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문제 ID: 289651

카테고리: 정보통신산업기사

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
정답을 선택하세요
1 진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2] 당 자유전자의 개수가 적다.
2 Si 다이오드에 대한 정격전압은 약 1000[V]이고 Ge 다이오드에 대한 정격전압은 약 400[V] 이다.
3 Si 다이오드는 온도정격은 약 200[℃]이고 Ge 다이오드의 온도정격은 약 100[℃]이다.
4 Si 다이오드의 문턱전압은 0.7[V]이고 Ge 다이오드인 경우는 0.3[V]이다.
단일 문제
정답
1번 : 진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2] 당 자유전자의 개수가 적다.
해설

이 문제의 정답은 1번입니다. 정보통신산업기사 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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