1.
공기 중에 반지름 r[m]의 매우 긴 평행 왕복도체가 d[m]의 간격으로 놓여있을 때 단위 길이당의 정전용량은 몇 F/m인가? (단, r≪d 이다.)
3.
내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 자기차폐에 좋은 물질은?
①
강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질
②
강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질
③
비투자율이 1 보다 작은 역자성체
④
비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질
4.
그림 1과 같은 비투자율 1000, 평균길이 ℓ 인 균일한 단면을 갖는 환상철심에 N회의 코일을 감아 I[A]의 전류를 흘렸을 때 철심내를 통하는 자속이 ø[Wb] 이었다. 이 철심에 그림 2와 같이 간격 ℓ/1000 인 공극을 만들었을 때, 동일 전류로 같은 자속을 얻자면 코일의 권수를 얼마로 하면 되는가?
①
N회
②
1.2N회
③
1.5N회
④
2N회
5.
유전률이 ε1, ε2 인 유전체 경계면에 수직으로 전계가 작용할 때 단위면적당에 작용하는 수직력은?
6.
그림과 같은 1m당 권선수 n, 반지름 a[m]의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?
①
a와는 상관없고 n2 에 비례한다.
②
a와 n의 곱에 비례한다.
③
a2 과 n2 의 곱에 비례한다.
④
a2 에 반비례하고 n2 에 비례한다.
7.
10㎜의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
①
7.85×1016
②
20.45×1015
③
31.25×1019
④
50×1019
8.
자유공간 중에 x = 2, z = 4인 무한장 직선상에 ρL[C/m]인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E 는?
9.
반지름 a[m]의 접지 구도체 중심에서 d[m](d>a) 떨어진 점에 점전하 Q[C]이 있을 때 점전하와 접지 구도체사이에 작용하는 힘의 크기는 몇 N 인가?
10.
다음 설명 중 옳지 않은 것은?
①
유전체의 전속밀도는 도체에 준 진전하 밀도와 같다.
②
유전체의 전속밀도는 유전체의 분극전하 밀도와 같다.
③
유전체의 분극선의 방향은 -분극전하에서 +분극전하로 향하는 방향이다.
④
유전체의 분극도는 분극전하 밀도와 같다.
11.
ohm의 법칙을 미분형으로 표시하면?
①
i = E/ρ
②
i = ρE
③
i = ▽E
④
i = div E
12.
강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J 의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
①
J 는 B 와 같다.
②
J 는 B 보다 약간 작다.
③
J 는 B 보다 약간 크다.
④
J 는 B 보다 대단히 크다.
13.
평등전계 E[V/m]인 절연유(비유전률 5) 중에 있는 구형기포 중의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
14.
반지름이 1㎜이고, 3μC의 전하를 가진 도체구를 비유전률 5인 기름에서 공기 중으로 꺼내는데 필요한 에너지는 몇 J인가?
①
7.2
②
14.4
③
28.8
④
32.4
15.
TEM(횡전자파)은?
①
진행방향의 E , H 성분이 모두 존재한다.
②
진행방향의 E , H 성분이 모두 존재하지 않는다.
③
진행방향의 E 성분만 존재하고 H 성분은 존재하지 않는다.
④
진행방향의 H 성분만 존재하고 E 성분은 존재하지 않는다.
16.
길이 ℓ[m]인 동축 원통도체의 내외원통에 각각 +λ, -λ [C/m]의 전하가 분포되어 있다. 내외 원통사이에 유전률 ε인 유전체가 채워져 있을 때, 전계의 세기는 몇 V/m인가? (단, a, b는 내외 원통의 반지름이고 원통 중심에서의 거리 r은 a<r<b인 경우이다.)
17.
반지름 a[m]인 원에 내접하는 정 n 변형의 회로에 I[A]가 흐를 때, 그 중심에서의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?
18.
30V/m의 전계내의 60V 되는 점에서 1μC의 전하를 전계방향으로 70cm 이동한 경우, 그 점의 전위는 몇 V 인가?
19.
자화율(magnetic susceptibility) x는 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?
①
x = 0
②
x >0
③
x< 0
④
x = 1
20.
균일하게 원형단면을 흐르는 전류 I[A]에 의한, 반지름 a[m], 길이 ℓ [m], 비투자율 μr인 원통도체의 내부 인덕턴스는 몇 H 인가?
②
10-7, μ, ℓ
③
2×10-7, μ, ℓ
21.
지수함수 e-αt의 라플라스 변환은?
①
1/S-α
②
1/S+α
③
S+α
④
S-α
22.
단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
①
유효전력
②
무효전력
③
평균전력
④
피상전력
23.
다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21는?
①
Y11= 1/Za, Y21= 1/Zb
②
Y11= 1/Zb, Y21= 1/Za
③
Y11= 1/Za, Y21=- 1/Za
④
Y11= 1/Zb, Y21=- 1/Zb
24.
RC 고역필터에 폭이 T인 단일 구형파를 입력했을 때 출력파는 어느 것이 가장 가까운가? (단, 시정수 τ ≪ T)
25.
RL 직렬 회로에 t = 0일 때,직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R = 50[Ω], L = 10[H]이다.)
①
2(1-e5t)
②
2(1-e-5t)
③
1.96(1-et/5 )
④
1.96(1+e-t/5)
26.
다음 변압기 결선에서 제3고조파를 발생하는 것은?
27.
그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?
①
1 [A]
②
2 [A]
③
4 [A]
④
5 [A]
28.
전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(㏈) 인가?
①
1.414
②
1.732
③
5.677
④
8.686
29.
그림과 같은 회로에서 L1 = 3[H], L2 = 5[H], M = 2[H]일 때 a, b 간의 인덕턴스는?
①
1.65[H]
②
2.25[H]
③
2.75[H]
④
3.75[H]
30.
구동점 임피던스(driving-point impedance)함수에 있어서 극(pole)은?
①
아무런 상태도 아니다.
②
개방회로 상태를 의미한다.
③
단락회로 상태를 의미한다.
④
전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.
31.
다음 회로에서 Norton의 정리를 이용해서 콘덴서에 걸리는 전압을 구하면?
①
V(S) = I(S)/(SL+R)SC+1
②
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC+1
③
V(S) = I(S)/(SL+R)+1
④
V(S) = I(S)R/(SL+R)SC
32.
그림과 같은 유도결합회로에서 단자 ab간의 합성 임피던스가 실수가 되기 위한 주파수 ω 의 값은?
33.
파형률에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
①
실효값을 평균값으로 나눈 값이다.
②
클 수록 정류를 했을 때 효율이 좋아진다.
③
어떠한 파형에 대하여도 그 값은 1 이상이다.
④
동일한 파형에 대하여는 주파수에 관계없이 일정하다.
34.
그림과 같은 저항회로에서 합성저항이 Rab = 12[Ω]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?
35.
그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
36.
다음과 같은 회로에서 t = 0에서 스위치 K가 닫혔다. 전류의 파형이 오실로스코프에 나타났을 때 전류의 초기값이 10[mA]로 측정되었다. i(t)의 식은?
①
i(t) = 102e-10t
②
i(t) = 10-1e20t
③
i(t) = 10-2e-20t
④
i(t) = 10e10t
37.
회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?
①
① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
②
① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
③
① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
④
① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥
38.
2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?
①
Norton의 정리
②
Thevenin의 정리
③
치환정리
④
중첩의 원리
39.
다음 그림과 같은 그래프의 나무(Tree) 수는?
40.
2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?
①
-3
③
-1, -2, -3
④
-1, -2
41.
다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?
42.
그림의 회로는?
①
반가산기
②
전가산기
③
반감산기
④
디코더
43.
그림에서 점유율(duty cycle)를 나타내는 식은?
44.
이상적인 연산 증폭기의 특성 중 옳지 않은 것은?
①
입력 임피던스(Ri) = 0
②
대역폭(BW) = ∞
③
출력 임피던스(R0) = 0
④
전압이득 │Av│ = ∞
45.
주어진 회로는 어떤 종류의 발진기인가?
①
colpitts 발진기
②
hartley 발진기
③
wien bridge 발진기
④
phase-shift 발진기
46.
그림과 같은 콜피츠(Colpitts) 발진기의 발진주파수는?
①
≒ 850 ㎑
②
≒ 200 ㎑
③
≒ 205.5 ㎑
④
≒ 2055 ㎑
48.
그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단, β = 100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임)
①
0.2 [㎃]
②
0.5 [㎃]
③
5 [㎃]
④
20 [㎃]
49.
그림에서 A는 연산 증폭기이다. Vi - Vo의 관계는?
50.
십진수 13을 Excess-3 code로 변환하면?
①
0110 1001
②
1010 0101
③
0100 0110
④
0100 0010
51.
위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는?
①
신호파의 진폭에 비례한다.
②
신호파의 주파수에 비례한다.
③
신호파의 진폭에 반비례한다.
④
신호파의 주파수에 반비례한다.
52.
B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?
①
Vcc2/RL
②
Vcc2/2RL
③
2Vcc2/RL
④
Vcc2/4RL
53.
부궤환(negative feedback) 회로의 장점이 아닌 것은?
①
내부 잡음 일부가 경감된다.
②
비직선 일그러짐이 감소된다.
③
입ㆍ출력 임피던스를 변화시킬 수 있다.
④
이득이 높아지고, 주파수 특성이 평탄해진다.
54.
그림과 같은 쌍안정 멀티바이브레이터에서 Q1 → OFF, Q2 → ON 상태라고 할 때 C1과 C2 에 충전된 전압의 크기는 얼마인가?
①
│VC1│ = │VC2│
②
│VC1│ = │VC2│ = VCC
③
│VC1│ > │VC2│
④
│VC1│ < │VC2│
55.
다음 회로에서 Re의 중요한 역할은?
①
출력증대
②
주파수 대역증대
③
바이어스 전압감소
④
동작점의 안정화
56.
이미터 접지 증폭기에서 α = 0.98, ICO = 0.1[㎃]이고, IB = 0.2[㎃] 일 때 컬렉터 전류는 몇 [㎃]인가?
①
12.5
②
14
③
14.8
④
24.8
57.
트랜지스터의 고주파 특성으로 α차단 주파수(fα)는 무엇으로 결정되는가?
①
컬렉터에 인가하는 전압에 비례한다.
②
베이스 폭과 켈렉터 용량에 각각 반비례한다
③
베이스 폭의 자승에 반비례하고, 컬렉터 확산 계수에 비례한다.
④
이미터에 인가하는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
58.
그림과 같은 논리회로의 출력은? (단, A,B,C,D는 입력 단자이고, VO는 출력이다.)
①
AB+CD
②
A+B+C+D
③
ABCD
④
(A+B)(C+D)
59.
커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
①
감소한다.
②
증가한다.
③
관계없다.
④
주파수가 변화한다.
60.
FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌것은?
①
입력 임피던스가 크다.
②
진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
③
이득×대역폭이 커서 고주파에서도 사용 가능하다.
④
오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.
61.
주양자수 n이 3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
62.
낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?
①
바랙터(Varractor)
②
바리스터(Varistor)
③
세미스터(semistor)
④
서미스터(thermistor)
63.
Fermi-Dirac 분포 함수는?
①
f(E) = 1/1-e(E-EF)/kT
②
f(E) = 1/1+e(E-EF)/kT
③
f(E) = 1-e(E-EF)/kT
④
f(E) = 1+e(E-EF)/kT
64.
JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
채널의 폭에 비례한다.
②
재료의 비유전율에 반비례한다.
③
채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.
④
드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
65.
절대온도 0[°K]에서 진성 반도체의 모든 가전자는?
①
전도대에 존재한다.
②
금지대에 존재한다.
③
가전자대에 존재한다.
④
전도대와 가전자대에 존재한다.
66.
일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?
①
금속의 종류에 따라 값이 다르다.
②
일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
③
표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
④
전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
67.
반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
①
원 운동
②
불규칙 운동
③
포물선 운동
④
타원 운동
68.
전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
①
1600[m/s2]
②
1.602× 10-14[m/s2]
③
5.93× 105 [m/s2]
④
1.75× 1016[m/s2]
69.
부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나는 것은?
①
광 다이오드
②
터널 다이오드
③
제너 다이오드
④
쇼트키 다이오드
70.
실리콘이 정제하기 어려운 이유는?
①
에너지 밴드캡이 크다.
②
단결정 형성이 안된다.
③
표면 장력이 크다.
④
녹는 온도가 높다.
71.
기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?
①
양광주(positive column)
②
부 글로우(negative glow)
③
음극 글로우(cathode glow)
④
패러데이 암부(faraday dark space)
72.
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
①
전도대 쪽으로 접근한다.
②
가전자대 쪽으로 접근한다.
③
도우너 준위에 접근한다.
④
금지대 중앙에 위치한다.
73.
진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ωㆍm],전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/Vㆍsec], 0.05[m2/Vㆍsec] 이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?
①
9.8×1010개/m3
②
9.8×1012개/m3
③
4.9×1013개/m3
④
4.9×1016개/m3
74.
접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?
①
확산에 의해서
②
드리프트에 의해서
③
컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
④
이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
76.
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
①
Saturation 현상
②
break down 현상
③
thermal runaway 현상
④
pinch off 현상
77.
두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?
①
홀(Hall) 효과
②
광전(Photo) 효과
③
지벡(Seebeck) 효과
④
펠티어(Peltier) 효과
78.
균일 자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)
①
mV/qB
②
qB/m
③
2πm/qB
④
qB/2πm
79.
전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
①
금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
②
금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
③
금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
④
금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량 보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Shottky 효과라 한다.
80.
터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
①
역방향에서만 발생
②
정전압이 높을 때만 발생
③
바이어스가 영 일때 발생
④
아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
81.
흐름도(flowchart)에서 기호는?
①
프로세스(process)
②
판단(decision)
③
시작, 끝(terminal)
④
반복(repeat)
82.
DMA(Direct Memory Access) 장치의 역할은?
①
CPU 대신 메모리에 연결된 버스의 사용권을 허가하는 역할을 한다.
②
CPU로 옮길 데이터를 메모리에서 찾아 전송하는 역할을 한다.
③
메모리와 입ㆍ출력장치 간에 대량의 자료를 전송하는 역할을 한다.
④
CPU에서 입ㆍ출력장치로 데이터를 전송하는 역할을 한다.
83.
수행 시간이 길어 특수 목적의 기계 이외에는 별로 사용하지 않는 명령 형식이지만 연산 후 입력 자료가 변환되지 않고 보존되는 장점을 가진 명령 형식은?
①
3-주소명령형식
②
2-주소명령형식
③
1-주소명령형식
④
0-주소명령형식
84.
마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보 교환을 위해 필요한 물리적 연결을 무엇이라 하는가?
①
I/O processor
②
control line
③
bus
④
register
85.
컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입ㆍ출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?
①
Polling
②
Interrupt
③
Paging
④
Handshaking
86.
제어 신호를 발생하는 제어 데이터가 아닌 것은?
①
중앙처리장치의 제어점을 제어하는 데이터
②
메이저 상태간의 변천을 제어하는 데이터
③
인스트럭션의 순서를 제어하는 데이터
④
주변장치를 제어하는 데이터
87.
스택(stack)에 대한 설명 중 옳은 것은?
①
가장 나중에 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
②
가장 먼저 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
③
저장한 순서에 관계없이 주소를 주면 자료를 읽을 수 있다.
④
스택포인터(또는 스택의 top)는 가장 먼저 저장된 자료의 위치를 표시한다.
88.
그림과 같은 논리게이트 회로는 어떤 동작을 나타내고 있는가?
①
A와 B입력에 대한 일치동작
②
A > B 판정 검출동작
③
A < B 판정 검출동작
④
A와 B입력의 NAND 논리동작
89.
다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
①
3-주소지정 방식
②
2-주소지정 방식
③
1-주소지정 방식
④
0-주소지정 방식
90.
10진수 4와 10진수 13에 해당하는 그레이 코드(gray code)를 비트 단위(bitwise) OR 연산을 하면 결과는?
①
0110
②
1011
③
0010
④
1111
91.
A, B가 각각 합하는 수의 비트이고 Co가 낮은 자리에서의 올림수 비트일 때 전가산기의 합(S)에 대한 불 함수로 옳지 않은 것은?
92.
휘발성(volatile)과 가장 밀접한 관계를 갖는 메모리는?
①
RAM
②
ROM
③
PROM
④
EPROM
93.
인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?
①
스택
②
벡터 인터럽트
③
폴링
④
핸드쉐이킹
94.
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
95.
16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
①
-216 ~ 216
②
-216-1 ~ 216+1
③
-215 ~ 215
④
-215 ~ 215-1
96.
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
①
인코더
②
디코더
③
디멀티플렉서
④
멀티플렉서
97.
인스트럭션 수행을 위한 마이크로 오퍼레이션 중 우선적으로 이루어져야 하는 것은?
①
MBR ← PC
②
MAR ← PC
③
PC ← PC+1
④
IR ← MBR
98.
interrupt 중에서 operator에 의하여 발생되는 것은?
①
I/O interrupt
②
program interrupt
③
external interrupt
④
supervisor call interrupt
99.
다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?
①
3번지 명령
②
2번지 명령
③
1번지 명령
④
0번지 명령
100.
운영체제를 설명한 것이 아닌 것은?
①
사용자와 하드웨어간의 중간 대화 통로
②
컴퓨터 시스템 장치를 효율적으로 관리
③
컴퓨터를 사용자가 편리하게 이용 가능
④
업무에 사용하도록 개발한 응용프로그램