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문제 ID: 645787

카테고리: 9급 국가직 공무원 전자공학개론

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
정답을 선택하세요
1 MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.
2 MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.
3 MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.
4 MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.
단일 문제
정답
2번 : MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 9급 국가직 공무원 전자공학개론 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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