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문제 ID: 219282

카테고리: 반도체설계산업기사

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 Vs가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?
정답을 선택하세요
1 공핍 모드(Depletion mode)
2 반전 모드(Inversion mode)
3 축적 모드(Accumulation mode)
4 바디 바이어스 효과(Body bias effect)
단일 문제
정답
2번 : 반전 모드(Inversion mode)
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 반도체설계산업기사 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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