다.

16. 정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF 가 되는가?

① 2

② 1/2

③ 4/3

④ 5/3

17. 3개의 도체 a, b, c 가 있다. 도체 c 를 a 로 정전차폐했을 때의 조건은?

① a, b 사이의 유도계수는 0 이다.

② b, c 사이의 유도계수는 0 이다.

③ b의 전하는 c의 전위와 관계가 있다.

④ c의 전하는 b의 전위와 관계가 있다.

18. 영역 1 의 자유공간에서 전파 Ei0[V/m]와 자파Hi0[A/m]가 비유전율 εr=3을 가진 유전체 영역으로 수직하게 입사하게 될 때 계면에서의 값으로 옳은 것은?

① 반사 전파의 크기는 -0.268 Ei0이다.

② 투과 전파의 크기는 0.732Ei0이다.

③ 반사 자파의 크기는 1.268Hi0이다.

④ 투과 자파의 크기는 1.268Hi0이다.

19. 10mm의 지름을 가진 동선 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면에 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?

① 7.85×1016

② 20.45×1015

③ 31.25×1019

④ 50×1019

20. 진공 중에 놓인 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는?

① Q

② ε0

③ Q/ε0

④ ε0/Q

21. 그림과 같은 선형 저항기에 나타나는 전압은?

① 1[V]

② 2[V]

③ 3[V]

④ 4[V]

22. 다음 회로에서 전압전달비를 구하면?(단, S=jω)

① 1/(RCS+1)

② R/(RCS+1)

③ CS/(RCS+1)

④ RCS/(RCS+1)

23. 시간 a 만큼 옯겨진 그림고 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?

24. R-L-C직렬공진회로에서 공진 주파수가 fr이고, 반전력 대역폭이 △f일 때 공진도 Qr은?

25. 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?

① Norton의 정리

② Thevenin의 정리

③ 치환정리

④ 중첩의 정리

26. 그림고 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?

① 10.5V

② 14V

③ 19.5V

④ 21V

27. 다음 그림과 같은 4단자 회로의 어드미턴스 파라미터의 Y22는?

① Y1+Y2

② Y2+Y3

③ Y3

④ Y2

28. 두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

① KㆍVㆍL → KㆍCㆍL

② 테브낭 정리 → 노튼 정리

③ 전압원 → 전류원

④ 폐로전류 → 절점전류

29. 단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?

① 유효전력

② 무효전력

③ 평균전력

④ 피상전력

30. 저항 3Ω과 리액턴스 4Ω을 병렬 연결한 회로의 역률은?

① 0.2

② 0.4

③ 0.6

④ 0.8

31. 그림과 같은 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

① L1+L2

② L1+L2-2M

③ L1+L2+2M

32. 그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치(rms)는?

33. 수돈 4단자 회로망(또는 2단자 쌍 회로망)이 가역적이기 위한 조건이 바르지 못한 것은? (단, 다음의 그림에서 I1=Y11V1+Y12V2,-I2=Y21V1+Y22V2이고 V1과 I1에 관해서는 V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2이다.)

① Z12=Z21

② Y12=Y21

③ AB-CD=1

④ h12=-h21

34. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)

35. 다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)

① 삼각파

② 구형파.

③ 톱니파

④ 정현파

36. 의 라플라스 역변환은?

① 2e-3t

② 2e3t

③ 3e-2t

④ 3e2t

37. 1 neper는 약 몇 dB인가?

① 3.146

② 8.686

③ 7.076

④ 6.326

38. S-평면상에 영점(0)과 극(X)이 다음과 같이 표현되는 함수는?

① 단위계단함수

② sinωt

③ e-atsinωt

④ e-atcosωt

39. 그림의 정현파에서 의 주기 T를 올바르게 표시한 것은?

① 2πω

② 2πf

③ ω/(2π)

④ (2π)/ω

40. 대칭 4단자의 영상 임피던스는?

41. B급 푸시풀(Push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?

① 최대 효율은 π/4이다.

② 컬렉터 효율이 A급보다 낮다.

③ Cross-over 일그러짐이 제거된다.

④ 공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작다.

42. 미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?

① 출력은 입력의 변화율에 반비례한다.

② 출력은 입력읜 변화율에 비례한다.

③ 출력은 입력의 변화율에 무관하다.

④ 출렫은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.

43. 다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?

44. 그림에서 A는 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=4[V]일 때 Vo는?

① 6[V]

② -2[V]

③ 2[V]

④ 8[V]

45. 궤환 증폭기에서 무궤환시 전압 이득이 100이고, 고역 3[dB] 차다 s주파수가 15[kH] 일 때, 궤환시 전압 이득이 50이면 궤환시 고역 3[dB] 차단 주파수는?

① 5 [kHz]

② 10 [kHz]

③ 20 [kHz]

④ 30 [kHz]

46. B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?

47. 턴-오프 시간(turn-off time)은?

① 축척시간과 하강시간의 합이다.

② 상승시간과 지연시간의 합이다.

③ 상승시간과 축척시간의 합이다.

④ 상승시간과 하강시간의 합이다.

48. FET의 핀치오프(Pinch-off) 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

① 핀치오프 전업은 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.

② 핀치오프 전압은 캐이러(Carrier)의 전하량에 반비례 한다.

③ 핀치오프 전압은 채널 폭의 자승에 비례한다.

④ 핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다.

49. 음귀환에 의한 입ㆍ출력 임피던스 변화의 설명 중 옳은 것은?

① 직렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.

② 직렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.

③ 병렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.

④ 병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.

50. FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?

① 입력 임피던스가 크다.

② 진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.

③ 이득×대역폭이 커서 고주파에서도사용하기 쉽다.

④ 오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.

51. 베이스 저항에 큰 영향을 주는 것이 아닌 것은?

① 이미터 접합의 바이어스 전압

② 컬렉터 접합의 바이어스 전압

③ 베이스 영역의 불순물 전압

④ 베이스 영역의 폭

52. 반파정류의 경우 출력파의 맥동율 rh와 전파정류의 경우 출력파의 맥동율 rf는 각각 약 얼마인가?

① rh=0.964, rf=0.482

② rh=0.846, rf=0.423

③ rh=0.622, rf=0.311

④ rh=1.21, rf=0.482

53. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[mA]라 하면 안정률은 약 얼마인가?

① 1

② 6.3

③ 16

④ 10π

54. 수정 발진기의 가장 중요한 특징으로 옳은 것은?

① 발진조건을 만족하는 유도성 주파수 범위가 매우 넓다.

② 발진주파수를 바꿀 때는 수정자체를 바꿀 필요가 없다.

③ 주파수 안정도가 높다.

④ 수정편의 Q가 매우 작다.

55. 다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력 파형은?

① 구형파형

② 정현파형

③ 톱니파형

④ ramp 파형

56. 다음 회로의 트랜지스터를 근사적인 hwjd수 모델로 대치 했을 때 전압이득(Vo/Vs)으로 옳은 것은?

① -hieRL/(Rs+hfe)

② -hfeRL/(Rs+hie

③ hieRL/(Rs-hfe)

④ hfeRL/(Rs-hie)

57. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?

① Vo=0일때(IB1+IB2)/2

② Vo=∞일때(IB1+IB2)/2

③ Vo=0일때(IB1+IB2)

④ Vo=∞일 때(IB1+IB2)

58. R=1[MΩ], C=1[μF]의 직렬회로에 V=10[V]를 공급할 때 1[sec]후의 VR양단 전압은?

① 6.32[V]

② 1[V]

③ 10[V]

④ 3.68[V]

59. Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 이득 감소

② sensitivity 감소

③ 대역폭 감소

④ 잡음 감소

60. 그림과 같은 브리지 정류회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

① RL에는 A쪽에거 B쪽으로 전류가 흐른다.

② RL에 흐르는 전류는 전파 정류된 파형이다.

③ 다이오드에 걸리는 역방향 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다.

④ RL에 걸리는 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치에 가깝다.

61. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링 (Tunnelling)은 언제 발생하는가?

① 역방향에서만 발생

② 정전압니 높을 때만 발생

③ 바이어스가 영 일 때 발생

④ 아주 낮은 전압에 이쓴 정방향에서 발생

62. 페르미 디락 (Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?

① 고체내의 전자는 Pauli의 베타 원리의 지배를 받는다.

② 대부분의 전자는 이 분포의 저에너지역에 조재한다.

③ 금속은 온도에 관계없이 무관한다.

④ 이 분포에 의하면, 도체가 가열될 때 저자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.

63. 일 함수(Work function)의 설명중 옳지 않은 것은?

① 금속의 종류에 따라 값이 다르다.

② 일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.

③ 표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.

④ 전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.

64. 일반적인 드리프트 트랜지스터 장ㆍ단점에 대한 설명 중 그 내용이 가장 부적당한 것은?

① 컬렉터 용량이 감소한다.

② 이미터 효율이 적어진다.

③ 이미터 용량이 증가한다.

④ 컬렉터 항복 전압이 낮아진다.

65. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

① 포화영역 부근에 세워져야 한다.

② 차단영역 부근에 세워져야 한다.

③ 화성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.

④ 차단영역과 포화역역 중간 지점에 세워져야 한다.

66. 절대온도 0[° K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?

① E=Ef

② E=(1/2)Ef

③ E＞Ef

④ E＜Ef

67. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?

① In

② Ga

③ As

④ B

68. 원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정 되는 한개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?

① 루더포드(Ruther ford)의 분사의 원리

② 파우리(Pauli)의 베타 원리

③ 보어(Bohr)의 이론

④ 아인슈타인(Einstein)의 에너지 보전 법칙

69. 캐리어의 확산 길이는 무엇에 의존하는가?

① 반도체의 모양

② 캐리어의 이동도에만 의존

③ 캐리어의 수명시간에만 의존

④ 캐리어의 이동도와 수명시간에 의존

70. 서미스터(Thermistor)는 저항이 무엇에 대하여 비직선적으로 변하는 소자인가?

① 전류

② 전압

③ 주파수

④ 온도

71. 이동도(mobility)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 이동도의 단위는 m2/Vㆍsec

② 반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다.

③ 도전율이 크면 이동도도 크다.

④ 온도가 증가하면 이동도는 증가한다.

72. 1 eV를 올바르게 설명한 것은?

① 1개의 전자가 1J의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.

② 1개의 전자가 1cm의 간격을 옮기는데 필요한 전압이다.

③ 1개의 전자가 1V의 전위차 사이를 옮기는데 필요한 운동 에너지이다.

④ 1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.

73. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?

① 원 운동

② 불규칙 운동

③ 포물선 운동

④ 타원 운동

74. 전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?

① 2개

② 4개

③ 8개

④ 18개

75. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 채널의 폭에 비례한다.

② 재료의 비유전율에 반비례한다.

③ 채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.

④ 드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.

76. 루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?

① 광적 에너지인다.

② 직류 전원이다.

③ 주파수가 낮은 교류 전원이다.

④ 자계 에너지이다.

77. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?

① 반도체의 저항이 증가한다.

② 원자의 에너지가 증가한다.

③ 정공이 전도대에 발생된다.

④ 금지대가 감소한다.

78. 두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?

① 홀(Hall) 효과

② 광전(Photo) 효과

③ 지벡(Seebeck) 효과

④ 펠티어(Peltier) 효과

79. 균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각 속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)

80. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?

① 40

② 43

③ 46

④ 48

81. Channel 과 DMA에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

① DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입ㆍ출력 할 수 있다.

② DMA 방식은 CPU의 간섭없이 일련의 데이터를 기억장치와 직접 입ㆍ출력할 수있는 방식이다.

③ Block multiplexer channel 은 여러개의 고속의 장치를 동시에 동작시킬 수 있다.

④ Channel은 처리 속도가 빠른 CPU 와 처리속도가 늦은 입ㆍ출력 장치 사이에 발생된느 작업상의 낭비를 줄여 준다.

82. 다음 중 프로그램 카운터가 명령의 번지 부분과 더해져서 유효 번지가 결정되는 주소 지정 방식은?

① 상대 번지 모드

② 직접 번지 모드

③ 인덱스 번지 모드

④ 베이스 레지스터 번지 모드

83. 명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① machine cycle에 속한다.

② 명령어를 해독하는 과정이 포함된다.

③ 반드시 execution cycle에서만 발생된다.

④ program counter에서 주소가 MAR 로 전달된다.

84. 흐름도 작성시 주의사항이 아닌 것은?

① 모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.

② 되도록이면 선이 얽히지 않게 그린다.

③ 적당한 설명을 덧 붙인다.

④ 서브루틴은 따로 그린다.

85. 논리 연산 중 마스트 동작은 어느 동작과 같은가?

① OR

② AND

③ EX-OR

④ NOT

86. 다음 중 순서도(flowchart) 종류에 해당되지 않는 것은?

① 시스템 순서도(system flowchart)

② 실체 순서도(entity flowchart)

③ 상세 순서도(detail flowchart)

④ 개략 순서도(general flowchart)

87. 다음의 구성은 무엇을 나타내는가?

① 중앙처리장치

② 산술논리연상장치

③ 제어장치

④ 입ㆍ출력 처리기

88. 다음 중 부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 해당되지 않는 것은?

① 0인지 여부를 조사한다.

② 가수의 위치를 조정한다.

③ 가수를 곱한다.

④ 결과를 정규화 한다.

89. 수평형 제어 방식의 설명 중 옳지 않은 것은?

① 성능의 향상을 꾀한다.

② 주로 소형 계산기에서 채택하는 제어 방식이다.

③ 하나의 비트가 한 개의 마이크로 동작에 대응한다.

④ 제어 워드가 크므로 넓은 메모리 공간이 필요하다.

90. 다음 제어기억 장치에서 주소를 결정하는 방법으로 옳지 않은 것은?

① 제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.

② 마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.

③ 상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.

④ 매크로 동작 비트로부터 ROM(제어기억장치)으로의 매핑

91. 마이크로 프로그램의 설명 중 가장 적당한 것은?

① 작은 보조기억장치에 저장된 프로그램이다.

② 크기가 작은 프로그램을 말한다.

③ 컴퓨터에 하드웨어로 내장된 컴퓨터의 동작을 제어하기 위한 프로그램이다.

④ 마이크로 컴퓨터에서 사용되는 프로그램이다.

92. 다음 그림은 어떤 컴퓨터 구조에 해당하는 것인가? (단,CU:control unit, PU:processor unit, MM: memory module, IS:instruction stream, DS: data stream)

① SISD 구조

② SIMD 구조

③ MISD 구조

④ MIMD 구조

93. 흐름도(flowchart)에서 기호는?

① 프로세스(process)

② 판단(decision)

③ 시작, 끝(terminal)

④ 반복(repeat)

94. 다음 불 대수 중 옳지 않은것은?

① A+0=A

② AㆍA=1

95. 일반적으로 마이크로컴퓨터의 시스템 보드(System Board)상에 직접 연결되어 있지 않은 장치는?

① 마이크로 프로세서(Micro Prcessor)

② ROM(Read Only Memory)

③ RAM(Random Access Memory)

④ 하드 디스크(Hard Disk)

96. 스택(stack) 구조가 갖는 명령 형식은?

① 0-주소명령형식

② 1-주소명령형식

③ 2-주소명령형식

④ 3-주소명령형식

97. 다음의 어셈블리 프로그램을 실행하는 동작은?

① AND

② Exclusive OR

③ NAND

④ OR

98. 다른 세가지와 그 값이 같지 않은 것은?

① 2진수 101111

② 8진수 57

③ 10진수 48

④ OR

99. 외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인으로 볼 수 없는 것은?

① Machine Check Interrupt

② I/O Interrrupt

③ Program Check Interrupt

④ Time Out Interrupt

100. 다음 그림과 같은 명령 형식에서 나타낼 수 있는 명령어와 주소의 수는?

① OP = 8, Address = 256

② OP = 16, Address = 512

③ OP = 8, Address = 512

④ OP = 16, Address = 256

답 안 지

정 답 표

번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
2	1	2	3	4	52	1	2	3	4
3	1	2	3	4	53	1	2	3	4
4	1	2	3	4	54	1	2	3	4
5	1	2	3	4	55	1	2	3	4
6	1	2	3	4	56	1	2	3	4
7	1	2	3	4	57	1	2	3	4
8	1	2	3	4	58	1	2	3	4
9	1	2	3	4	59	1	2	3	4
10	1	2	3	4	60	1	2	3	4
11	1	2	3	4	61	1	2	3	4
12	1	2	3	4	62	1	2	3	4
13	1	2	3	4	63	1	2	3	4
14	1	2	3	4	64	1	2	3	4
15	1	2	3	4	65	1	2	3	4
16	1	2	3	4	66	1	2	3	4
17	1	2	3	4	67	1	2	3	4
18	1	2	3	4	68	1	2	3	4
19	1	2	3	4	69	1	2	3	4
20	1	2	3	4	70	1	2	3	4
21	1	2	3	4	71	1	2	3	4
22	1	2	3	4	72	1	2	3	4
23	1	2	3	4	73	1	2	3	4
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25	1	2	3	4	75	1	2	3	4
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27	1	2	3	4	77	1	2	3	4
28	1	2	3	4	78	1	2	3	4
29	1	2	3	4	79	1	2	3	4
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36	1	2	3	4	86	1	2	3	4
37	1	2	3	4	87	1	2	3	4
38	1	2	3	4	88	1	2	3	4
39	1	2	3	4	89	1	2	3	4
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49	1	2	3	4	99	1	2	3	4
50	1	2	3	4	100	1	2	3	4

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2	1	2	3	2	2	4	3	4	3
11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
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31	32	33	34	35	36	37	38	39	40
3	1	3	3	2	1	2	4	4	1
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번호	1	2	3	4	번호	1	2	3	4
1	1	2	3	4	51	1	2	3	4
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18	1	2	3	4	68	1	2	3	4
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22	1	2	3	4	72	1	2	3	4
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11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
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12	1	2	3	4	62	1	2	3	4
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