9급 국가직 공무원 전자공학개론

9급 국가직 공무원 전자공학개론 2014년 총 20문제

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성 명

1. 수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다.

② 8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다.

③ 10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다.

④ 음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다.

2. 그림 ㉠∼㉣ 회로에 정현파 vi=10sin 500t[Ⅴ]가 각각 입력되었을 때, 출력전압 VP-P[V]값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) (순서대로 회로, VP-P[V])

① ㉠, 0

② ㉡, 20

③ ㉢, 20

④ ㉣, 0

3. ㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)

① 포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)

② 포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)

③ 트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)

④ 트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)

4. 다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 2πf0L≫R이다.)

① L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.

② 공진시 공진주파수는 1/2π√LC에 가깝다.

③ 공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.

④ R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다.

5. 다음 회로에서 부하저항 RL이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항 RL에서 소비되는 최대전력[Ｗ]은?

① 8.25

② 9.25

③ 10.25

④ 11.25

6. 다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압 VP[V]와 드레인－소스 전압이 10 [V]일 때의 순방향 전달 컨덕턴스 gm[mS]에 가장 가까운 값은? (순서대로 VP[V], gm[mS])

① 2, 2

② 2, 5

③ 8, 2

④ 8, 5

7. ㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)

① 앙상블(ensemble) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)

② 앙상블(ensemble) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)

③ 에일리어싱(aliasing) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)

④ 에일리어싱(aliasing) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)

8. 다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 VUTP[V]와 하측 트리거 기준 전압 VLTP[V]는? (단, +Vout(max)=+4V, -Vout(max)=-4V, 3RA=RB이다.) (순서대로 VUTP][V], VLTP[V])

① ＋1, －1

② ＋1, －3

③ ＋3, －1

④ ＋3, －3

9. 다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D－플립플롭으로 설계할 때, D－플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)

① DA =X＋B

② DA =A'X＋A'B＋BX

③ DA =A'X＋AB＋AB'X

④ DA =X＋AB'

10. 다음 회로의 출력전압 Vout[V]은?

① －27

② 9

③ 18

④ 27

11. 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.

② 터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.

③ 쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.

④ PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다.

12. 출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은?

13. 다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다.

② 영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.

③ 영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.

④ 영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다.

14. 페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

① 절대온도 0Ｋ에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다.

② 온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.

③ 진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.

④ 온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다.

15. 다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 [V]은? (순서대로 V1, V2)

① 7, 6

② 7, 10

③ 8, 6

④ 8, 10

16. 다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단, VBE=0.7V, βDC=150, r′e=25mV/IE이다.)

① 1.5

② 2

③ 2.5

④ 3

17. 다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps＝1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다.)

① 20

② 40

③ 60

④ 80

18. 논리식 A′B(D′＋C′D)＋B(A＋A′CD)와 동일한 것은?

① AB

② B

③ AB＋C′

④ A＋BC′

19. 다음 신호 f(t)를 푸리에 변환한 F(ω)는?

20. 다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다)

① 0 3 7 1 3 7 1 3

② 0 5 6 1 4 3 5 6

③ 0 6 5 3 2 4 6 5

④ 0 6 5 2 4 3 6 5

답 안 지

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