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문제 ID: 645819

카테고리: 9급 국가직 공무원 전자공학개론

강의: 미분류

키워드: 없음

문제
MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차(VGS), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 |IDS|의 변화 로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
정답을 선택하세요
1 P형 MOS는 증가하고, N형 MOS도 증가한다.
2 P형 MOS는 감소하고, N형 MOS도 감소한다.
3 P형 MOS는 감소하고, N형 MOS는 증가한다.
4 변하지 않는다.
단일 문제
정답
2번 : P형 MOS는 감소하고, N형 MOS도 감소한다.
해설

이 문제의 정답은 2번입니다. 9급 국가직 공무원 전자공학개론 영역에서 자주 출제되는 유형으로, 각 보기를 비교하며 핵심 개념을 정리해 두면 유사 문제에 충분히 대비할 수 있습니다. 상세 해설은 순차적으로 보강하고 있습니다.

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