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문제 ID: 532448

카테고리: 전자기사

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?
정답을 선택하세요
1 Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
2 Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
3 Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
4 Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
단일 문제
정답
2번 : Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 전자기사 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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