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문제 ID: 387987

카테고리: 광학기사

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
GaAs 반도체 재료는 실온에서 1.4eV의 에너지 밴드의 갭을 갖고 있다. GaAs를 사용한 반도체레이저의 발진파장은?
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1 805nm
2 886nm
3 924nm
4 975nm
단일 문제
정답
2번 : 886nm
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 광학기사 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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