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문제 ID: 645679

카테고리: 9급 국가직 공무원 전자공학개론

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
정답을 선택하세요
1 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
2 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
3 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
4 드레인－소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
단일 문제
정답
2번 : 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 9급 국가직 공무원 전자공학개론 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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