1.
자유공간 중에서 자계 H =xz2ax[A/m]일 때 0 ≤ x ≤ 1, 0≤z≤1, y=0인 면을 통과하는 전전류는 몇 A 인가?
2.
균일한 자계에 수직으로 입사한 수소이온의 원운동의 주기는 2π×10-5 sec 이다. 이 균일 자계의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가? (단, 수소이온의 전하와 질량의 비는 2×107 C/kg 이다.)
①
2.5×10-3
②
3.2×10-3
③
5×10-3
④
6.2×10-3
3.
무손실 전송회로의 특성 임피던스를 나타낸 것은?
4.
그림에서 단자 ab간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
5.
그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러 나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 옳지 않은 설명은?
①
내부 도체내(r<a)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 비례한다.
②
두 도체사이(내부공간)(a<r<b) 에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 반비례한다.
③
외부 도체내(b<r<c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다.
④
외부 공간(r>c)의 자계는 영(0)이다.
6.
평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 2.4×10-7C/m2이고, 단위 체적 중의 에너지가 5.3×10-3J/m3 이었다. 이 유전체의 유전률은 몇 F/m 인가?
①
2.17×10-11
②
5.43×10-11
③
5.17×10-12
④
5.43×10-12
7.
그림과 같이 구형의 자성체가 병렬로 접속된 경우 전체의 자기저항 RT는 몇 AT/Wb가 되겠는가?(단, 가로방향 즉, 200㎜방향임)
①
RT = 2.7×104
②
RT = 5.3×104
③
RT = 1.1×10-6
④
RT = 1.9×10-6
8.
그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은?(단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)
①
Et1=0, Dn1=ρs
②
Et2=0, Dn2=ρs
③
Et1=Et2, Dn1=Dn2
④
Et1=Et2=0, Dn1=Dn2=0
9.
간격 d의 평행 도체판간에 비저항ρ인 물질을 채웠을 때 단위 면적당의 저항은?
10.
대전 도체 표면의 전계의 세기는?
①
곡률이 크면 커진다.
②
곡률이 크면 적어진다.
③
평면일 때 가장 크다.
④
표면 모양에 무관하다.
11.
진공내의 점(3,0,0)[m]에 4×10-9 C의 전하가 있다. 이 때 점(6,4,0)[m]의 전계의 크기는 몇 V/m 이며, 전계의 방향을 표시하는 단위벡터는 어떻게 표시되는가?
①
전계의 크기: 36/25, 단위벡터: 1/5(3ax+4ay)
②
전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 3ax+4ay
③
전계의 크기: 36/25, 단위벡터: ax+ay
④
전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 1/5(ax+ay)
12.
진공 중에 선전하 밀도가 λ[C/m]로 균일하게 대전된 무한히 긴 직선도체가 있다. 이 직선도체에서 수직거리r[m]점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
13.
와전류의 방향은?
①
일정하지 않다.
②
자력선의 방향과 동일하다.
③
자계와 평행되는 면을 관통한다.
④
자속에 수직되는 면을 회전한다.
14.
평행한 두 도선간의 전자력은? (단, 두 도선간의 거리는 r[m]라 한다.)
①
r2에 반비례
②
r2에 비례
③
r에 반비례
④
r에 비례
15.
자기인덕턴스 L1[H], L2[H]와 상호인덕턴스 M[H]와의 결합계수는?
16.
V=x2+y2[V]의 전위 분포를 갖는 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 임의의 상수이다.)
17.
지구는 태양으로부터 P[kW/m2]의 방사열을 받고 있다. 지구 표면에서의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
18.
막대자석의 회전력을 나타내는 식으로 옳은 것은?(단, 막대자석의 자기모멘트 M [wb.m]와 균등자계 H [A/m]와의 이루는 각 θ는 0°<θ<90° 라 한다.)
①
M×H [N.m/rad]
②
H×M [N.m/rad]
③
μo H×M [N.m/rad]
④
M×μo H [N.m/rad]
19.
균일하게 자화된 체적 0.01m3인 막대 자성체가 500A.m2인 자기모멘트를 가지고 있을 때, 이 막대 자성체의 자속밀도가 500mT이었다면 이 막대 자성체내의 자계의 세기는 몇 kA/m 인가?
20.
전하 혹은 전류 중심으로부터 거리 R에 반비례하는 것은?
①
균일 공간 전하밀도를 가진 구상전하 내부의 전계의 세기
②
원통의 중심축 방향으로 흐르는 균일 전류밀도를 가진 원통도체 내부의 자계의 세기
③
전기쌍극자에 기인된 외부 전계내의 전위
④
전류에 기인된 자계의 벡터포텐샬
21.
K형 여파기에 있어서 임피던스 Z1, Z2와 공칭 임피던스 K와의 관계는?
22.
그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임.)
23.
RC직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0 일 때 닫혔다고 하면 전류 i(t)는 어느 식으로 표시되는가? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)
24.
다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)
25.
S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?
①
발진하지 않는다.
②
점점 더 크게 발진한다.
③
지속 발진한다.
④
감쇄 진동한다.
26.
e1=20√2 sinωt, e2=50√2 cos(ωt-(π/6))일 때 e1+e2의 실효치는?
27.
여러개의 기전력을 포함하는 선형 회로망내의 전류분포는 각 기전력이 단독으로 그의 위치에 있을 때 흐르는 전류 분포의 합과 같다는 것은?
①
키르히호프 법칙
②
중첩의 원리
③
테브난의 정리
④
노톤(Norton)의 정리
28.
그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?
①
중역필터
②
대역필터
③
저역필터
④
고역필터
29.
L1=20[H], L2=5[H]인 전자 결합회로에서 결합계수 K=0.5 일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 [H]인가?
30.
시정수 τ 를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ 가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?
①
63.2%
②
86.5%
③
95.0%
④
98.2%
33.
저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는?
①
26[A]
②
36[A]
③
45[A]
④
60[A]
34.
가지(branch)의 수가 5, 마디(node)의 수가 4인 회로망의 모든 독립된 전류를 구하기 위하여 요구되는 키르히호프의 전압 법칙에 의한 방정식의 개수는 최소 몇 개라야 하는가?
35.
다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?
36.
다음 회로에서 Vo(t)의 실효치 전압은?
①
0 Vrms
②
10 Vrms
③
10/√2 Vrms
④
10/3 Vrms
37.
다음 그림을 Laplace 변환하면?
①
E / S2
②
E / TS
③
E / TS2
④
TE / S
38.
그림의 회로망에서 y parameter 중 옳지 않은 것은?
39.
다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은?
40.
그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S)는?
①
R/(1+CRS)
②
CR/(1+CRS)
③
1/(1+CRS)
④
C/(1+RS)
41.
그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은?(단, 입력 신호는 정현파이다.)
42.
FET에서 포화 드레인 전류(IDS)를 옳게 나타낸 식은? (단, IDSS는 VGS = 0 일 때 드레인 전류이다.)
②
IDS=IDSS(1+VGS)2
④
IDS=IDSS(1-VGS)2
43.
그림과 같은 회로의 전달 특성을 나타낸 것은?
44.
그림과 같은 회로에서 Y1에서 얻어지는 결과는 무슨 게이트(gate)와 등가인가?
①
OR gate
②
NOT gate
③
AND gate
④
Exclusive OR gate
45.
그림의 차동증폭기 회로의 출력 Vo는?
46.
고주파 증폭기에서 α 차단 주파수(α cutoff frequency)는?
①
α 가 0.5가 되는 곳의 주파수이다.
②
α 가 최대값의 0.707배 되는 곳의 주파수이다.
③
입력과 출력이 동일하게 되는 곳의 주파수이다.
④
출력 전력이 원래값의 1/5로 되는 곳의 주파수이다.
47.
연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?
①
적분 증폭기
②
미분 증폭기
③
아날로그 가산증폭기
④
디지털 반가산증폭기
48.
그림의 회로에서 RL에 흐르는 전류 IL은?
49.
소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?
①
60.6
②
70.7
③
75.5
④
78.5
50.
다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?
①
구형파형
②
정현파형
③
ramp파형
④
톱날파형
52.
10112를 Gray Code로 변환하면?
①
1111
②
1110
③
1010
④
1011
53.
그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?
54.
트랜지스터 캐스코드(cascode)회로를 이미터접지증폭기와 비교한 것 중 옳지 않은 것은?
①
입력저항은 비슷하다.
②
출력저항은 비슷하다.
③
전류이득은 비슷하다.
④
전압 궤환율은 적어진다.
55.
이미터 접지 증폭기에서 입력 개방 출력 어드미턴스에 해당되는 h 파라미터는?
57.
배타적 OR(Exclusive OR)과 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?
①
플립플롭 회로
②
래치 회로
③
전 가산기 회로
④
반 가산기 회로
58.
2진수 1011.01101를 8 진수로 고친 것 중 옳은 것은?
①
13.32(8)
②
15.31(8)
③
13.31(8)
④
15.15(8)
59.
그림의 연산 증폭기 회로는?
①
전압증폭기
②
전류증폭기
③
정전압 회로
④
정전류 회로
60.
다음 회로의 기능은?
①
평형 변조기
②
배전압 정류기
③
푸시-풀 증폭기
④
단상 전파 정류기
61.
500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
62.
서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?
①
트랜지스터 회로의 온도 보상
②
마이크로파 전력 측정
③
온도 검출
④
발진기
63.
1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
①
6.24×1016[개]
②
6.24×1018[개]
③
6.24×1020[개]
④
6.24×1022[개]
64.
전자의 운동량(P)와 파장(λ ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은?(단, h는 Plank 상수)
65.
정공의 확산 계수 Dp=55[cm2/sec]이고, 정공의 평균 수명τP=10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?
①
6.3×103[cm]
②
6.3×10-3[cm]
③
7.4×103[cm]
④
7.4×10-3[cm]
66.
펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
②
펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
③
컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
④
펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
67.
CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는?
①
MOS FET
②
접합 트랜지스터
③
서미스터
④
제너 다이오드
68.
모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은?
①
경제적이며, 대량 생산이 가능하다.
②
정밀도가 높고, 온도 특성이 우수하다.
③
다수의 칩을 한데 묶어 LSI도 구성시킬 수 있다.
④
동일한 칩에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 콘덴서의 수용이 가능하다.
69.
마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?
①
FET(Field Effect Transistor)
②
SCR(Silicon Controlled Rectifier)
③
TRIAC(트라이액)
④
UJT(UniJunction Junction Transistor)
70.
스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?
①
제너 다이오드
②
SCR
③
터널 다이오드
④
UJT
71.
열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
①
일함수가 큰 것
②
융점이 높은 것
③
방출 효율이 좋은 것
④
가공, 공작이 용이한 것
72.
에너지 준위도에서 0 준위는?
①
페르미 준위
②
이탈 준위
③
금속내 준위
④
금속외 준위
73.
열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
①
쇼트키 효과
②
펠티어 효과
③
지벡 효과
④
홀 효과
74.
2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은?
①
가변 증폭관
②
전자증 배관
③
4극 진공관
④
5극 진공관
75.
Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
①
온도에 따라 그 크기가 변한다.
②
캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
③
상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
④
0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
76.
두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?
①
홀(Hall) 효과
②
광전 효과
③
펠티어(Peltier) 효과
④
지벡(Seebeck) 효과
77.
저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
①
2차 분포함수
②
Fermi-Dirac 분포함수
③
Bose-Einstein 분포함수
④
Maxwell-Boltzmann 분포함수
78.
P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)
79.
진성 반도체에서 온도가 상승하면?
①
반도체의 저항이 증가한다.
②
원자의 에너지가 증가한다.
③
정공이 전도대에 발생된다.
④
금지대가 감소한다.
80.
피에조 저항(piezo resistance)은?
①
압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
②
자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
③
온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
④
광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
81.
다음 프로그램 중에서 성격이 전혀 다른 것은?
①
Data management program
②
Job management program
③
Supervisor program
④
Service program
82.
기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은?
①
Cache Memory
②
Virtual Memory
③
Associative Memory
④
Multiple Module Memory
83.
CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?
①
Fetch 상태
②
Indirect 상태
③
Execute 상태
④
Interrupt 상태
84.
스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령 형식과 가장 관계가 깊은 것은?
①
3-address
②
2-address
③
1-address
④
0-address
85.
단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?
①
MOVE 연산
②
Complement 연산
③
Shift 연산
④
OR 연산
86.
컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?
①
Interrupt
②
Mapping
③
Merging
④
Overlapping
87.
어셈블리 언어로 프로그래밍 할 때 서브루틴 사용시 미리 고려할 사항이 아닌 것은?
①
스택 영역을 확보한다.
②
스택포인터를 초기화한다.
③
레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
④
서브루틴 실행 후 복귀(return) 번지를 결정한다.
88.
10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?
89.
어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?
①
direct addressing
②
indirect addressing
③
relative addressing
④
temporary addressing
90.
데이터 흐름을 중심으로 시스템 전체의 작업 내용을 총괄적으로 표시하는 순서도는?
①
개략 순서도
②
시스템 순서도
③
상세 순서도
④
프로그램 순서도
91.
C-언어의 특징 중 옳지 않은 것은?
①
연산자가 풍부하지 못하다.
②
C는 포인터와 주소를 계산할 수 없다.
③
C 언어 자체에는 입ㆍ출력 기능이 없다.
④
데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.
92.
인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원등의 요인에 의해 발생되는 인터럽트는?
①
기계 인터럽트
②
외부 인터럽트
③
내부 인터럽트
④
소프트웨어 인터럽트
93.
프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입ㆍ출력하는 방식은?
①
Strobe 방식
②
Flag 검사 방식
③
DMA 방식
④
Hand-Shaking 방식
94.
인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선 순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?
①
Vectored Interrupt
②
DMA
③
Daisy-Chain
④
Polling
95.
희박한 행렬(sparse matrix)을 표현하는 방법으로 적합한 자료구조는?
①
큐(queue)
②
연결 리스트(linked list)
③
스택(stack)
④
트리(tree)
96.
65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?
97.
레지스터에 계수의 기능을 갖춘 것은?
①
레지스터
②
스택 포인터
③
PC
④
AC
98.
특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위한 적의 연산 방법은?
①
Complement 연산
②
OR 연산
③
AND 연산
④
MOVE 연산
99.
다음의 구성은 무엇을 나타내는가?
①
중앙처리장치
②
산술논리연산장치
③
제어장치
④
입ㆍ출력 처리기
100.
조합(combinational) 논리 회로에 대해 설명한 것은?
①
출력 신호가 입력 신호에 의해서만 결정되는 논리 회로이다.
②
플립플롭과 같은 기억 소자를 갖고 있는 논리 회로이다.
③
출력 신호가 입력 신호와 현재의 논리 회로의 상태에 의해 결정되는 논리 회로이다.
④
기억 능력을 가진 논리 회로이다.